一種構(gòu)圖方法、陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示器制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種構(gòu)圖方法、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在顯示面板的陣列基板的制備過程中常常會(huì)用到構(gòu)圖工藝，一次光刻工藝通常包括:清洗、成膜、曝光、顯影、刻蝕、剝離等等工序。其中，刻蝕是指:在采用化學(xué)溶液或腐蝕性氣體或等離子體除去基片內(nèi)或基片表面膜層中不需要的部分的工藝。通常主要用化學(xué)溶液進(jìn)行刻蝕的方法為濕法刻蝕，采用腐蝕性氣體或等離子體進(jìn)行刻蝕的方法為干法刻蝕。
[0003]—方面，在使用等離子體刻蝕法對(duì)不同面積的圖形進(jìn)行刻蝕時(shí)，面積較大的刻蝕區(qū)域等離子體消耗較快，刻蝕速度較慢，而面積較小的刻蝕區(qū)域等離子體消耗較慢，刻蝕速度較快，這最終會(huì)導(dǎo)致面積較大的刻蝕區(qū)域的刻蝕深度較淺，而面積較小的刻蝕區(qū)域的刻蝕深度較深，這種刻蝕深度不同的現(xiàn)象稱為刻蝕過程的負(fù)載效應(yīng)。由于刻蝕過程中的負(fù)載效應(yīng)，在圖案的刻蝕過程可能會(huì)造成圖案的過度刻蝕或者刻蝕不足。另一方面，在刻蝕時(shí)不同的圖案對(duì)刻蝕的深度的要求可能不同，而現(xiàn)有技術(shù)中是通過統(tǒng)一的刻蝕時(shí)間控制刻蝕深度，這樣若刻蝕時(shí)間過長則會(huì)造成深度要求較淺的圖案過度刻蝕，若刻蝕時(shí)間較短則會(huì)造成深度要求較深的圖案刻蝕不足。所以如何在刻蝕過程中實(shí)現(xiàn)刻蝕深度的控制，避免刻蝕過程中出現(xiàn)刻蝕不足或過度刻蝕是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種構(gòu)圖方法、陣列基板及顯示裝置，用于在刻蝕過程中實(shí)現(xiàn)刻蝕深度的控制，避免刻蝕過程中出現(xiàn)刻蝕不足或過度刻蝕。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0006]第一方面，提供一種構(gòu)圖方法，包括:
[0007]在襯底基板上形成待刻蝕膜層，所述待刻蝕膜層包括第一刻蝕區(qū)域和第二刻蝕區(qū)域，
[0008]在所述待刻蝕膜層上涂覆光刻膠；
[0009]在所述光刻膠上方設(shè)置掩膜版并對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光；所述掩膜版上與第一刻蝕區(qū)域相對(duì)應(yīng)的區(qū)域的透光率為第一透光率，所述掩膜版上與第二刻蝕區(qū)域相對(duì)應(yīng)的區(qū)域的透光率為第二透光率；
[0010]對(duì)所述曝光后的光刻膠進(jìn)行顯影并對(duì)所述待刻蝕膜層進(jìn)行刻蝕；
[0011]其中，所述第一透光率不等于所述第二透光率。
[0012]可選的，所述對(duì)所述待刻蝕膜層進(jìn)行刻蝕包括:通過等離子體刻蝕法對(duì)所述待刻蝕膜層進(jìn)行刻蝕。
[0013]可選的，所述第一刻蝕區(qū)域的預(yù)設(shè)刻蝕深度等于所述第二刻蝕區(qū)域的預(yù)設(shè)刻蝕深度，所述第一刻蝕區(qū)域的刻蝕面積大于所述第二刻蝕區(qū)域的刻蝕面積；
[0014]所述第一透光率大于所述第二透光率。
[0015]可選的，所述第一刻蝕區(qū)域的預(yù)設(shè)刻蝕深度小于所述第二刻蝕區(qū)域的預(yù)設(shè)刻蝕深度，所述第一刻蝕區(qū)域的刻蝕面積大于所述第二刻蝕區(qū)域的刻蝕面積；
[0016]刻蝕過程中的負(fù)載效應(yīng)帶來的第二刻蝕區(qū)域的刻蝕深度與第一刻蝕區(qū)域的刻蝕深度的深度差為第一刻蝕深度差；第二刻蝕區(qū)域的預(yù)設(shè)刻蝕深度與第一刻蝕區(qū)域的預(yù)設(shè)刻蝕深度的深度差為第二刻蝕深度差；
[0017]當(dāng)?shù)谝豢涛g深度差小于第二刻蝕深度差，則所述第一透光率小于所述第二透光率;
[0018]當(dāng)?shù)谝豢涛g深度差大于第二刻蝕深度差，則所述第一透光率大于所述第二透光率。
[0019]可選的，所述待刻蝕膜層還包括第三刻蝕區(qū)域；所述第三刻蝕區(qū)域的刻蝕深度等于所述第一刻蝕區(qū)域的刻蝕深度以及所述第二刻蝕區(qū)域的刻蝕深度；所述掩膜版上與第三刻蝕區(qū)域相對(duì)應(yīng)的區(qū)域的透光率為第三透光率；
[0020]所述第三刻蝕區(qū)域的刻蝕面積小于所述第一刻蝕區(qū)域的刻蝕面積且大于所述第二刻蝕區(qū)域的刻蝕面積，所述第三透光率小于所述第一透光率且大于所述第二透光率。
[0021]可選的，所述在襯底基板上形成待刻蝕膜層包括:通過蒸鍍技術(shù)或?yàn)R射技術(shù)在襯底基板上形成待刻蝕膜層。
[0022]可選的，所述待刻蝕膜層的材料為銦錫氧化物。
[0023]第二方面，提供一種陣列基板，通過第一方面任一項(xiàng)所述的構(gòu)圖方法制作形成。
[0024]可選的，所述陣列基板包括:多晶硅薄膜晶體管陣列基板。
[0025]第三方面，提供一種顯示裝置，包括第二方面任一項(xiàng)所述的陣列基板。
[0026]本發(fā)明實(shí)施例提供的構(gòu)圖方法，首先在襯底基板上形成待刻蝕膜層，其次在待刻蝕膜層上涂覆光刻膠，然后在光刻膠上方設(shè)置掩膜版并對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，最后對(duì)曝光后的光刻膠進(jìn)行顯影并對(duì)待刻蝕膜層進(jìn)行刻蝕，因?yàn)榇涛g膜層包括第一刻蝕區(qū)域和第二刻蝕區(qū)域，掩膜版上與第一刻蝕區(qū)域相對(duì)應(yīng)的區(qū)域的透光率為第一透光率，掩膜版上與第二刻蝕區(qū)域相對(duì)應(yīng)的區(qū)域的透光率為第二透光率，而且第一透光率不等于第二透光率，所以顯影后第一刻蝕區(qū)域光刻膠的厚度不等于第二刻蝕區(qū)域光刻膠的厚度，刻蝕時(shí)首先刻蝕待刻蝕膜層上方的光刻膠，然后再刻蝕第一刻蝕區(qū)域和第二刻蝕區(qū)域的待刻蝕膜層，所以可以通過控制光透過率控制光刻膠厚度，進(jìn)而控制不同刻蝕區(qū)域在刻蝕過程中的刻蝕深度，避免了刻蝕過程中出現(xiàn)刻蝕不足或過度刻蝕。
【附圖說明】
[0027]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0028]圖1為本發(fā)明的實(shí)施例提供的構(gòu)圖方法的步驟流程圖；
[0029]圖2為本發(fā)明的實(shí)施例提供的襯底基板和待刻蝕膜層的示意性結(jié)構(gòu)圖；
[0030]圖3為本發(fā)明的實(shí)施例提供的光刻膠的示意性結(jié)構(gòu)圖；
[0031]圖4為本發(fā)明的實(shí)施例提供的掩膜版的示意性結(jié)構(gòu)圖；
[0032]圖5為本發(fā)明的實(shí)施例提供的顯影后光刻膠的形成圖案的示意圖；
[0033]圖6為本發(fā)明的實(shí)施例提供的刻蝕后待刻蝕膜層形成的圖案的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0035]需要說明的是，為了便于清楚描述本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，在本發(fā)明的實(shí)施例中，采用了“第一”、“第二”等字樣對(duì)功能和作用基本相同的相同項(xiàng)或相似項(xiàng)進(jìn)行區(qū)分，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解“第一”、“第二”等字樣并不是在對(duì)數(shù)量和執(zhí)行次序進(jìn)行限定。
[0036]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種構(gòu)圖方法，具體的，參照?qǐng)D1所示，該構(gòu)圖方法包括如下步驟:
[0037]S101、在襯底基板上形成待刻蝕膜層，待刻蝕膜層包括第一刻蝕區(qū)域和第二刻蝕區(qū)域。
[0038]示例性的，參照?qǐng)D2所示，在襯底基板20上形成的待刻蝕膜層21包括:第一刻蝕區(qū)域211和第二刻蝕區(qū)域212。
[0039]需要說明的是，第一刻蝕區(qū)域211的刻蝕面積和第二刻蝕區(qū)域212的刻蝕面積分別是指第一刻蝕區(qū)域211內(nèi)需要進(jìn)行刻蝕的待刻蝕膜層的面積和第二刻蝕區(qū)域212內(nèi)需要進(jìn)行刻蝕的待刻蝕膜層的面積。示例性的，第一刻蝕區(qū)域211的刻蝕面積大于第二刻蝕區(qū)域212的刻蝕面積，可以為第一刻蝕區(qū)域21