觸區(qū)22后，將保留在所述溝道區(qū)21上的所述正性光阻221去掉。
[0076]對應(yīng)于步驟S8，請參閱圖10，圖10是本發(fā)明實施例中形成柵極時薄膜晶體管陣列基板的不意圖。
[0077]S8，在所述柵極絕緣層30上形成柵極40 ；
[0078]在本實施例中，米用物理氣相沉積法在基板上沉積一金屬層；米用覆膜、曝光、顯影、蝕刻等制程處理所述金屬層，形成所述柵極40。
[0079]所述柵極40的材質(zhì)為鋁、鎢、硅化鎢、釹、鉻、鉬、銀和銅之中的至少一種。
[0080]對應(yīng)于步驟9，請參閱圖11和圖12，圖11和圖12是本發(fā)明實施例中形成源極和漏極的過程示意圖；
[0081]S9，在所述歐姆接觸區(qū)22上形成源極51和漏極52，所述源極51和所述漏極52分別位于所述歐姆接觸區(qū)22的第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)，包括如下步驟:
[0082]對柵極絕緣層30進(jìn)行圖形化處理，使需要形成所述源極51和所述漏極52的區(qū)域鏤空而露出歐姆接觸區(qū)22 ;
[0083]在所述柵極絕緣層30和所露出的所述歐姆接觸區(qū)22上沉積一源漏極金屬層，通過構(gòu)圖工藝將多余的源漏極金屬去掉，形成所述源極51和所述漏極52。
[0084]請參閱圖13、圖14和圖15，在本發(fā)明的一個實施例中，在所述步驟S9之后還包括以下步驟:
[0085]在形成所述源極51和所述漏極52的基板20上形成一連續(xù)的鈍化層70 ;
[0086]在所述鈍化層70通過構(gòu)圖工藝上形成過孔71 ;
[0087]在形成所述過孔71的所述鈍化層70上形成像素電極90和數(shù)據(jù)線80，所述像素電極90通過過孔71與所述源極51電性相連，所述數(shù)據(jù)線80通過過孔71與所述漏極電性相連。
[0088]在本實施例中，在對溝道區(qū)和歐姆接觸區(qū)進(jìn)行摻雜時，分別使用負(fù)性光阻和正性光阻，從而實現(xiàn)采用同一道光罩進(jìn)行曝光，所述光罩的透光區(qū)對應(yīng)于所述歐姆接觸區(qū)的位置，當(dāng)使用負(fù)性光阻時，所述透光區(qū)對應(yīng)的所述負(fù)性光阻發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，在顯影時不會被洗掉，從而遮擋歐姆接觸區(qū)，而對所述溝道區(qū)進(jìn)行摻雜；當(dāng)使用正性光阻時，所述光罩的所述透光區(qū)對應(yīng)的所述正性光阻發(fā)生分解，在顯影時被洗掉，從而露出所述歐姆接觸區(qū)，此時對所述歐姆接觸區(qū)進(jìn)行摻雜。光罩的制作成本極高，本發(fā)明采用一道光罩，與現(xiàn)有技術(shù)采用兩道光罩相比，極大程度降低了成本；同時，由于只采用一道光罩，兩次對位相同，只是最終留下用于遮擋的光阻不同，因而減小了制程的誤差。
[0089]在本發(fā)明的另一個實施例中，薄膜晶體管陣列基板的制備方法與上述實施例所述的制備方法基本相同，區(qū)別之處在于:所述第一光阻為正性光阻，所述第二光阻為負(fù)性光阻，所述光罩對應(yīng)于所述溝道區(qū)的部位為透光區(qū)，曝光時紫外光透過所述透光區(qū)。
[0090]在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制備方法中，在對溝道區(qū)和歐姆接觸區(qū)進(jìn)行摻雜時，分別使用正負(fù)性相反的第一光阻和第二光阻，從而實現(xiàn)采用同一道光罩進(jìn)行曝光，降低成本的同時減少制程的誤差。
[0091]以上所述的實施方式，并不構(gòu)成對該技術(shù)方案保護(hù)范圍的限定。任何在上述實施方式的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在該技術(shù)方案的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供一基板； 在所述基板上沉積半導(dǎo)體層； 在所述半導(dǎo)體層上生成柵極絕緣層； 在所述柵極絕緣層上涂布第一光阻，通過一光罩對所述第一光阻進(jìn)行曝光，并顯影，以去除一部分所述第一光阻，露出部分所述柵極絕緣層； 對所露出的所述柵極絕緣層所對應(yīng)的半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜，形成薄膜晶體管的溝道區(qū)，再去掉其余的所述第一光阻； 在所述柵極絕緣層上涂布第二光阻，采用所述光罩對所述第二光阻進(jìn)行曝光，并顯影，只保留所述溝道區(qū)所對應(yīng)的所述第二光阻，所述第二光阻的正負(fù)性和所述第一光阻的正負(fù)性相反； 對所述半導(dǎo)體層進(jìn)行重?fù)诫s，形成歐姆接觸區(qū)，所述歐姆接觸區(qū)包括第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)，所述溝道區(qū)位于所述第一接觸區(qū)和所述第二接觸區(qū)之間； 在所述柵極絕緣層上形成柵極； 在所述歐姆接觸區(qū)上形成源極和漏極，所述源極和所述漏極分別位于所述第一接觸區(qū)和所述第二接觸區(qū)。2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一光阻為負(fù)性光阻，所述第二光阻為正性光阻，所述光罩對應(yīng)于所述溝道區(qū)以外的部位為透光區(qū)，曝光時紫外光透過所述透光區(qū)。3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一光阻為正性光阻，所述第二光阻為負(fù)性光阻，所述光罩對應(yīng)于所述溝道區(qū)的部位為透光區(qū)，曝光時紫外光透過所述透光區(qū)。4.如權(quán)利要求1至3任一項所述的制備方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層為多晶硅層、鍺層或砷化鎵層。5.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟“提供一基板”和所述步驟“在所述基板上沉積半導(dǎo)體層”之間還包括以下步驟: 在所述基板上沉積一緩沖層。6.如權(quán)利要求1至3任一項所述的制備方法，其特征在于，所述柵極絕緣層的材質(zhì)為硅的氮化物、硅的氧化物或者硅的氮氧化物。7.如權(quán)利要求1至3任一項所述的制備方法，其特征在于，所述步驟“在所述柵極絕緣層上形成柵極”包括以下步驟: 采用物理氣相沉積法在所述柵極絕緣層上沉積一金屬層； 采用覆膜、曝光、顯影、蝕刻等制程處理所述金屬層，形成所述柵極。8.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述柵極的材質(zhì)為鋁、鎢、硅化鎢、釹、鉻、鉬、銀和銅之中的至少一種。9.如權(quán)利要求1至3任一項所述的制備方法，其特征在于，所述步驟“在所述歐姆接觸區(qū)上形成源極和漏極，所述源極和所述漏極分別位于所述第一接觸區(qū)和所述第二接觸區(qū)”包括以下步驟: 對所述柵極絕緣層進(jìn)行圖形化處理，使需要形成所述源極和所述漏極的區(qū)域鏤空而露出所述歐姆接觸區(qū)； 在所述柵極絕緣層和所露出的所述歐姆接觸區(qū)上沉積一源漏極金屬層； 形成所述源極和所述漏極。10.如權(quán)利要求1至3任一項所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟“在所述歐姆接觸區(qū)上形成源極和漏極，所述源極和所述漏極分別位于所述第一接觸區(qū)和所述第二接觸區(qū)”之后還包括以下步驟: 在形成所述源極和所述漏極的基板上形成一連續(xù)的鈍化層； 在所述鈍化層上形成過孔； 在形成所述過孔的所述鈍化層上形成像素電極，所述像素電極通過所述過孔與所述源極連接。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種薄膜晶體管陣列基板的制備方法，包括步驟：在柵極絕緣層上涂布第一光阻，通過一光罩對所述第一光阻進(jìn)行曝光，并顯影，以去除一部分所述第一光阻，露出部分所述柵極絕緣層；對所露出的所述柵極絕緣層所對應(yīng)的半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜，形成薄膜晶體管的溝道區(qū)；在所述柵極絕緣層上涂布第二光阻，采用所述光罩對所述第二光阻進(jìn)行曝光，并顯影，只保留所述溝道區(qū)所對應(yīng)的所述第二光阻，所述第二光阻和所述第一光阻的正負(fù)性相反；對所述半導(dǎo)體層進(jìn)行重?fù)诫s，形成歐姆接觸區(qū)。所述薄膜晶體管陣列基板的制備方法可以減少低溫多晶硅薄膜晶體管制程中使用的光罩?jǐn)?shù)目，降低成本的同時減少制程的誤差。
【IPC分類】H01L21/77
【公開號】CN105185743
【申請?zhí)枴緾N201510647810
【發(fā)明人】陳歸, 陳彩琴
【申請人】武漢華星光電技術(shù)有限公司
【公開日】2015年12月23日
【申請日】2015年10月9日