專利名稱：像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)中共享配線的設(shè)計(jì)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今社會多媒體技術(shù)相當(dāng)發(fā)達(dá)，多半受惠于半導(dǎo)體組件與顯示裝置的進(jìn)步。就顯示器而言，具有高畫質(zhì)、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性的薄膜晶體管液晶顯示器(Thin film transistor liquid crystal display,TFT-LCD)已逐漸成為市場的主流。 一般而言，薄膜晶體管液晶顯示器是由一主動組件數(shù)組基板、一彩色濾光基板與夾于兩者之間的液晶層所構(gòu)成。其中，主動組件數(shù)組基板會具有多個(gè)像素結(jié)構(gòu)。
圖1是公知像素結(jié)構(gòu)的上視圖。請參考圖l，公知像素結(jié)構(gòu)IOO包括一基板110、一掃描線120、一數(shù)據(jù)線130、一共享配線140、一薄膜晶體管150與一像素電極160。其中，位于基板110上的薄膜晶體管150可與掃描線120與數(shù)據(jù)線130電性連接。實(shí)務(wù)上，開關(guān)訊號可以透過掃描線120的傳遞而將薄膜晶體管150開啟。在薄膜晶體管150開啟后，顯示訊號可以透過數(shù)據(jù)線130而傳遞至與薄膜晶體管150電性連接的像素電極160中。
值得注意的是，位于共享配線140旁的區(qū)域A很容易因研磨(Rubbing)不良而有漏光現(xiàn)象。詳言之，共享配線140會使覆蓋于其上方的膜層較為凸出，且共享配線140的延伸方向與配向制程的研磨方向R具有相當(dāng)?shù)牟町?。如此一來，?dāng)配向用的刷毛(未繪示)沿著研磨方向R進(jìn)行研磨時(shí)，配向用的刷毛并不易有效地對區(qū)域A進(jìn)行研磨，因此區(qū)域A很容易有研磨不良的問題。這會造成公知的像素結(jié)構(gòu)IOO會產(chǎn)生漏光以及對比降低的問題，實(shí)有改進(jìn)的必要。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，其可有效改善漏光問題且能具有良好的對比。 本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)，其包括一基板、一掃描線、一圖案化共享配線、一主動組件、一數(shù)據(jù)線、一保護(hù)層與一像素電極。掃描線、圖案化共享配線與主動組件皆配置于基板上。其中，主動組件具有一 向外延伸的絕緣層，以覆蓋掃描線與圖案化共享配線。此外，圖案化共享配線至少具有一第一側(cè)邊與一第二側(cè)邊。第一側(cè)邊的延伸方向與第二側(cè)邊的延伸方向夾一第一角度。另外，數(shù)據(jù)線配置于絕緣層上，且主動組件電性連接掃描線與數(shù)據(jù)線。本發(fā)明的保護(hù)層覆蓋主動組件。上述的像素電極配置于保護(hù)層上，且與主動組件電性連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一角度介于15度 60度之間。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的圖案化共享配線更包括二分支，分別連接于圖案化共享配線的兩端，以呈現(xiàn)出H形。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的圖案化共享配線更包括一分支，此分支的一端連接至圖案化共享配線的一端，以呈現(xiàn)出反L形。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的掃描線具有一第三側(cè)邊與一第四側(cè)邊，第三側(cè)邊
的延伸方向與第四側(cè)邊的延伸方向夾一第二角度。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的像素結(jié)構(gòu)，其中第二角度介于度15 60度之間。
本發(fā)明圖案化共享配線的第一側(cè)邊與第二側(cè)邊的延伸方向會夾一第一角度。通過改變所形成的第一角度，以避免圖案化共享配線的延伸方向與研磨(Rubbing)方向差異過大，進(jìn)而可改善配向不良的問題。此外，掃描線的第三側(cè)邊與第四側(cè)邊亦可形成一第二角度，以進(jìn)一步改善配向不良的問題。因此，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)可有效改善因配向不良而產(chǎn)生的漏光現(xiàn)象，進(jìn)而能有良好的對比。


圖1是公知像素結(jié)構(gòu)的上視 圖2A是本發(fā)明第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)示意 圖2B是圖2A中沿著I-I'剖面線的剖面示意 圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)示意 圖4是本發(fā)明第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖。 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。
具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例 圖2A是本發(fā)明第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖，而圖2B是圖2A中沿著剖面線的剖面示意圖。為了圖式的簡明，圖2A中省略了保護(hù)層與絕緣層的繪示，而保護(hù)層與絕緣層可清楚見于圖2B中。請同時(shí)參考圖2A與圖2B，本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)200包括一基板210、一掃描線220、一數(shù)據(jù)線230、一圖案化共享配線240、一主動組件250、一保護(hù)層260與一像素電極270。詳言之，如圖2B所示的主動組件250可包括一柵極250g、一絕緣層252、一通道層250c、一奧姆接觸層250m、一源極250s與一漏極250d。柵極250g配置于基板210上，且此柵極250g可以是圖2A中掃描線220的一部分。當(dāng)然，所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者應(yīng)知柵極250g也可以是掃描線220向外凸出的部分所形成，在此僅舉例說明并不刻意局限。 此外，絕緣層252會覆蓋此柵極250g以及圖2A中配置于基板210上的掃描線220與圖案化共享配線240。為了降低金屬材料與半導(dǎo)體材料之間的接觸阻抗，奧姆接觸層250m會配置于源極250s與通道層250c之間，以及漏極250d與通道層250c之間。這里要說明的是，圖2B所示的主動組件250為底柵極(Bottom gate)結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，當(dāng)然主動組件250也可以是雙載子晶體管或其它具有三端子的主動組件250，在此并不刻意限制。
此外，保護(hù)層260會覆蓋此主動組件250。其中，保護(hù)層260具有一接觸窗開口(Contact window) C。位于保護(hù)層260上的像素電極270可透過接觸窗開口 C，而與主動組件250的漏極250d電性連接。值得注意的是，圖案化共享配線240、像素電極270以及夾于兩者之間的膜層可構(gòu)成一儲存電容Cst。實(shí)務(wù)上，開關(guān)訊號可以透過掃描線220的傳遞而將主動組件250開啟。在主動組件250開啟后，顯示訊號可依序透過數(shù)據(jù)線230、源極250s與漏極250d而傳遞至像素電極270中。此外，像素結(jié)構(gòu)200可通過其儲存電容Cst的輔助， 而維持正常的顯示功能。 特別的是，如圖2A所示的圖案化共享配線240至少具有一第一側(cè)邊240a與一第 二側(cè)邊240b。第一側(cè)邊240a的延伸方向與第二側(cè)邊240b的延伸方向會夾一第一角度e 1。 在一實(shí)施例中，上述的第一角度9 1可介于15度 60度之間。如此一來，本發(fā)明可通過改 變第一角度9 1，便能有效縮小第二側(cè)邊240b的延伸方向與研磨方向R的差異，以使配向刷 毛(未繪示)能有效地對區(qū)域B進(jìn)行配向。因此，圖案化共享配線240旁的區(qū)域B便不會 有因配向不良而產(chǎn)生的漏光現(xiàn)象，進(jìn)而能使像素結(jié)構(gòu)200能有良好的對比。在一實(shí)施例中， 第二側(cè)邊240b的延伸方向也可藉由調(diào)整第一角度ei，而與研磨方向R完全一致。為了進(jìn) 一步改善配向不良的問題，本發(fā)明的掃描線220具有一第三側(cè)邊220a與一第四側(cè)邊220b。 第三側(cè)邊220a的延伸方向與第四側(cè)邊220b的延伸方向夾一第二角度9 2。在一實(shí)施例中， 此第二角度9 2可介于15度 60度之間。 值得一提的是，在開口率(Aperture ratio)不變的情況下，圖案化共享配線240 的面積可以藉由增加第一側(cè)邊240a與第二側(cè)邊240b之間的第一角度e 1而適當(dāng)增加，而 掃描線220的面積可相對減小。如此一來，如圖2B所示的儲存電容值便能有效提升，進(jìn)而 提高本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)200的顯示質(zhì)量。
第二實(shí)施例 第二實(shí)施例與第一實(shí)施例類似，相同之處不再贅述。兩者主要不同之處在于圖案 化共享配線的布局(Layout)。圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖。請參考圖3， 本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)300中圖案化共享配線240更包括二分支242、244。分支242、244可 分別連接于圖案化共享配線240的兩端以呈現(xiàn)出H形，進(jìn)而可有效提高像素結(jié)構(gòu)300的儲 存電容。 第三實(shí)施例 圖4是本發(fā)明第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖。請參考圖4，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu) 400至少包括一基板410、一掃描線420、一數(shù)據(jù)線430、一圖案化共享配線440、一主動組件 450與一像素電極470。其中，掃描線420與數(shù)據(jù)線430會與位于基板410上的主動組件 450電性連接，而主動組件450會透過接觸窗開口 C'而與像素電極270電性連接。
特別的是，圖案化共享配線440的布局也可如圖4所示。圖案化共享配線440至 少具有一第一側(cè)邊440a與一第二側(cè)邊440b，且第一側(cè)邊440a的延伸方向與第二側(cè)邊440b 的延伸方向會夾一第一角度9 1。在一實(shí)施例中，上述的第一角度9 1可介于15度 60度 之間。如此一來，通過改變第一角度ei，便能有效縮小第二側(cè)邊440b的延伸方向與研磨 方向R的差異，進(jìn)而有效改善配向不良的問題。此外，圖案化共享配線440更可包括一分支 446。此分支446的一端連接于圖案化共享配線440的一端，以呈現(xiàn)出反L形。這同樣可提 高像素結(jié)構(gòu)400的儲存電容。 綜上所述，本發(fā)明圖案化共享配線的第一側(cè)邊與第二側(cè)邊的延伸方向會夾第一角 度。藉由改變所形成的第一角度，以避免圖案化共享配線的延伸方向與研磨制程的方向差 異過大，進(jìn)而改善配向不良的問題。此外，掃描線的第三側(cè)邊與第四側(cè)邊亦可形成第二角 度，以進(jìn)一步改善配向不良的問題。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)可有效改善因配向不良而產(chǎn)生的漏 光現(xiàn)象，進(jìn)而能有良好的對比。
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雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù) 領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，因此 本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視申請專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種像素結(jié)構(gòu)，包括一基板；一掃描線，配置于該基板上；一圖案化共享配線，配置于該基板上，其中該圖案化共享配線至少具有一第一側(cè)邊與一第二側(cè)邊，該第一側(cè)邊的延伸方向與該第二側(cè)邊的延伸方向夾一第一角度；一主動組件，配置于該基板上，且該主動組件具有一向外延伸的絕緣層，以覆蓋該掃描線與該圖案化共享配線；一數(shù)據(jù)線，配置于該絕緣層上，其中該主動組件電性連接該掃描線與該數(shù)據(jù)線；一保護(hù)層，覆蓋該主動組件；以及一像素電極，配置于該保護(hù)層上，且與該主動組件電性連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一角度介于15度 60度之間。
3. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該圖案化共享配線更包括二分支，分別連接于 該圖案化共享配線的兩端，以呈現(xiàn)出H形。
4. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該圖案化共享配線更包括一分支，該分支的一 端連接至該圖案化共享配線的一端，以呈現(xiàn)出反L形。
5. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該掃描線具有一第三側(cè)邊與一第四側(cè)邊，該第 三側(cè)邊的延伸方向與該第四側(cè)邊的延伸方向夾一第二角度。
6. 如權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第二角度介于15度 60度之間。
全文摘要
一種像素結(jié)構(gòu)包括一基板、一掃描線、一圖案化共享配線、一主動組件、一數(shù)據(jù)線、一保護(hù)層與一像素電極。掃描線、圖案化共享配線與主動組件配置于基板上。主動組件具有一向外延伸的絕緣層，以覆蓋掃描線與圖案化共享配線。此外，圖案化共享配線至少具有一第一側(cè)邊與一第二側(cè)邊。第一側(cè)邊的延伸方向與第二側(cè)邊的延伸方向夾一第一角度。另外，數(shù)據(jù)線配置于絕緣層上，且主動組件電性連接掃描線與數(shù)據(jù)線。本發(fā)明的保護(hù)層覆蓋主動組件。像素電極配置于保護(hù)層上，且與主動組件電性連接。
文檔編號H01L27/12GK101728400SQ20081020121
公開日2010年6月9日 申請日期2008年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月15日
發(fā)明者何宣儀, 何建國 申請人:華映視訊(吳江)有限公司;中華映管股份有限公司