陣列基板制作的方法、掩膜板、陣列基板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及陣列基板制作的方法、掩膜板、陣列基板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在TFT-LCD 制造行業(yè)中，通常米用昂貴的 PECVD (Plasma Enhanced ChemicalVapor Desposit1n，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)沉積氮化娃SiNx的化合物制作陣列基板，具體來(lái)說(shuō)，借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，然后在基板上沉積得到期望的薄膜，并且需要襯底較高的溫度，其中，如圖1(a)所示，利用PECVD沉積法制作的陣列基板的橫截面示意圖，其中陣列基板包括襯底1、柵極2、柵絕緣層3、數(shù)據(jù)線4、保護(hù)層5、像素電極6，從圖1(a)中可以看出陣列基板的表面平坦度較低，并且像素電極與柵線和數(shù)據(jù)線的交疊較小，圖1 (b)為利用PECVD沉積法制作的陣列基板的俯視圖。
[0003]綜上所述，目前現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的制作工藝較為復(fù)雜的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種陣列基板制作的方法、掩膜板、陣列基板以及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的制作工藝較為復(fù)雜的問(wèn)題。
[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板制作的方法，包括:
[0006]在形成源極和漏極的基板上涂覆負(fù)性有機(jī)膜；
[0007]通過(guò)掩膜板對(duì)涂覆有負(fù)性有機(jī)膜的基板進(jìn)行曝光，并對(duì)曝光后基板進(jìn)行顯影，去除過(guò)孔區(qū)域的負(fù)性有機(jī)膜；
[0008]對(duì)所述過(guò)孔區(qū)域中的過(guò)孔刻蝕區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成過(guò)孔；
[0009]在形成過(guò)孔后，形成氧化銦錫ITO像素電極。
[0010]由于在本發(fā)明實(shí)施例中采用的是在形成源極和漏極的基板上涂覆負(fù)性有機(jī)膜，與在形成源極和漏極的基板上采用PECVD沉積氮化硅的化合物相比，不僅簡(jiǎn)化了陣列基板的制作工藝，而且提高了陣列基板的開口率和透過(guò)率。
[0011]可選的，對(duì)涂覆有負(fù)性有機(jī)膜的基板進(jìn)行曝光，具體包括:
[0012]通過(guò)采用具有過(guò)孔圖案和ITO像素電極圖案的掩膜板，對(duì)涂覆有負(fù)性有機(jī)膜的基板進(jìn)行曝光；
[0013]其中，所述掩膜板中過(guò)孔圖案的區(qū)域?yàn)椴煌腹鈪^(qū)域，所述掩膜板中ITO像素電極圖案的區(qū)域?yàn)榘胪腹鈪^(qū)域，所述掩膜板中其它區(qū)域?yàn)橥腹鈪^(qū)域?？蛇x的，形成ITO像素電極，具體包括:
[0014]沉積氧化銦錫ITO ；
[0015]在沉積ITO的基板上，涂覆光刻膠；
[0016]通過(guò)采用所述具有過(guò)孔圖案和ITO像素電極圖案的掩膜板，對(duì)涂覆光刻膠的基板進(jìn)行曝光，并對(duì)曝光后的基板進(jìn)行顯影和刻蝕，形成ITO像素電極。由于在形成過(guò)孔的過(guò)程中和形成ITO像素電極的過(guò)程中，通過(guò)一張掩膜板進(jìn)行曝光，從而降低了陣列基板制作的成本，同時(shí)降低了工藝的流程和工藝的難度。
[0017]可選的，對(duì)所述過(guò)孔區(qū)域中的過(guò)孔刻蝕區(qū)域進(jìn)行刻蝕，具體包括:
[0018]對(duì)所述過(guò)孔區(qū)域中的過(guò)孔刻蝕區(qū)域進(jìn)行SiNx干法刻蝕；
[0019]對(duì)曝光后的基板進(jìn)行刻蝕，具體包括:
[0020]對(duì)曝光后的基板進(jìn)行濕法刻蝕?？蛇x的，所述負(fù)性有機(jī)膜為樹脂材料。
[0021]可選的，對(duì)所述過(guò)孔區(qū)域中的過(guò)孔刻蝕區(qū)域進(jìn)行刻蝕，具體包括:
[0022]對(duì)所述過(guò)孔區(qū)域中過(guò)孔刻蝕區(qū)域的柵絕緣層進(jìn)行刻蝕。
[0023]本發(fā)明提供了一種用于上述陣列基板制造方法的掩膜板，包括:
[0024]不透光區(qū)域、半透光區(qū)域和透光區(qū)域；
[0025]其中，不透光區(qū)域?qū)?yīng)過(guò)孔圖案；半透光區(qū)域?qū)?yīng)ITO像素電極圖案。
[0026]可選的，所述不透光區(qū)域由鉻膜制成，所述半透光區(qū)域由半透膜制成。
[0027]本發(fā)明提供了一種陣列基板，采用本發(fā)明實(shí)施例陣列基板制作方法制成的陣列基板。
[0028]本發(fā)明提供了一種顯示裝置，包括:本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板。
【附圖說(shuō)明】
[0029]圖1 (a)為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的橫截面示意圖；
[0030]圖1(b)為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的俯視示意圖；
[0031]圖2為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板制作方法的流程示意圖；
[0032]圖3(a)為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板制作的示意圖；
[0033]圖3(b)為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板制作的示意圖；
[0034]圖3(c)為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板制作的示意圖；
[0035]圖3(d)為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板制作的示意圖；
[0036]圖3(e)為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板制作的示意圖；
[0037]圖3(f)為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板制作的示意圖；
[0038]圖3(g)為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板制作的示意圖；
[0039]圖3(h)為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板制作的示意圖；
[0040]圖3(i)為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板制作的示意圖；
[0041]圖4(a)為本發(fā)明實(shí)施例掩膜板的示意圖；
[0042]圖4(b)為本發(fā)明實(shí)施例掩膜板的示意圖；
[0043]圖4(c)為本發(fā)明實(shí)施例掩膜板的示意圖；
[0044]圖5(a)為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板的橫截面示意圖；
[0045]圖5(b)為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板的俯視圖；
[0046]圖6為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板的制作方法流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0047]本發(fā)明實(shí)施例在形成源極和漏極的基板上涂覆負(fù)性有機(jī)膜；通過(guò)掩膜板對(duì)涂覆有負(fù)性有機(jī)膜的基板進(jìn)行曝光，并對(duì)曝光后基板進(jìn)行顯影，去除過(guò)孔區(qū)域的負(fù)性有機(jī)膜；對(duì)過(guò)孔區(qū)域中的過(guò)孔刻蝕區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成過(guò)孔；在形成過(guò)孔后，形成氧化銦錫ITO像素電極。這種技術(shù)方案由于采用的是在形成源極和漏極的基板上涂覆負(fù)性有機(jī)膜，與在形成源極和漏極的基板上采用PECVD沉積氮化硅的化合物相比，不僅簡(jiǎn)化了陣列基板的制作工藝，而且提高了陣列基板的開口率和透過(guò)率。
[0048]下面結(jié)合說(shuō)明書附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0049]如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例陣列基板的制作方法，包括:
[0050]步驟200，在形成源極和漏極的基板上涂覆負(fù)性有機(jī)膜；
[0051]步驟201，通過(guò)掩膜板對(duì)涂覆有負(fù)性有機(jī)膜的基板進(jìn)行曝光，并對(duì)曝光后基板進(jìn)行顯影，去除過(guò)孔區(qū)域的負(fù)性有機(jī)膜；
[0052]步驟202，對(duì)過(guò)孔區(qū)域中的過(guò)孔刻蝕區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成過(guò)孔；
[0053]步驟203，在形成過(guò)孔后，形成氧化銦錫ITO像素電極。
[0054]本發(fā)明陣列基板的制作方法適用于各種顯示模式的陣列基板的制作。
[0055]以圖3(a)為例進(jìn)行說(shuō)明，其中，圖3(a)為形成源漏極30后的陣列基板的橫截面示意圖。
[0056]在形成源極和漏極30后的基板上涂覆負(fù)性有機(jī)膜，一種可選的負(fù)性有機(jī)膜的材料為樹脂，得到如圖3(b)所示的基板。
[0057]需要說(shuō)明的是，在形成源極和漏極30的基板上涂覆負(fù)性有機(jī)膜，是將基板的上表面全部涂覆負(fù)性有機(jī)膜，并使得基板的上表面平整，如圖3(b)所示。
[0058]然后，通過(guò)有過(guò)孔圖案的掩膜板對(duì)圖3(b)所示的基板進(jìn)行曝光，由于負(fù)性有機(jī)膜受到光照則不會(huì)在顯影工藝中被溶解，而未被光照的負(fù)性有機(jī)膜則在顯影工藝中溶解，因此掩膜板中過(guò)孔圖案的區(qū)域?yàn)椴煌腹鈪^(qū)域，過(guò)孔區(qū)域以外的區(qū)域?yàn)橥腹鈪^(qū)域，其中，有過(guò)孔圖案的掩膜板可以為僅有過(guò)孔圖案40的掩膜板，其中41為石英玻璃，如圖4(a)所示，也可以為包括過(guò)孔圖案和像素電極圖案的掩膜板如圖4(b)所示，其中圖4(b)的掩膜板過(guò)孔部分被鉻膜覆蓋，即過(guò)孔圖案40為不透光區(qū)域，像素電極部分被半透膜覆蓋，為半透光區(qū)域42 ο<