像素結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，包括數(shù)據(jù)線、掃描線、至少一主動(dòng)元件、第一輔助電極以及發(fā)光元件。至少一主動(dòng)元件與數(shù)據(jù)線以及掃描線電性連接，且每一主動(dòng)元件包括柵極、通道層、源極以及漏極。第一輔助電極與主動(dòng)元件電性絕緣。發(fā)光元件位于第一輔助電極的上方，其中發(fā)光元件包括第一電極層、發(fā)光層以及第二電極層。第一電極層與第一輔助電極電性連接。發(fā)光層配置于第一電極層上。第二電極層配置于發(fā)光層上，其中第二電極層與主動(dòng)元件電性連接。
【專利說明】像素結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種可改善顯示面板的整體發(fā)光均勻度的像素結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]電致發(fā)光裝置是一種自發(fā)光性(emissive)的裝置。由于電致發(fā)光裝置具有無視角限制、低制造成本、高應(yīng)答速度(約為液晶的百倍以上)、省電、可使用于可攜式機(jī)器的直流驅(qū)動(dòng)、工作溫度范圍大以及重量輕且可隨硬設(shè)備小型化及薄型化等。因此，電致發(fā)光裝置具有極大的發(fā)展?jié)摿?，可望成為下一世代的新型平面顯示器。
[0003]上發(fā)光(top emission)顯示為目前普遍應(yīng)用在電致發(fā)光裝置的顯示技術(shù)之一，以提高像素的開口率。然而，傳統(tǒng)的上發(fā)光顯示技術(shù)具有薄電極厚度的制作難度高、穿透度差、電極阻值高以及當(dāng)電致發(fā)光裝置朝向大尺寸發(fā)展時(shí)有嚴(yán)重IR壓降(IR drop)等問題。再者，傳統(tǒng)的上發(fā)光顯示技術(shù)的電路設(shè)計(jì)容易受到電致發(fā)光裝置的元件的衰退而影響到電流。而由于電致發(fā)光裝置中各像素的發(fā)光亮度與流經(jīng)此像素的電流大小有關(guān)。因此，將使得此電致發(fā)光裝置的整體發(fā)光均勻度不佳。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，其可以解決傳統(tǒng)電致發(fā)光裝置的整體發(fā)光均勻度不佳的問題。
[0005]本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)，其包括數(shù)據(jù)線、掃描線、至少一主動(dòng)元件、第一輔助電極以及發(fā)光元件。至少一主動(dòng)元件與數(shù)據(jù)線以及掃描線電性連接，且每一主動(dòng)元件包括柵極、通道層、源極以及漏極。第一輔助電極與主動(dòng)元件電性絕緣。發(fā)光元件位于第一輔助電極的上方，其中發(fā)光兀件包括第一電極層、發(fā)光層以及第二電極層。第一電極層與第一輔助電極電性連接。發(fā)光層配置于第一電極層上。第二電極層配置于發(fā)光層上，其中第二電極層與主動(dòng)元件電性連接。
[0006]本發(fā)明另提出一種像素結(jié)構(gòu)，其包括數(shù)據(jù)線、掃描線、至少一主動(dòng)元件、發(fā)光元件以及輔助電極。至少一主動(dòng)元件與數(shù)據(jù)線以及掃描線電性連接。發(fā)光元件與主動(dòng)元件電性連接，其中發(fā)光兀件包括第一電極層、發(fā)光層以及第二電極層。發(fā)光層配置于第一電極層上。第二電極層配置于發(fā)光層上，其中第二電極層與主動(dòng)元件電性連接。輔助電極與主動(dòng)兀件電性絕緣且位于發(fā)光兀件的一側(cè)，其中輔助電極與發(fā)光兀件的第一電極層電性連接。
[0007]基于上述，在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，由于發(fā)光元件的第一電極層與輔助電極電性連接，因此本發(fā)明的發(fā)光元件的第一電極層搭配輔助電極的設(shè)計(jì)可使第一電極層的電阻經(jīng)過并聯(lián)后下降，以使像素結(jié)構(gòu)的總電阻大幅減少，進(jìn)而可改善顯示面板的整體發(fā)光均勻度。
[0008]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0009]圖1為依照本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的等效電路圖；
[0010]圖2為依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0011]圖3為依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0012]圖4為依照本發(fā)明的第三實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0013]圖5為依照本發(fā)明的第四實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0014]圖6為依照本發(fā)明的第五實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0015]附圖標(biāo)記
[0016]
100、200、300、400、500:像索結(jié)構(gòu) 102:戰(zhàn)板
104、504、204、304:絕緣層104a、408b:接觸窗開口
106、506、206、306:第一絕緣層
106a、206a、306a:第一'接觸窗開口
108、408:第二絕緣層108a、408a:開口
110:第二接觸窗開口120、220、320:第一輔助電極
122、222:下電極層124、324:上電極層
[0017]
130:發(fā)光兀件132:第一電極層
134:發(fā)光層136:第二電極層
138:電極層140:第一隔離結(jié)構(gòu)
140’:第二隔離結(jié)構(gòu)150:第一間隙
450、450’:第二間隙460:第二輔助電極
CH1、CH2:通道層CS:電容器
D1、D2:漏極DL:數(shù)據(jù)線
E1, E2;電極端G1' G2:柵極
PL:電源線S1' S2:源極
SL:掃描線IV T2:主動(dòng)元件
【具體實(shí)施方式】
[0018]圖1為依照本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的等效電路圖。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)例如是可應(yīng)用于電致發(fā)光裝置的像素陣列中。為了詳細(xì)地說明本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，以下的說明是以單一像素結(jié)構(gòu)為例來作說明。此領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可以了解電致發(fā)光裝置的像素陣列是由多個(gè)相同或相似的像素結(jié)構(gòu)所組成。因此，此領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)以下針對單一像素結(jié)構(gòu)的說明，而了解電致發(fā)光裝置中的像素陣列的結(jié)構(gòu)或布局。[0019]請參照圖1，像素結(jié)構(gòu)100包括數(shù)據(jù)線DL、掃描線SL、至少一主動(dòng)元件T1及T2、電容器CS、電源線PL以及發(fā)光元件130。在本實(shí)施例中，每一像素結(jié)構(gòu)100是以兩個(gè)主動(dòng)元件搭配一個(gè)電容器(2T1C)為例來說明，但并非用以限定本發(fā)明，本發(fā)明不限每一像素結(jié)構(gòu)100內(nèi)的主動(dòng)元件與電容器的個(gè)數(shù)。
[0020]在本實(shí)施例中，主動(dòng)元件T1與數(shù)據(jù)線DL以及掃描線SL電性連接,主動(dòng)元件T2與主動(dòng)元件T1以及發(fā)光元件130電性連接，發(fā)光元件130與主動(dòng)元件T2以及電源線PL電性連接，且電容器CS與主動(dòng)元件1\、T2電性連接。
[0021]更詳細(xì)來說，在2T1C形式的像素結(jié)構(gòu)中，主動(dòng)元件T1具有柵極G1、源極S1、漏極D1以及通道層CH1,且源極S1與數(shù)據(jù)線DL電性連接，柵極G1與掃描線SL電性連接，且漏極D1與主動(dòng)元件T2電性連接；主動(dòng)元件T2具有柵極G2、源極S2、漏極D2以及通道層CH2,且主動(dòng)元件T2的柵極G2與主動(dòng)元件T1的漏極D1電性連接,主動(dòng)元件T2的漏極D2與發(fā)光元件130電性連接。再者，發(fā)光元件130與主動(dòng)元件T2的漏極D2以及電源線PL電性連接。電容器CS的一電極端E1與主動(dòng)元件T1的漏極D1以及主動(dòng)元件T2的柵極G2電性連接，而電容器CS的另一電極端E2與主動(dòng)元件T2的源極S2電性連接且連接至接地電壓。
[0022]圖2為依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。為了清楚地說明本發(fā)明的實(shí)施例，圖2僅示出像素結(jié)構(gòu)100的主動(dòng)元件T2以及發(fā)光元件130等部分構(gòu)件。也就是說，為了清楚起見，圖2省略數(shù)據(jù)線DL、掃描線SL、主動(dòng)元件T1、電容器CS以及電源線PL等構(gòu)件未示出，其中這些省略未示出的構(gòu)件可以具有所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)的人員所周知的結(jié)構(gòu)，故在此不再贅述。
[0023]請參照圖2，像素結(jié)構(gòu)100包括了基板102、主動(dòng)元件T2、第一輔助電極120、第一絕緣層106、第二絕緣層108、發(fā)光元件130以及第一隔離結(jié)構(gòu)140。
[0024]基板102的材質(zhì)例如是玻璃、石英、有機(jī)聚合物或是金屬等。
[0025]主動(dòng)元件T2包括柵極G2、通道層CH2、源極S2以及漏極D2。通道層CH2位于柵極G2的上方并且位于源極S2與漏極D2的下方。本實(shí)施例的主動(dòng)元件T2是以底部柵極型薄膜晶體管為例來說明，但本發(fā)明不限于此。在其它實(shí)施例中，主動(dòng)元件T2也可以是頂部柵極型薄膜晶體管，通道層CH2的材料可以是非晶硅薄膜或是多晶硅薄膜，本發(fā)明不加以限定。再者，在主動(dòng)元件T2的柵極G2上還覆蓋有絕緣層104，其又可稱為柵極絕緣層。絕緣層104的材料例如是無機(jī)材料、有機(jī)材料或上述的組合。無機(jī)材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少兩種材料的堆棧層。另外，主動(dòng)元件T2可還包括蝕刻終止層(未示出)。蝕刻終止層配置在通道層CH2上，而源極S2與漏極D2配置于蝕刻終止層上。蝕刻終止層的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它合適的材料。
[0026]第一輔助電極120與主動(dòng)元件T1及T2電性絕緣。第一輔助電極120包括下電極層122以及上電極層124。下電極層122與主動(dòng)元件T2的柵極G2例如是屬于相同膜層。上電極層124與主動(dòng)元件T2的源極S2以及漏極D2例如是屬于相同膜層。因此，絕緣層104位于下電極層122與上電極層124之間。再者，絕緣層104具有暴露出下電極層122的接觸窗開口 104a，且上電極層124填入接觸窗開口 104a中，以使上電極層124與下電極層122電性連接。
[0027]值得一提的是，由于第一輔助電極120具有下電極層122以及上電極層124，因此上述雙層輔助電極的設(shè)計(jì)有助于維持像素結(jié)構(gòu)100的平坦度。[0028]第一絕緣層106覆蓋主動(dòng)元件T2以及第一輔助電極120。第一絕緣層106的材料例如是無機(jī)材料、有機(jī)材料或上述的組合。無機(jī)材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少兩種材料的堆棧層。再者，第一絕緣層106具有第一接觸窗開口 106a，且第一接觸窗開口 106a暴露出第一輔助電極120的上電極層124。
[0029]發(fā)光兀件130位于第一輔助電極120的上方。發(fā)光兀件130包括第一電極層132、發(fā)光層134以及第二電極層136。在本實(shí)施例中，發(fā)光兀件130例如是上發(fā)光式有機(jī)電致發(fā)光元件，因此第一電極層132與第二電極層136分別例如是陽極以及陰極。
[0030]發(fā)光元件130的第一電極層132位于第一絕緣層106上。第一電極層132的材料例如是鋁、銦錫氧化物(ITO)或其它可作為陽極的合適的材料。
[0031]值得一提的是，第一電極層132與第一輔助電極120電性連接。更詳細(xì)來說，發(fā)光兀件130的第一電極層132與第一輔助電極120的上電極層124電性連接。第一電極層132填入第一絕緣層106的第一接觸窗開口 106a中，以使第一電極層132借由第一接觸窗開口 106a與第一輔助電極120的上電極層124電性連接。
[0032]第二絕緣層108覆蓋第一絕緣層106以及發(fā)光元件130的第一電極層132。第二絕緣層108的材料例如是無機(jī)材料、有機(jī)材料或上述的組合。無機(jī)材料包括氧化娃、氮化硅、氮氧化硅或上述至少兩種材料的堆棧層。再者，第二絕緣層108具有開口 108a，且開口108a暴露出第一電極層132。此外，第一絕緣層106與第二絕緣層108中還包括第二接觸窗開口 110。第二接觸窗開口 110暴露出部分主動(dòng)元件T2。更詳細(xì)來說，第二接觸窗開口110暴露出主動(dòng)元件T2的部分漏極D2。
[0033]發(fā)光兀件130的發(fā)光層134位于第二絕緣層108的開口 108a內(nèi)，且發(fā)光層134配置于第一電極層132上。再者，發(fā)光元件130的發(fā)光層134的垂直投影至少部分與第一輔助電極120重疊。發(fā)光層134可為有機(jī)發(fā)光層或無機(jī)發(fā)光層。根據(jù)發(fā)光層134所使用的材質(zhì)，此電致發(fā)光裝置可稱為有機(jī)電致發(fā)光裝置或是無機(jī)電致發(fā)光裝置。另外，每一像素結(jié)構(gòu)100的發(fā)光元件130的發(fā)光層134可為紅色有機(jī)發(fā)光圖案、綠色有機(jī)發(fā)光圖案、藍(lán)色有機(jī)發(fā)光圖案或是混合各頻譜的光產(chǎn)生的不同顏色(例如白、橘、紫、…等)發(fā)光圖案。此外，根據(jù)其它實(shí)施例，上述的發(fā)光兀件130的發(fā)光層134中可還包括電子輸入層、空穴輸入層、電子傳輸層以及空穴傳輸層等。
[0034]發(fā)光元件130的第二電極層136位于第二絕緣層108上，且填入第二絕緣層108的開口 108a中并配置于發(fā)光層134上。第二電極層136的材料例如是銀、薄銀或其它可作為陰極的合適的材料。再者，第二電極層136與主動(dòng)元件T2電性連接。更詳細(xì)來說，第二電極層136填入第二接觸窗開口 110中，以使發(fā)光元件130的第二電極層136借由第二接觸窗開口 110與主動(dòng)元件T2的漏極D2電性連接。 [0035]第一隔離結(jié)構(gòu)140位于發(fā)光元件130的第二電極層136的周圍，其中第二電極層136與第一隔離結(jié)構(gòu)140之間具有第一間隙150。第一隔離結(jié)構(gòu)140的材料例如是光阻或其它合適的材料。再者，第一隔離結(jié)構(gòu)140的形狀例如是倒三角形，因此第一間隙150的形成方法包括在第二絕緣層108以及第一隔離結(jié)構(gòu)140上沉積第二電極層材料(未示出)，并可借由倒三角形的第一隔離結(jié)構(gòu)140使第二電極層材料斷開。如此一來，第一間隙150形成在第一隔離結(jié)構(gòu)140的底部周圍，以使第二電極層136與第一隔離結(jié)構(gòu)140分離開來。另外，電極層138形成在第一隔離結(jié)構(gòu)140上，且電極層138與第二電極層136屬于相同膜層。
[0036]值得一提的是，由于發(fā)光元件130的第二電極層136是借由倒三角形的第一隔離結(jié)構(gòu)140斷開的方式形成，因此可以簡易的制造工程來制作出厚度較薄的第二電極層136，以使像素結(jié)構(gòu)100具有較高的穿透度以及第二電極層136的阻值較低等優(yōu)點(diǎn)，進(jìn)而可改善IR壓降的問題。
[0037]還值得一提的是，由于第一電極層132與第一輔助電極120電性連接，因此本發(fā)明的發(fā)光元件130的第一電極層132搭配輔助電極的設(shè)計(jì)可使第一電極層132的電阻經(jīng)過并聯(lián)后下降，以使像素結(jié)構(gòu)100的總電阻減少約40%，進(jìn)而可改善顯示面板的整體發(fā)光均勻度。舉例來說，上述電極層搭配輔助電極的設(shè)計(jì)可應(yīng)用于上發(fā)光式有機(jī)電致發(fā)光元件的陽極，以使陽極的電阻經(jīng)過并聯(lián)后下降，但本發(fā)明不限于此。在其它實(shí)施例中，上述電極層搭配輔助電極的設(shè)計(jì)亦可以應(yīng)用在其它合適的電極層或?qū)щ妼又小?br> [0038]在上述圖2的實(shí)施例中，第一輔助電極120為雙層電極層。然而，本發(fā)明不限于此。在本發(fā)明的其它實(shí)施例(如圖3與圖4的實(shí)施例所示)中，第一輔助電極亦可以是單一電極層。在此，單一電極層并非限定為單一膜層的電極層，而是單一電極層亦可以是指具有多層膜堆棧結(jié)構(gòu)的電極層。
[0039]圖3與圖4分別為依照本發(fā)明的第二以及第三實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖3與圖4的實(shí)施例與上述圖2的實(shí)施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示，且不再重復(fù)說明。
[0040]請參照圖3，圖3的實(shí)施例與上述圖2的實(shí)施例的不同之處在于，在像素結(jié)構(gòu)200中，第一輔助電極220僅包括下電極層222，且下電極層222與主動(dòng)元件T2的柵極G2例如是屬于相同膜層。因此，絕緣層204覆蓋下電極層222。再者，絕緣層204與第一絕緣層206中還包括第一接觸窗開口 206a,且第一接觸窗開口 206a暴露出下電極層222。第一電極層132填入絕緣層204與第一絕緣層206的第一接觸窗開口 206a中，以使第一電極層132借由第一接觸窗開口 206a與第一輔助電極220的下電極層222電性連接。
[0041]請參照圖4，圖4的實(shí)施例與上述圖2的實(shí)施例的不同之處在于，在像素結(jié)構(gòu)300中，第一輔助電極320僅包括上電極層324，且上電極層324與主動(dòng)元件T2的源極S2以及漏極D2例如是屬于相同膜層。因此，上電極層324位于絕緣層304上。再者，第一絕緣層306具有第一接觸窗開口 306a，且第一接觸窗開口 306a暴露出第一輔助電極320的上電極層324。第一電極層132填入第一絕緣層306的第一接觸窗開口 306a中，以使第一電極層132借由第一接觸窗開口 306a與第一輔助電極320的上電極層324電性連接。
[0042]圖5為依照本發(fā)明的第四實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖5的實(shí)施例與上述圖2的實(shí)施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示，且不再重復(fù)說明。圖5的實(shí)施例與上述圖2的實(shí)施例的不同之處在于像素結(jié)構(gòu)400還包括第二輔助電極460。
[0043]請參照圖5，第二輔助電極460與主動(dòng)元件T2電性絕緣且位于發(fā)光元件130的一偵牝其中第二輔助電極460與發(fā)光元件130的第一電極層132電性連接。更詳細(xì)來說，第二絕緣層408具有暴露出第一電極層132的開口 408a以及接觸窗開口 408b。發(fā)光元件130的發(fā)光層134位于第二絕緣層408的開口 408a內(nèi)。第二輔助電極460填入第二絕緣層408的接觸窗開口 408b中，以使第二輔助電極460借由接觸窗開口 408b與發(fā)光元件130的第一電極層132電性連接。[0044]再者，第二輔助電極460與發(fā)光元件130的第二電極層136例如是屬于相同膜層，且第二輔助電極460與發(fā)光元件130的第二電極層136彼此電性絕緣。更詳細(xì)來說，像素結(jié)構(gòu)400還包括第二隔離結(jié)構(gòu)140’。第二隔離結(jié)構(gòu)140’位于第一隔離結(jié)構(gòu)140的一側(cè)，其中第二輔助電極460位于第一隔離結(jié)構(gòu)140與第二隔離結(jié)構(gòu)140’之間。第二輔助電極460與第一隔離結(jié)構(gòu)140之間具有第二間隙450，且第二輔助電極460與第二隔離結(jié)構(gòu)140’之間具有第二間隙450’。因此，第二輔助電極460與第一隔離結(jié)構(gòu)140電性絕緣，且第二輔助電極460與第二隔離結(jié)構(gòu)140’電性絕緣。此外，第二隔離結(jié)構(gòu)140’與第一隔離結(jié)構(gòu)140例如是屬于相同膜層。
[0045]值得一提的是，由于發(fā)光元件130的第二電極層136以及第二輔助電極460可使用片電阻較低且導(dǎo)電性較高的金屬，因此在降低第二電極層136的阻值上有更佳的效果，進(jìn)而可改善IR壓降的問題。
[0046]還值得一提的是，由于第一電極層132與第一輔助電極120以及第二輔助電極460電性連接，因此本發(fā)明的發(fā)光元件130的第一電極層132搭配兩種輔助電極的設(shè)計(jì)可使第一電極層132的電阻經(jīng)過并聯(lián)后下降，以使像素結(jié)構(gòu)400的總電阻減少約90%，進(jìn)而可改善顯示面板的整體發(fā)光均勻度。舉例來說，上述電極層搭配兩種輔助電極的設(shè)計(jì)可應(yīng)用于上發(fā)光式有機(jī)電致發(fā)光元件的陽極，以使陽極的電阻經(jīng)過并聯(lián)后下降，但本發(fā)明不限于此。在其它實(shí)施例中，上述電極層搭配輔助電極的設(shè)計(jì)亦可以應(yīng)用在其它合適的電極層或?qū)щ妼又小?br> [0047]圖6為依照本發(fā)明的第五實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖6的實(shí)施例與上述圖5的實(shí)施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示，且不再重復(fù)說明。圖6的實(shí)施例與上述圖5的實(shí)施例的不同之處在于像素結(jié)構(gòu)500僅包括第二輔助電極460，而不包括第一輔助電極120。
[0048]請參照圖6，第二輔助電極460與主動(dòng)元件T2電性絕緣且位于發(fā)光元件130的一偵牝其中第二輔助電極460與發(fā)光元件130的第一電極層132電性連接。再者，絕緣層504覆蓋主動(dòng)元件T2的柵極G2以及基板102。第一絕緣層506覆蓋主動(dòng)元件T2以及絕緣層504。發(fā)光兀件130的第一電極層132位于第一絕緣層506上。
[0049]綜上所述，在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，發(fā)光元件的第一電極層與第一輔助電極或第二輔助電極或兩者電性連接，其中第一輔助電極與主動(dòng)元件的柵極屬于相同膜層，或者與源極以及漏極屬于相同膜層，或者為雙層電極的結(jié)構(gòu)，而第二輔助電極與第二電極層屬于相同膜層。因此，在不用增加光罩?jǐn)?shù)量及成本的情況下，本發(fā)明的發(fā)光元件的第一電極層搭配輔助電極的設(shè)計(jì)可使第一電極層的電阻經(jīng)過并聯(lián)后下降，以使像素結(jié)構(gòu)的總電阻大幅減少，進(jìn)而可改善顯示面板的整體發(fā)光均勻度。再者，本發(fā)明的上發(fā)光顯示技術(shù)的電路設(shè)計(jì)亦可避免因電致發(fā)光裝置的元件的衰退而影響到電流的問題。
[0050]雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭示如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的變更與修飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)由所附的權(quán)利要求書所界定為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一數(shù)據(jù)線以及一掃描線； 至少一主動(dòng)元件，與該數(shù)據(jù)線以及該掃描線電性連接，且每一主動(dòng)元件包括一柵極、一通道層、一源極以及一漏極； 一第一輔助電極，與該主動(dòng)元件電性絕緣；以及 一發(fā)光元件，位于該第一輔助電極的上方，其中該發(fā)光元件包括: 一第一電極層，與該第一輔助電極電性連接； 一發(fā)光層，配置于該第一電極層上；以及 一第二電極層，配置于該發(fā)光層上，其中該第二電極層與該主動(dòng)元件電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一第一絕緣層，覆蓋該主動(dòng)元件以及該第一輔助電極，該發(fā)光元件的該第一電極層位于該第一絕緣層上，其中該第一絕緣層具有暴露出該第一輔助電極的一第一接觸窗開口，且該第一電極層借由該第一接觸窗開口與該第一輔助電極電性連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一第二絕緣層，覆蓋該第一絕緣層以及該發(fā)光元件的該第一電極層，該發(fā)光元件的該第二電極層位于該第二絕緣層上，其中該第二絕緣層具有暴露出該第一電極層的一開口，該發(fā)光兀件的該發(fā)光層位于該開口內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一絕緣層與該第二絕緣層中還包括一第二接觸窗開口，暴露出部分該主動(dòng)元件，該發(fā)光元件的該第二電極層借由該第二接觸窗開口與該主動(dòng)元件電性連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一輔助電極為單一電極層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一輔助電極包括: 一下電極層；以及 一上電極層，與該下電極層電性連接，其中該發(fā)光兀件的該第一電極層與該第一輔助電極的該上電極層電性連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該下電極層與該主動(dòng)元件的該柵極屬于相同膜層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該上電極層與該主動(dòng)元件的該源極以及該漏極屬于相同膜層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一隔離結(jié)構(gòu)，位于該發(fā)光元件的該第二電極層的周圍，其中該第二電極層與該隔離結(jié)構(gòu)之間具有一間隙。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一第二輔助電極，與該主動(dòng)兀件電性絕緣且位于該發(fā)光兀件的一側(cè)，其中該第二輔助電極與該發(fā)光兀件的該第一電極層電性連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二輔助電極與該發(fā)光元件的該第二電極層屬于相同膜層，且該第二輔助電極與該發(fā)光元件的該第二電極層彼此電性絕緣。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光元件為上發(fā)光式有機(jī)電致發(fā)光元件。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光元件的該發(fā)光層的垂直投影至少部分與該第一輔助電極重疊。
14.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一數(shù)據(jù)線以及一掃描線； 至少一主動(dòng)元件，與該數(shù)據(jù)線以及該掃描線電性連接； 一發(fā)光元件，與該主動(dòng)元件電性連接，其中該發(fā)光元件包括: 一第一電極層； 一發(fā)光層，配置于該第一電極層上；以及 一第二電極層，配置于該發(fā)光層上，其中該第二電極層與該主動(dòng)元件電性連接；以及 一輔助電極，與該主動(dòng)兀件電性絕緣且位于該發(fā)光兀件的一側(cè)，其中該輔助電極與該發(fā)光元件的該第一電極層電性連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括: 一第一絕緣層，覆蓋該主動(dòng)元件，該發(fā)光元件的該第一電極層位于該第一絕緣層上； 一第二絕緣層，覆蓋該第一絕緣層以及該發(fā)光元件的該第一電極層，該發(fā)光元件的該第二電極層位于該第二絕緣層上，其中該第二絕緣層具有暴露出該第一電極層的一開口以及一第一接觸窗開口，該發(fā)光兀件的該發(fā)光層位于該開口內(nèi)，且該輔助電極借由該第一接觸窗開口與該第一電極層電性連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一絕緣層與該第二絕緣層中還包括一第二接觸窗開口，暴露出部分該主動(dòng)元件，該發(fā)光元件的該第二電極層借由該第二接觸窗開口與該主動(dòng)元件電性連接。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括: 一第一隔離結(jié)構(gòu)，位于該發(fā)光兀件的該第二電極層的周圍，其中該第二電極層與該第一隔離結(jié)構(gòu)之間具有一第一間隙； 一第二隔離結(jié)構(gòu)，位于該第一隔離結(jié)構(gòu)的一側(cè)，其中該輔助電極位于該第一隔離結(jié)構(gòu)與該第二隔離結(jié)構(gòu)之間，該輔助電極與該第一隔離結(jié)構(gòu)電性絕緣，且該輔助電極與該第二隔離結(jié)構(gòu)電性絕緣。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該輔助電極與該發(fā)光元件的該第二電極層屬于相同膜層，且該輔助電極與該發(fā)光元件的該第二電極層彼此電性絕緣。
【文檔編號】H01L27/12GK103646950SQ201310522759
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年10月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月12日
【發(fā)明者】李宜璇, 奚鵬博, 許文曲 申請人:友達(dá)光電股份有限公司