像素結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種具有儲(chǔ)存電容器的像素結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]平面顯示器具有體積小、重量輕、低消耗功率等優(yōu)點(diǎn)，因此已取代陰極射線管(Cathode Ray Tube, CRT)成為新一代顯示器的主流。然而，隨平面顯示技術(shù)發(fā)展日益成熟，使用者對(duì)于平面顯示器的要求不再只是體積、重量等，使用者對(duì)顯示品質(zhì)的要求也日益提高，而平面顯示器的顯示品質(zhì)與其像素結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)有很大的關(guān)系。
[0003]—般而言，像素結(jié)構(gòu)包括有主動(dòng)元件、像素電極以及儲(chǔ)存電容器。主動(dòng)元件是用來作為像素結(jié)構(gòu)的開關(guān)元件。像素電極用以提供驅(qū)動(dòng)顯示介質(zhì)的操作電壓。儲(chǔ)存電容器用以保持(holding)像素電極的操作電壓。當(dāng)儲(chǔ)存電容不足的情況下，則像素電極的操作電壓無法保持至下次主動(dòng)元件開啟，意即，像素電極的操作電壓會(huì)低于預(yù)定值而造成顯示異常。有鑒于此，為了維持一定的顯示品質(zhì)，像素結(jié)構(gòu)中的儲(chǔ)存電容器必須具有足夠的電容值以確保操作電壓的維持。
[0004]使儲(chǔ)存電容器具有足夠的電容值的一種技術(shù)手段是使其電極具有足夠的面積。然而，儲(chǔ)存電容器的電極通常是以不透明的材質(zhì)來制作，當(dāng)儲(chǔ)存電容器的電極面積越大，則像素電極的開口率就越小，進(jìn)而導(dǎo)致平面顯示器亮度不足影響顯示品質(zhì)。因此，如何在保有良好的開口率的情況下有效提升儲(chǔ)存電容器的電容值，是當(dāng)前亟待解決的課題之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，其可在保有良好的開口率的情況下有效提升儲(chǔ)存電容器的電容值。
[0006]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，包括金屬氧化物半導(dǎo)體層、第一絕緣層、第二絕緣層、第一導(dǎo)電層、保護(hù)層、第二導(dǎo)電層以及像素電極。金屬氧化物半導(dǎo)體層包括第一半導(dǎo)體圖案以及第二半導(dǎo)體圖案，其中第一半導(dǎo)體圖案包括第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)以及通道區(qū)，且第一摻雜區(qū)及第二摻雜區(qū)分別位于通道區(qū)的兩側(cè)。第二半導(dǎo)體圖案包含接觸區(qū)及電極區(qū)。第一絕緣層包括第一柵極絕緣圖案以及第一電容介電圖案，第一柵極絕緣圖案位于第一半導(dǎo)體圖案上，第一電容介電圖案位于第二半導(dǎo)體圖案上。第二絕緣層包括第二柵極絕緣圖案以及第二電容介電圖案，第二柵極絕緣圖案位于第一柵極絕緣圖案上，第二電容介電圖案位于第一電容介電圖案上。第一導(dǎo)電層包括柵極以及第一電極，柵極位于第二柵極絕緣圖案上，第一電極位于第二電容介電圖案上。第一半導(dǎo)體圖案的第一摻雜區(qū)及第二摻雜區(qū)被暴露出來，且第二半導(dǎo)體層的接觸區(qū)被暴露出來。保護(hù)層覆蓋金屬氧化半導(dǎo)體層以及第一導(dǎo)電層，且保護(hù)層具有第一開口暴露出第二電極、第二開口暴露出第一電極、第三開口暴露出接觸區(qū)及第四開口暴露出第一電極。第二導(dǎo)電層位于保護(hù)層上，第二導(dǎo)電層包括第一電極、第二電極以及與第二電極連接的第二電極，該第一電極透過第二開口與第一半導(dǎo)體圖案的第一摻雜區(qū)電性連接，第二電極透過第一開口與第一半導(dǎo)體圖案的第二摻雜區(qū)電性連接，第二電極透過第三開口與第二半導(dǎo)體圖案的接觸區(qū)電性連接，且第二電極與第一電極部分重疊設(shè)置，其中柵極、第一電極以及第二電極構(gòu)成主動(dòng)元件，且第二半導(dǎo)體圖案與第一電極部分重疊且親合而成第一儲(chǔ)存電容，以及第一電極與第二電極部分重疊且親合而成第二儲(chǔ)存電容器。像素電極與第二電極電性連接。
[0007]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，包括金屬氧化物半導(dǎo)體層、第一絕緣層、第二絕緣層、導(dǎo)電圖案、第一導(dǎo)電層、保護(hù)層、第二導(dǎo)電層以及像素電極。金屬氧化物半導(dǎo)體層包括第一半導(dǎo)體圖案以及第二半導(dǎo)體圖案，其中第一半導(dǎo)體圖案包括第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)以一通道區(qū)，第一摻雜區(qū)及第二摻雜區(qū)分別位于通道區(qū)的兩側(cè)，第二半導(dǎo)體圖案包含接觸區(qū)及電極區(qū)。第一絕緣層包括第一柵極絕緣圖案以及第一電容介電圖案，第一柵極絕緣圖案位于第一半導(dǎo)體圖案上，第一電容介電圖案位于第二半導(dǎo)體圖案上。第二絕緣層包括第二柵極絕緣圖案以及第二電容介電圖案，第二柵極絕緣圖案位于第一柵極絕緣圖案上，第二電容介電圖案位于第一電容介電圖案上。導(dǎo)電圖案設(shè)置在第二半導(dǎo)體圖案上方，且夾于第一電容介電圖案以及第二電容介電圖案之間。第一導(dǎo)電層包括柵極以及第一電極，柵極位于第二柵極絕緣圖案上，第一電極位于第二電容介電圖案上。第一半導(dǎo)體圖案的第一摻雜區(qū)及第二摻雜區(qū)被暴露出來，且第二半導(dǎo)體層的接觸區(qū)被暴露出來。保護(hù)層覆蓋金屬氧化半導(dǎo)體層以及第一導(dǎo)電層，且保護(hù)層具有第一開口暴露出第二電極、第二開口暴露出第一電極、第三開口暴露出接觸區(qū)及第四開口暴露出第一電極。第二導(dǎo)電層位于保護(hù)層上，第二導(dǎo)電層包括第一電極、第二電極，第一電極透過第二開口與第一半導(dǎo)體圖案的第一摻雜區(qū)電性連接，第二電極透過第一開口與第一半導(dǎo)體圖案的第二摻雜區(qū)電性連接，其中柵極、第一電極以及第二電極構(gòu)成主動(dòng)元件，第二電極透過第三開口與第二半導(dǎo)體圖案的接觸區(qū)電性連接，且第二半導(dǎo)體圖案與導(dǎo)電圖案部分重疊且耦合而成儲(chǔ)存電容器，以及導(dǎo)電圖案與第一電極部分重疊且耦合而成儲(chǔ)存電容器。像素電極與第二電極電性連接。
[0008]基于上述，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的儲(chǔ)存電容器是由多個(gè)電極或?qū)щ妶D案以彼此堆疊的方式實(shí)現(xiàn)，故可在具有良好的開口率的情況下有效提升儲(chǔ)存電容器的電容值。
[0009]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0010]圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的等效電路示意圖。
[0011]圖2是本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0012]圖3是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的剖面示意圖。
[0013]圖4是本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0014]圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的剖面示意圖。
[0015]圖6是本發(fā)明又一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0016]圖7是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的剖面示意圖。
[0017]圖8是本發(fā)明再一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0018]圖9是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的剖面示意圖。
[0019]圖10是本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0020]圖11是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的剖面示意圖。
[0021]圖12是本發(fā)明又一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0022]圖13是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的剖面示意圖。
[0023]圖14是本發(fā)明再一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0024]圖15是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的剖面示意圖。
[0025]其中，附圖標(biāo)記:
[0026]100:基板
[0027]200:金屬氧化物半導(dǎo)體層
[0028]220:第一半導(dǎo)體圖案
[0029]222:第一摻雜區(qū)
[0030]224:第二摻雜區(qū)
[0031]226:通道區(qū)
[0032]240:第二半導(dǎo)體圖案
[0033]242:接觸區(qū)
[0034]244:電極區(qū)
[0035]300:第一絕緣層
[0036]320:第一柵極絕緣圖案
[0037]340:第一電容介電圖案
[0038]400:第二絕緣層
[0039]420:第二柵極絕緣圖案
[0040]440:第二電容介電圖案
[0041]500:第一導(dǎo)電層
[0042]520:柵極
[0043]540a、540b:第一電極
[0044]600a、600c、600f、800、1000:保護(hù)層
[0045]602a、602c、602f、802、1002:開口
[0046]700:第二導(dǎo)電層
[0047]722:第一電極
[0048]724:第二電極
[0049]742a、742b:第二電極
[0050]744a、744b、744e，744g:連接部
[0051]900:第三導(dǎo)電層
[0052]1100;有機(jī)層
[0053]1200:第四導(dǎo)電層
[0054]1300:導(dǎo)電圖案
[0055]Cst、Cl、C2、C3、C4、C5、C6、C7:儲(chǔ)存電容器
[0056]C11、C21、C31、C41、C51、C61、C71:第一子儲(chǔ)存電容器
[0057]C12、C22、C32、C42、C52、C62、C72:第二子儲(chǔ)存電容器
[0058]C23、C33、C43、C53、C63、C73:第三子儲(chǔ)存電容器
[0059]C44、C54、C64、C74:第四子儲(chǔ)存電容器
[0060]D1、D2:第二電極
[0061]G1、G2:柵極
[0062]01、02、03、04、05、06:有機(jī)發(fā)光二極管
[0063]OLED:有機(jī)發(fā)光二極管
[0064]S1、S2:第一電極
[0065]Tl:主動(dòng)元件
[0066]Ta:開關(guān)薄膜晶體管
[0067]Tb:驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管
[0068]Vcom:共同線
[0069]Vdd:電源線
[0070]Xn:掃描線
[0071]Yn:數(shù)據(jù)線
【具體實(shí)施方式】
[0072]圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的等效電路示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的像素結(jié)構(gòu)包括有機(jī)發(fā)光二極管0LED、數(shù)據(jù)線Yn、掃描線Χη、開關(guān)薄膜晶體管Ta、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Tb以及儲(chǔ)存電容器Cst。開關(guān)薄膜晶體管Ta的柵極Gl耦接至掃描線Xn，第一電極SI耦接至數(shù)據(jù)線Yn，且第二電極Dl耦接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Tb的柵極G2。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Tb的第二電極D2耦接至有機(jī)發(fā)光二極管0LED，第一電極S2