像素驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種像素驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting D1de,0LED)作為一種電流型發(fā)光器件已越來越多地被應(yīng)用于高性能有源矩陣發(fā)光有機(jī)電致顯示管中。傳統(tǒng)的無源矩陣有機(jī)電致發(fā)光顯示管(Passive Matrix 0LED)隨著顯示尺寸的增大，需要更短的單個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)時(shí)間，因而需要增大瞬態(tài)電流，增加功耗。同時(shí)大電流的應(yīng)用會造成氧化銦錫金屬氧化物線上壓降過大，并使OLED工作電壓過高，進(jìn)而降低其效率。而有源矩陣有機(jī)電致發(fā)光顯示管(Active Matrix 0LED，AM0LED)通過開關(guān)晶體管逐行掃描輸入OLED電流，可以很好地解決這些問題。
[0003]在AMOLED的像素電路設(shè)計(jì)中，主要需要解決的問題是各AMOLED像素驅(qū)動(dòng)單元所驅(qū)動(dòng)的OLED器件亮度的非均勻性。
[0004]首先，AMOLED采用薄膜晶體管(Thin-Film Transistor, TFT)構(gòu)建像素驅(qū)動(dòng)單元為發(fā)光器件提供相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流?，F(xiàn)有技術(shù)中，大多采用低溫多晶硅薄膜晶體管或氧化物薄膜晶體管。與一般的非晶硅薄膜晶體管相比，低溫多晶硅薄膜晶體管和氧化物薄膜晶體管具有更高的遷移率和更穩(wěn)定的特性，更適合應(yīng)用于AMOLED顯示中。但是由于晶化工藝的局限性，在大面積玻璃基板上制作的低溫多晶硅薄膜晶體管，常常在諸如閾值電壓、遷移率等電學(xué)參數(shù)上具有非均勻性，這種非均勻性會轉(zhuǎn)化為OLED器件的驅(qū)動(dòng)電流差異和亮度差異，并被人眼所感知，即色不均現(xiàn)象。氧化物薄膜晶體管雖然工藝的均勻性較好，但是與非晶硅薄膜晶體管類似，在長時(shí)間加壓和高溫下，其閾值電壓會出現(xiàn)漂移，由于顯示畫面不同，面板各部分薄膜晶體管的閾值漂移量不同，會造成顯示亮度差異，由于這種差異與之前顯示的圖像有關(guān)，因此常呈現(xiàn)為殘影現(xiàn)象。
[0005]由于OLED的發(fā)光器件是電流驅(qū)動(dòng)器件，因此，在驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光的像素驅(qū)動(dòng)單元中，其驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值特性對驅(qū)動(dòng)電流和最終顯示的亮度影響很大。驅(qū)動(dòng)晶體管受到電壓應(yīng)力和光照都會使其閾值發(fā)生漂移，這種閥值漂移會在顯示效果上體現(xiàn)為亮度不均。
[0006]另外，現(xiàn)有AMOLED的像素電路為了消除驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓差所造成的影響，通常會將像素電路的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的比較復(fù)雜，這會直接導(dǎo)致AMOLED的像素電路制作良品率的降低。
[0007]因此，為解決上述問題，本發(fā)明急需提供一種像素驅(qū)動(dòng)單元及其驅(qū)動(dòng)方法、像素電路。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008](一)要解決的技術(shù)問題
[0009]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:如何實(shí)現(xiàn)一種具有補(bǔ)償和消除驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓差所造成的顯示不均的能力的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路。
[0010](二)技術(shù)方案
[0011]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種像素驅(qū)動(dòng)電路，包括:數(shù)據(jù)線、柵線、第一電源線、第二電源線、參考信號線、發(fā)光器件、驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲電容、復(fù)位單元、數(shù)據(jù)寫入單元、補(bǔ)償單元及發(fā)光控制單元；
[0012]所述數(shù)據(jù)線用于提供數(shù)據(jù)電壓；
[0013]所述柵線用于提供掃描電壓；
[0014]所述第一電源線用于提供第一電源電壓，所述第二電源線用于提供第二電源電壓，所述參考信號線用于提供參考電壓；
[0015]所述復(fù)位單元連接所述參考信號線和存儲電容，用于復(fù)位所述存儲電容兩端的電壓為預(yù)定信號電壓；
[0016]所述數(shù)據(jù)寫入單元連接?xùn)啪€、數(shù)據(jù)線及所述存儲電容的第二端，用于向所述存儲電容的第二端寫入包括數(shù)據(jù)電壓的信息，
[0017]所述補(bǔ)償單元連接?xùn)啪€、存儲電容的第一端和驅(qū)動(dòng)晶體管，用于向存儲電容的第一端寫入包括驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓的信息以及第一電源電壓的信息；
[0018]所述發(fā)光控制單元連接所述參考信號線、所述存儲電容的第二端、驅(qū)動(dòng)晶體管和所述發(fā)光器件，用于向所述存儲電容的第二端寫入所述參考電壓，并控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光；
[0019]所述存儲電容的第一端連接驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極，用于將包括數(shù)據(jù)電壓的信息轉(zhuǎn)寫至驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極；
[0020]所述驅(qū)動(dòng)晶體管連接第一電源線，所述發(fā)光器件連接第二電源線，所述驅(qū)動(dòng)晶體管用于在發(fā)光控制單元的控制下根據(jù)包括所述數(shù)據(jù)電壓、驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓、參考電壓以及第一電源電壓的信息控制流向發(fā)光器件的電流大小。
[0021]其中，所述復(fù)位單元包括:復(fù)位控制線、復(fù)位信號線、第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管的柵極連接所述復(fù)位控制線、源極連接所述復(fù)位信號線、漏極連接所述存儲電容的第一端，所述第一晶體管用于將復(fù)位信號線電壓寫入所述存儲電容的第一端；所述第二晶體管的柵極連接所述復(fù)位控制線、源極連接所述參考信號線、漏極連接所述存儲電容的第二端，所述第二晶體管用于將參考電壓寫入所述存儲電容的第二端。
[0022]其中，所述第一晶體管和第二晶體管均為P型晶體管。
[0023]其中，所述數(shù)據(jù)寫入單元包括:第四晶體管，所述第四晶體管的柵極連接所述柵線、源極連接所述數(shù)據(jù)線、漏極連接所述存儲電容的第二端，所述第四晶體管用于將所述數(shù)據(jù)電壓寫入存儲電容的第二端。
[0024]其中，所述第四晶體管為P型晶體管。
[0025]其中，所述補(bǔ)償單元包括:第三晶體管，所述第三晶體管的柵極連接所述柵線、源極連接所述存儲電容的第一端、漏極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極，所述第三晶體管用于將包括驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓信息以及第一電源電壓的信息寫入所述存儲電容的第一端。
[0026]其中，所述第三晶體管為P型晶體管。
[0027]其中，所述發(fā)光控制單元包括:發(fā)光控制線、第五晶體管和第六晶體管；所述第五晶體管的柵極連接所述發(fā)光控制線、源極連接所述參考信號線、漏極連接所述存儲電容的第二端，所述第五晶體管用于將所述參考電壓寫入存儲電容的第二端，并由存儲電容轉(zhuǎn)寫至驅(qū)動(dòng)晶體管柵極；所述第六晶體管的柵極連接所述發(fā)光控制線、源極連接所述發(fā)光器件的第一端、漏極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極，所述第六晶體管用于控制發(fā)光器件發(fā)光，所述驅(qū)動(dòng)晶體管用于在發(fā)光控制單元的控制下根據(jù)包括所述數(shù)據(jù)電壓、驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓、第一電源電壓和參考電壓的信息控制流向發(fā)光器件的電流大小。
[0028]其中，所述第五晶體管和第六晶體管均為P型晶體管。
[0029]其中，所述驅(qū)動(dòng)晶體管為P型晶體管。
[0030]本發(fā)明還提供了一種上述任一項(xiàng)所述的像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，包括如下過程:
[0031]復(fù)位階段，所述復(fù)位單元復(fù)位所述存儲電容兩端的電壓為預(yù)定電壓；
[0032]數(shù)據(jù)電壓寫入階段，所述數(shù)據(jù)寫入單元向所述存儲電容的第二端寫入所述數(shù)據(jù)電壓，所述補(bǔ)償單元向存儲電容的第一端寫入包括驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓信息以及第一電源電壓信息；
[0033]發(fā)光階段，所述發(fā)光控制單元向所述存儲電容的第二端寫入所述參考電壓，所述存儲電容將包括數(shù)據(jù)電壓和參考電壓的信息轉(zhuǎn)寫至驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極，所述驅(qū)動(dòng)晶體管在發(fā)光控制單元的控制下根據(jù)包括所述數(shù)據(jù)電壓、驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓、參考電壓以及第一電源電壓的信息控制流向發(fā)光器件的電流大小，以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光。
[0034]其中，在所述復(fù)位階段，所述復(fù)位單元復(fù)位所述存儲電容兩端的電壓分別為復(fù)位信號線電壓和參考電壓。
[0035]本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括上述任一項(xiàng)所述的像素驅(qū)動(dòng)電路。
[0036]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0037](三)有益效果
[0038]本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)單元，通過驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和漏