br>[0059]其中，基板上的過(guò)孔區(qū)域?qū)?yīng)于掩膜板上的過(guò)孔圖案的區(qū)域，基板上像素電極所在的區(qū)域?qū)?yīng)于掩膜板上像素電極圖案的區(qū)域。
[0060]以圖4 (b)掩膜板為例進(jìn)行說(shuō)明，當(dāng)光透過(guò)如圖4 (b)的掩膜板對(duì)如圖3 (b)的陣列基板進(jìn)行光照，以及對(duì)光照后陣列基板顯影，得到如圖3(c)所示的基板，其中31和32為過(guò)孔區(qū)域。
[0061]在得到如圖3(c)所示的基板后，31為過(guò)孔刻蝕區(qū)域，可選的，將過(guò)孔刻蝕區(qū)域的柵絕緣層刻蝕，露出柵極，以使柵極與像素電極接觸，從而形成過(guò)孔，如圖3(d)所示，其中，在本發(fā)明實(shí)施例中刻蝕柵絕緣層所采用的刻蝕方法為SiNx干法刻蝕。
[0062]在形成過(guò)孔的陣列基板上，采用PECVD沉積ΙΤ0，得到如圖3(e)所示的基板，在沉積的ITO上涂覆一層光刻膠，如圖3(f)所示，由于光刻膠在光照后顯影被溶解，而未被光照射的光刻膠在顯影后不被溶膠，因此，在曝光和顯影后得到如圖3(g)所示的基板，具體來(lái)說(shuō)，在曝光過(guò)程中，所采用的掩膜板可以為如圖4(b)所示的掩膜板，也可以為如圖4(c)所示的僅具有像素電極圖案的掩膜板，當(dāng)采用如圖4(b)所示的掩膜板時(shí)，兩次曝光過(guò)程可以采用同一張掩膜板，不僅節(jié)省了一張掩膜板，同時(shí)降低了曝光機(jī)的容量負(fù)擔(dān)，并且降低了成本。
[0063]然后，對(duì)未被光刻膠覆蓋的ITO進(jìn)行刻蝕，得到如圖3(h)所示的基板，其中對(duì)未被光刻膠覆蓋的ITO進(jìn)行刻蝕所采用的刻蝕的方法為濕法刻蝕。
[0064]最后，將光刻膠與陣列基板分離，形成像素電極，得到最終需要的陣列基板，如圖3(i)所示。
[0065]以圖1(a)中的陣列基板為例對(duì)本發(fā)明的陣列基板制作方法進(jìn)行說(shuō)明，當(dāng)在圖1(a)中的陣列基板形成源極和漏極后，采用圖2所示的陣列基板的制作方法，得到如圖5(a)所示的陣列基板，通過(guò)對(duì)比圖5(a)和圖1 (a)，可以看出，采用本發(fā)明實(shí)施例制作方法得到的陣列基板表面較為平坦，其俯視圖如圖5(b)所示，其中圖1(b)為采用現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板的制作方法得到陣列基板的俯視圖，通過(guò)對(duì)比圖5(b)和圖1(b)可以看出，通過(guò)采用本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制作方法，不僅降低了成本，而且提高了陣列基板的開口率和透過(guò)率。
[0066]如圖6所示，本發(fā)明實(shí)施例陣列基板的制作方法，包括:
[0067]步驟600，在形成源極和漏極的基板上涂覆負(fù)性有機(jī)膜。
[0068]步驟601，通過(guò)采用具有過(guò)孔圖案和像素電極圖案的掩膜板，對(duì)涂覆負(fù)性有機(jī)膜的陣列基板進(jìn)行曝光，并在曝光后進(jìn)行顯影和刻蝕，形成過(guò)孔。
[0069]步驟602，在形成過(guò)孔的基板上，沉積氧化銦錫ΙΤ0。
[0070]步驟603，涂覆光刻膠，通過(guò)采用所述具有過(guò)孔圖案和像素電極圖案的掩膜板，對(duì)涂覆光刻膠的基板進(jìn)行曝光，并對(duì)曝光后的基板進(jìn)行顯影和刻蝕，形成ITO像素電極，本流程結(jié)束。
[0071]如圖4(b)所示，本發(fā)明實(shí)施例的一種用于上述陣列基板制作方法的掩膜板，包括:
[0072]不透光區(qū)域40、半透光區(qū)域42和透光區(qū)域41 ；
[0073]其中，不透光區(qū)域?qū)?yīng)過(guò)孔的圖案；半透光區(qū)域?qū)?yīng)ITO像素電極的圖案。
[0074]可選的，不透光區(qū)域42由鉻膜制成，半透光區(qū)域41由半透膜制成。
[0075]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板。由于該陣列基板對(duì)應(yīng)于本發(fā)明實(shí)施例陣列基板的制作方法，因此該陣列基板的實(shí)施可以參見(jiàn)上述方法的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。
[0076]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列面板。該顯示裝置可以為:手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。由于該顯示裝置解決問(wèn)題的原理與顯示面板相似，因此該顯示裝置的實(shí)施可以參見(jiàn)顯示面板的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。
[0077]從上述內(nèi)容可以看出:本發(fā)明實(shí)施例在形成源極和漏極的基板上涂覆負(fù)性有機(jī)膜；通過(guò)掩膜板對(duì)涂覆有負(fù)性有機(jī)膜的基板進(jìn)行曝光，并對(duì)曝光后基板進(jìn)行顯影，去除過(guò)孔區(qū)域的負(fù)性有機(jī)膜；對(duì)過(guò)孔區(qū)域中的過(guò)孔刻蝕區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成過(guò)孔；在形成過(guò)孔后，形成氧化銦錫ITO像素電極。這種技術(shù)方案由于采用的是在形成源極和漏極的基板上涂覆負(fù)性有機(jī)膜，與在形成源極和漏極的基板上采用PECVD沉積氮化硅的化合物相比，不僅簡(jiǎn)化了陣列基板的制作工藝，而且提高了陣列基板的開口率和透過(guò)率。
[0078]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板制作的方法，其特征在于，該方法包括: 在形成源極和漏極的基板上涂覆負(fù)性有機(jī)膜； 通過(guò)掩膜板對(duì)涂覆有負(fù)性有機(jī)膜的基板進(jìn)行曝光，并對(duì)曝光后基板進(jìn)行顯影，去除過(guò)孔區(qū)域的負(fù)性有機(jī)膜； 對(duì)所述過(guò)孔區(qū)域中的過(guò)孔刻蝕區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成過(guò)孔； 在形成過(guò)孔后，形成氧化銦錫ITO像素電極。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)涂覆有負(fù)性有機(jī)膜的基板進(jìn)行曝光，具體包括: 通過(guò)采用具有過(guò)孔圖案和ITO像素電極圖案的掩膜板，對(duì)涂覆有負(fù)性有機(jī)膜的基板進(jìn)tx曝光； 其中，所述掩膜板中過(guò)孔圖案的區(qū)域?yàn)椴煌腹鈪^(qū)域，所述掩膜板中ITO像素電極圖案的區(qū)域?yàn)榘胪腹鈪^(qū)域，所述掩膜板中其它區(qū)域?yàn)橥腹鈪^(qū)域。3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，形成ITO像素電極，具體包括: 沉積氧化銦錫ITO; 在沉積ITO的基板上，涂覆光刻膠； 通過(guò)采用所述具有過(guò)孔圖案和ITO像素電極圖案的掩膜板，對(duì)涂覆光刻膠的基板進(jìn)行曝光，并對(duì)曝光后的基板進(jìn)行顯影和刻蝕，形成ITO像素電極。4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，對(duì)所述過(guò)孔區(qū)域中的過(guò)孔刻蝕區(qū)域進(jìn)行刻蝕，具體包括: 對(duì)所述過(guò)孔區(qū)域中的過(guò)孔刻蝕區(qū)域進(jìn)行SiNx干法刻蝕； 對(duì)曝光后的基板進(jìn)行刻蝕，具體包括: 對(duì)曝光后的基板進(jìn)行濕法刻蝕。5.如權(quán)利要求1?3任一所述的方法，其特征在于，所述負(fù)性有機(jī)膜為樹脂材料。6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)所述過(guò)孔區(qū)域中的過(guò)孔刻蝕區(qū)域進(jìn)行刻蝕，具體包括: 對(duì)所述過(guò)孔區(qū)域中過(guò)孔刻蝕區(qū)域的柵絕緣層進(jìn)行刻蝕。7.一種用于權(quán)利要求1?6中任一所述方法的掩膜板，其特征在于，包括: 不透光區(qū)域、半透光區(qū)域和透光區(qū)域； 其中，不透光區(qū)域?qū)?yīng)過(guò)孔圖案；半透光區(qū)域?qū)?yīng)ITO像素電極圖案。8.如權(quán)利要求7所述的掩膜板，其特征在于，所述不透光區(qū)域由鉻膜制成，所述半透光區(qū)域由半透膜制成。9.一種陣列基板，其特征在于，采用權(quán)利要求1?6任一所述的方法制成。10.一種顯示裝置，其特征在于，包括:權(quán)利要求9所述的陣列基板。
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及陣列基板制作的方法、掩膜板、陣列基板和顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的制作工藝較為復(fù)雜的問(wèn)題。該方法包括：本發(fā)明實(shí)施例在形成源極和漏極的基板上涂覆負(fù)性有機(jī)膜；通過(guò)掩膜板對(duì)涂覆有負(fù)性有機(jī)膜的基板進(jìn)行曝光，并對(duì)曝光后基板進(jìn)行顯影，去除過(guò)孔區(qū)域的負(fù)性有機(jī)膜；對(duì)過(guò)孔區(qū)域中的過(guò)孔刻蝕區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成過(guò)孔；在形成過(guò)孔后，形成氧化銦錫ITO像素電極。這種技術(shù)方案由于采用的是在形成源極和漏極的基板上涂覆負(fù)性有機(jī)膜，與在形成源極和漏極的基板上采用PECVD沉積氮化硅的化合物相比，不僅簡(jiǎn)化了陣列基板的制作工藝，而且提高了陣列基板的開口率和透過(guò)率。
【IPC分類】H01L21/77, H01L27/12
【公開號(hào)】CN105185739
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510369476
【發(fā)明人】劉聰
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司
【公開日】2015年12月23日
【申請(qǐng)日】2015年6月26日