薄膜晶體管陣列基板的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管陣列基板的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)陣列面板是液晶顯示裝置的重要部件，薄膜晶體管通常作為開關(guān)或驅(qū)動(dòng)部件。低溫多晶硅薄膜晶體管因其具有畫面刷新速度快、亮度高和清晰度高等優(yōu)點(diǎn)而倍受關(guān)注。低溫多晶硅薄膜晶體管通常包括形成于基板上的緩沖層、多晶硅層、形成于多晶硅層上的柵極絕緣層、設(shè)置于柵極絕緣層上的柵極，以及源極和漏極。在多晶硅層上、且在源極和漏極之間形成一溝道，通常對(duì)所述溝道所對(duì)應(yīng)的多晶硅層的部位進(jìn)行摻雜，以調(diào)整薄膜晶體管的閾值電壓，另外，還需要對(duì)源極和漏極下方對(duì)應(yīng)的多晶硅的部位進(jìn)行重?fù)诫s，形成歐姆接觸層。在現(xiàn)有的低溫多晶硅技術(shù)中，上述兩個(gè)摻雜過(guò)程通常需要兩道光罩來(lái)完成，具體是:在所形成的多晶硅層上先涂布第一正性光阻，使用第一道光罩對(duì)所述第一正性光阻進(jìn)行曝光，使正對(duì)溝道的所述第一正性光阻分解，通過(guò)顯影，洗去正對(duì)所述溝道的所述第一正性光阻，露出所述溝道所對(duì)應(yīng)的多晶硅層的部位，進(jìn)而對(duì)所述溝道進(jìn)行摻雜；然后，再在所述多晶硅層上涂布第二正性光阻，使用第二道光罩對(duì)所述第二正性光阻進(jìn)行曝光、顯影，露出源極和漏極下方所對(duì)應(yīng)的多晶硅層的部位，并對(duì)其進(jìn)行重?fù)诫s，從而形成歐姆接觸層。這一制程中，只用正性光阻，共需要兩道光罩，制程繁瑣，光罩的制作成本極高，且兩道光罩比一道光罩更容易引入誤差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，提供一種薄膜晶體管陣列基板的制備方法，所述制備方法可以減少低溫多晶硅薄膜晶體管制程中使用的光罩?jǐn)?shù)目，降低成本的同時(shí)減少制程的誤差。
[0004]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
[0005]本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列基板的制備方法，包括以下步驟:
[0006]提供一基板；
[0007]在所述基板上沉積半導(dǎo)體層；
[0008]在所述半導(dǎo)體層上生成柵極絕緣層；
[0009]在所述柵極絕緣層上涂布第一光阻，通過(guò)一光罩對(duì)所述第一光阻進(jìn)行曝光，并顯影，以去除一部分所述第一光阻，露出部分所述柵極絕緣層；
[0010]對(duì)所露出的所述柵極絕緣層所對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜，形成薄膜晶體管的溝道區(qū)，再去掉其余的所述第一光阻；
[0011]在所述柵極絕緣層上涂布第二光阻，采用所述光罩對(duì)所述第二光阻進(jìn)行曝光，并顯影，只保留所述溝道區(qū)所對(duì)應(yīng)的所述第二光阻；
[0012]對(duì)所述半導(dǎo)體層進(jìn)行重?fù)诫s，形成歐姆接觸區(qū)，所述歐姆接觸區(qū)包括第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)，所述溝道區(qū)位于所述第一接觸區(qū)和所述第二接觸區(qū)之間；
[0013]在所述柵極絕緣層上形成柵極；
[0014]在所述歐姆接觸區(qū)上形成源極和漏極，所述源極和所述漏極分別位于所述第一接觸區(qū)和所述第二接觸區(qū)。
[0015]所述第一光阻和所述第二光阻的正負(fù)性相反。
[0016]其中，所述第一光阻為負(fù)性光阻，所述第二光阻為正性光阻，所述光罩對(duì)應(yīng)于所述溝道區(qū)以外的部位為透光區(qū)，曝光時(shí)紫外光透過(guò)所述透光區(qū)。
[0017]其中，所述第一光阻為正性光阻，所述第二光阻為負(fù)性光阻，所述光罩對(duì)應(yīng)于所述溝道區(qū)的部位為透光區(qū)，曝光時(shí)紫外光透過(guò)所述透光區(qū)。
[0018]其中，所述半導(dǎo)體層為多晶硅層、鍺層或砷化鎵層。
[0019]其中，在所述步驟“提供一基板”和所述步驟“在所述基板上沉積半導(dǎo)體層”之間還包括以下步驟:
[0020]在所述基板上沉積一緩沖層。
[0021 ] 其中，所述柵極絕緣層的材質(zhì)為硅的氮化物、硅的氧化物或者硅的氮氧化物。
[0022]其中，所述步驟“在所述柵極絕緣層上形成柵極”包括以下步驟:
[0023]采用物理氣相沉積法在所述柵極絕緣層上沉積一金屬層；
[0024]采用覆膜、曝光、顯影、蝕刻等制程處理所述金屬層，形成所述柵極。
[0025]其中，所述柵極的材質(zhì)為鋁、鎢、硅化鎢、釹、鉻、鉬、銀和銅之中的至少一種。
[0026]其中，所述步驟“在所述歐姆接觸區(qū)上形成源極和漏極，所述源極和所述漏極分別位于所述第一接觸區(qū)和所述第二接觸區(qū)”包括以下步驟:
[0027]對(duì)所述柵極絕緣層進(jìn)行圖形化處理，使需要形成所述源極和所述漏極的區(qū)域鏤空而露出所述歐姆接觸區(qū)；
[0028]在所述柵極絕緣層和所露出的所述歐姆接觸區(qū)上沉積一源漏極金屬層；
[0029]形成所述源極和所述漏極。
[0030]其中，在所述步驟“在所述歐姆接觸區(qū)上形成源極和漏極，所述源極和所述漏極分別位于所述第一接觸區(qū)和所述第二接觸區(qū)”之后還包括以下步驟:
[0031]在形成所述源極和所述漏極的基板上形成一連續(xù)的鈍化層；
[0032]在所述鈍化層上形成過(guò)孔；
[0033]在形成所述過(guò)孔的所述鈍化層上形成像素電極，所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔與所述源極連接。
[0034]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明至少具有以下有益效果:本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制備方法中，在對(duì)溝道區(qū)和歐姆接觸區(qū)進(jìn)行摻雜時(shí)，分別使用正負(fù)性相反的第一光阻和第二光阻，從而實(shí)現(xiàn)采用同一道光罩進(jìn)行曝光。光罩的制作成本極高，本發(fā)明采用一道光罩，與現(xiàn)有技術(shù)采用兩道光罩相比，極大程度降低了成本；同時(shí)，由于只采用一道光罩，兩次對(duì)位相同，因而減小了制程的誤差。
【附圖說(shuō)明】
[0035]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0036]圖1是本發(fā)明實(shí)施例中薄膜晶體管陣列基板的制備方法的流程圖；
[0037]圖2是本發(fā)明實(shí)施例中沉積半導(dǎo)體層時(shí)薄膜晶體管陣列基板的示意圖；
[0038]圖3是本發(fā)明實(shí)施例中生成圖形化半導(dǎo)體層和柵極絕緣層時(shí)薄膜晶體管陣列基板的不意圖；
[0039]圖4至圖6是本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)溝道區(qū)進(jìn)行摻雜的過(guò)程示意圖；
[0040]圖7至圖9是本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)歐姆接觸區(qū)進(jìn)行摻雜的過(guò)程示意圖；
[0041]圖10是本發(fā)明實(shí)施例中形成柵極時(shí)薄膜晶體管陣列基板的示意圖；
[0042]圖11和圖12是本發(fā)明實(shí)施例中形成源極和漏極的過(guò)程示意圖；
[0043]圖13是本發(fā)明實(shí)施例中形成鈍化層時(shí)薄膜晶體管陣列基板的示意圖；
[0044]圖14是本發(fā)明實(shí)施例中形成過(guò)孔時(shí)薄膜晶體管陣列基板的示意圖；
[0045]圖15是本發(fā)明實(shí)施例中形成像素電極和數(shù)據(jù)線時(shí)薄膜晶體管陣列基板的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0046]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0047]此外，以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖示，用以