一種反型有機薄膜太陽能電池及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種反型有機薄膜太陽能電池及其制備方法，該結構從下到上依次為襯底、透明導電陰極ITO、陰極緩沖層、光活性層、陽極緩沖層、金屬陰極，在陽級緩沖層內加入透明導電納米顆粒。該制備方法為將襯底和透明導電陰極ITO組成基板并清洗吹干；在透明導電陰極ITO表面制備陰極緩沖層；在陰極緩沖層表面上制備光活性層并烘烤；在光活性層表面制備陽極緩沖層；將基板退火；在陽極緩沖層上蒸鍍金屬陽極。利用透明導電納米顆粒的高導電性及高反射性，增強傳統(tǒng)陽極緩沖層的電子傳輸速率與光反射率，提高了光活性層對太陽光的吸收率，從而提高有機薄膜太陽能電池的光電流密度與載流子傳輸效率，降低了電池的串聯(lián)電阻，提高了器件的光電轉換效率。
【專利說明】一種反型有機薄膜太陽能電池及其制備方法【技術領域】
[0001] 本發(fā)明屬于有機聚合物光伏器件或有機半導體薄膜太陽能電池領域，具體涉及一種反型有機薄膜太陽能電池及其制備方法。
【背景技術】
[0002]隨著全球能源需求的爆炸式增長，能源問題己經成為各國經濟發(fā)展所要面臨的首要難題。由于太陽能具有潔凈、分布廣泛、取之不盡用之不竭等特點，研究光伏發(fā)電解決能源問題成為可再生能源領域研究的重點與熱點。目前，根據(jù)組成太陽能電池的光活性層的材料性質的不同，可以將活性層材料分為無機半導體材料和有機半導體材料。與無機半導體材料相比，有機半導體材料不僅材料本身的合成條件和器件化工藝條件相對溫和，其分子化學結構容易修飾，用其來制作電池時，可以滿足成本低、耗能少、容易大面積制作的要求，目前己經成為國內外研發(fā)的熱點之一。20世紀80年代中期，美國柯達公司的C.W.Tang等人提出了用仿無機太陽能電池的雙層異質結有機太陽能電池的器件結構，使器件的性能指標實現(xiàn)質的飛躍，其中光電轉換效率達到I %，是有機太陽能電池的研究的一個里程碑式的突破。20世紀90年代，隨著薄膜技術的迅猛發(fā)展，采用新材料新結構新工藝制備的電池的性能得到大幅度的提高。
[0003]然而，與無機太陽能電池的大規(guī)模生產相比，有機太陽能電池實用化還尚需時日，最主要原因是器件的性能，尤其是光電轉換效率需要大幅度的提升。提高器件光電轉換效率的主要手段，包括提高器件的開路電壓、填充因子和光電流密度三個方面。其中，增加光電流密度是提高器件光電轉換效率的核心，也是目前有機薄膜太陽能光伏領域研究和開發(fā)的重點與難點。
[0004]當前，限制有機薄膜太陽能電池光電流密度的原因主要有以下三個:一是陰陽極緩沖層載流子傳輸速率較低，導致載流子在光活性層與陰陽極緩沖層界面處進行堆積，會降低載流子傳輸效率并且導致載流子復合；二是有機半導體材料禁帶寬度一定，只能吸收固定波段的光線，并且光電轉換有一定的概率；三是光活性層材料激子擴散長度較短，導致光活性層厚度不能太厚，厚度大于300 nm無法對光生載流子進行有效傳遞。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明針對上述不足之處提供了一種反型有機薄膜太陽能電池及其制備方法，提高了陰陽極緩沖層對載流子的傳輸速率與光反射率；在不增加器件厚度的情況下，增加光活性層的光吸收；有效降低器件的串聯(lián)電阻，提高載流子傳輸效率。
[0006]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術方案是:
一種反型有機薄膜太陽能電池，該結構從下到上依次為襯底、透明導電陰極ΙΤ0、陰極緩沖層、光活性層、陽極緩沖層、金屬陽極，其特征在于:陽級緩沖層內加入了透明導電納米顆粒。
[0007]作為優(yōu)選，所述陽極緩沖層質量百分比組成為2~5 %的透明導電納米顆粒、5~10 %的二甲基亞砜和85?93 %的PEDOT:PSS，厚度范圍為15?50 nm。
[0008]作為優(yōu)選，所述透明導電納米顆粒含有金屬納米顆粒和溶劑，金屬納米顆粒為鐵、銅、銀、金、鋁、鎳、鈷、錳、鎘、銦、錫、鎢、鉬的一種或多種，其半徑范圍為10?90 nm ;所述溶劑為正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正戊烷、正壬烷、環(huán)戊烷、環(huán)己烷、甲基環(huán)戊烷、甲基環(huán)己烷、石油醚、苯、甲苯、二甲苯、四氯化碳、乙酸乙酯、乙二醇醚乙酸酯或丙二醇醚乙酸酯的一種或多種溶劑。
[0009]作為優(yōu)選，所述光活性層由電子給體材料P3HT與電子受體材料PCBM混合制備而成，P3HT:PCBM混合溶液質量組分比為1:20?5:1，溶液濃度為I?20 mg/ml，厚度范圍為50 ?300 nm。
[0010]作為優(yōu)選，所述陰極緩沖層材料為TPB1、BCP、Bphen、Alq3、ZnO或TiO2的一種或多種，厚度范圍為I?20 nm。
[0011]作為優(yōu)選,所述金屬陽極材料為Ag、Al或Cu,薄層厚度為100?300 nm。
[0012]作為優(yōu)選，所述襯底材料為玻璃或透明聚合物，所述透明聚合物材料為聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亞胺、氯醋樹脂或聚丙烯酸的一種或多種。
[0013]一種反型有機薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟:
將襯底和透明導電陰極ITO組成基板，并將基板進行清洗，清洗后用氮氣吹干；
在透明導電陰極ITO表面旋轉涂覆、印刷或噴涂ZnO或TiO2溶液，并將所形成的薄膜進行烘烤，形成陰極緩沖層，或采用真空蒸鍍法蒸鍍TPB1、BCP、Bphen、Alq3制備陰極緩沖層；在陰極緩沖層上采用旋涂或噴涂或自組裝或噴墨打印或絲網(wǎng)印刷的方式制備P3HT: PCBM光活性層，并進行烘烤；
在光活性層表面蒸鍍，旋轉涂覆或噴涂陽極緩沖層；
將基板采用熱退火的方式進行退火；
在陽極緩沖層上蒸鍍金屬陽極。
[0014]作為優(yōu)選，所述熱退火方式采用恒溫熱臺加熱、烘箱加熱、遠紅外加熱、熱風加熱、或微波加熱的一種或多種。
[0015]作為優(yōu)選，所述P3HT:PCBM薄膜烘烤的溫度范圍在20?150 V，所述熱退火溫度范圍為140?170 °C。
[0016]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于:
一、在陽極緩沖層中加入了透明導電納米顆粒，提高了陽極緩沖層的電子傳輸速率，從而改善與活性層界面載流子堆積問題；
二、在陽極緩沖層中加入了透明導電納米顆粒，將從透明導電陰極ITO入射并透射出光活性層的太陽光進行二次反射，再次進入光活性層，在不增加光活性層厚度的情況下增加光吸收與光電轉換的概率，從而提高器件的光電流密度；
三、在陽極緩沖層中加入了透明導電納米顆粒，調整了陽極緩沖層的能級，減小界面電子傳輸所需克服的能級差，從而降低器件的串聯(lián)電阻，增加載流子傳輸效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是本發(fā)明的結構示意，圖中:1-襯底、2-透明導電陰極IT0、3-陰極緩沖層、4-光活性層、5-陽極緩沖層、6-金屬陽極、7-透明導電納米顆粒； 圖2是本發(fā)明加入透明導電納米顆粒后的薄膜吸收示意圖；
圖3是本發(fā)明加入透明導電納米顆粒后的薄膜反射示意圖；
圖4是本發(fā)明器件串聯(lián)電阻(Rs)和薄膜方阻(Rsq)與透明導電納米顆粒關系表。
【具體實施方式】
[0018]下面結合附圖對本發(fā)明作進一步的說明。
[0019]實施例1:對表面粗糙度小于I nm的由透明襯底及透明導電陰極ITO所組成的基板進行清洗，清洗后用氮氣吹干；在透明導電陰極ITO表面旋轉涂覆ZnO (5000 rpm, 40S，15 nm)，并將所形成的薄膜進行烘烤(200 °C , 60 min);在陰極緩沖層上采用旋涂制備P3HT:PCBM(1:20, 20 mg/ml)光活性層(1000 rpm, 25 S)，并進行烘烤(140 °C , 5 min)；在光活性層表面噴涂陽極緩沖層摻透明導電納米顆粒(Ag納米顆粒，半徑30 nm，環(huán)己烷溶劑)的PED0T:PSS溶液(透明導電納米顆2 %，二甲基亞砜5 %，PEDOT: PSS 93 %，2500rpm, 60 s, 15 nm);將基板采用恒溫熱臺加熱退火的方式進行退火(150 °C , 5 min);在陽極緩沖層上蒸鍍金屬陽極Ag(100 nm)。在標準測試條件下:AM 1.5, 100 mW/cm2，測得器件的開路電壓(Vqc)=0.58 V，短路電流(Jsc) =9.3 mA/cm2，填充因子(FF) =0.56，光電轉換效率(PCE) =3.02 %。
[0020]實施例2:對表面粗糙度小于I nm的由透明襯底及透明導電陰極ITO所組成的基板進行清洗，清洗后用氮氣吹干；在透明導電陰極ITO表面旋轉涂覆ZnO (5000 rpm, 40S，20 nm)，并將所形成的薄膜進行烘烤(200 °C , 60 min);在陰極緩沖層上采用旋涂制備P3HT:PCBM(1:10，10 mg/ml)光活性層(1000 rpm, 25 S)，并進行烘烤(140 °C , 5 min);在光活性層表面噴涂陽極緩沖層摻透明導電納米顆粒(Ag納米顆粒，半徑15 nm，環(huán)己烷溶劑)的PEDOT: PSS溶液(透明導電納米顆5 %，二甲基亞砜10 %, PEDOT: PSS 85 %, 2500 rpm, 50S，20 nm);將基板采用熱臺加熱退火的方式進行退火(170 V , 5 min);在陽極緩沖層上蒸鍍金屬陽極Ag(200 nm)。在標準測試條件下:AM 1.5，100 mW/cm2，測得器件的Vtje=0.56 V,Jsc=I0.1 mA/cm2, FF=0.58, PCE=3.28 %。
[0021]實施例3:對表面粗糙度小于2 nm的由透明襯底及透明導電陰極ITO所組成的基板進行清洗，清洗后用氮氣吹干；在透明導電陰極ITO表面旋轉涂覆ZnO (5000 rpm, 40S，15 nm)，并將所形成的薄膜進行烘烤(200 °C , 60 min);在陰極緩沖層上采用旋涂制備P3HT:PCBM(1:10, 5 mg/ml)光活性層(1000 rpm, 25 S)，并進行烘烤(140 °C , 5 min);在光活性層表面噴涂陽極緩沖層摻透明導電納米顆粒(Ag納米顆粒，半徑60 nm，環(huán)己烷溶劑)的PEDOT: PSS 溶液(透明導電納米顆 5 %，二甲基亞砜 7 %, PEDOT: PSS 88 %，2500 rpm, 50 S，20nm);將基板采用恒溫熱臺加熱退火的方式進行退火(150 °C , 30 min);在陽極緩沖層上蒸鍍金屬陽極Ag(300 nm)。在標準測試條件下:AM 1.5，100 mW/cm2，測得器件的Vtje=0.55 V,Jsc=Il.2 mA/cm2, FF=0.57, PCE=3.51 %。
[0022]實施例4:對表面粗糙度小于I nm的由透明襯底及透明導電陰極ITO所組成的基板進行清洗，清洗后用氮氣吹干；在透明導電陰極ITO表面蒸鍍Bphen陰極緩沖層(I nm)；在陰極緩沖層上采用旋涂制備P3HT:PCBM(1:1，I mg/ml)光活性層(1000 rpm, 25 s)，并進行烘烤(140 0C ,5 min);在光活性層表面噴涂陽極緩沖層摻透明導電納米顆粒(Ag納米顆粒，半徑80 nm，環(huán)己烷溶劑)的PED0T:PSS溶液(透明導電納米顆5 %，二甲基亞砜7%, PEDOT:PSS 88 %，2500 rpm, 40 s，50 nm);將基板采用恒溫熱臺加熱退火的方式進行退火(150 0C , 30 min);在陽極緩沖層上蒸鍍金屬陽極Ag(300 nm)。在標準測試條件下-.AM
1.5，100 mW/cm2，測得器件的 Voc=0.61 V, Jsc=I0.5 mA/cm2, FF=0.56，PCE=3.59 %。
[0023]實施例5:對表面粗糙度小于3 nm的由透明襯底及透明導電陰極ITO所組成的基板進行清洗，清洗后用氮氣吹干；在透明導電陰極ITO表面旋轉涂覆ZnO (5000 rpm, 40S，20 nm)，并將所形成的薄膜進行烘烤(200 °C , 60 min);在陰極緩沖層上采用旋涂制備P3HT:PCBM(5:1, 10 mg/ml)光活性層(1000 rpm, 25 S)，并進行烘烤(140 °C , 5 min);在光活性層表面噴涂陽極緩沖層摻透明導電納米顆粒(Au納米顆粒，半徑80 nm，環(huán)己烷溶劑)的PEDOT: PSS 溶液(透明導電納米顆 2 %，二甲基亞砜 5 %，PEDOT:PSS 93 %, 2500 rpm, 60 s’15 nm);將基板采用恒溫熱臺加熱退火的方式進行退火(150 °C , 30 min);在陽極緩沖層上蒸鍍金屬陽極Ag(300 nm)。在標準測試條件下:AM 1.5，100 mW/cm2,測得器件的Vqc=0.60V, Jsc=Il.6 mA/cm2, FF=0.60, PCE=4.17 %。
[0024]實施例6:對表面粗糙度小于I nm的由透明襯底及透明導電陰極ITO所組成的基板進行清洗，清洗后用氮氣吹干；在透明導電陰極ITO表面旋轉涂覆ZnO (5000 rpm, 40S，15 nm)，并將所形成的薄膜進行烘烤(200 °C , 60 min);在陰極緩沖層上采用旋涂制備P3HT:PCBM(1:10, 20 mg/ml)光活性層(1000 rpm, 25 S)，并進行烘烤(140 °C , 5 min)；在光活性層表面噴涂陽極緩沖層摻透明導電納米顆粒(Au納米顆粒，半徑100 nm，環(huán)己烷溶劑)的PEDOT: PSS溶液(透明導電納米顆5 %，二甲基亞砜7 %, PEDOT: PSS 88 %，2500rpm, 60 s, 15 nm);將基板采用恒溫熱臺加熱退火的方式進行退火(150 V，10 min);在陽極緩沖層上蒸鍍金屬陽極Ag(150 nm)。在標準測試條件下:AM 1.5, 100 mW/cm2，測得器件的 Vqc=0.60 V, Jsc=I0.5 mA/cm2, FF=0.57，PCE=3.60 %。
[0025]實施例7:對表面粗糙度小于I nm的由透明襯底及透明導電陰極ITO所組成的基板進行清洗，清洗后用氮氣吹干；在透明導電陰極ITO表面旋轉涂覆ZnO (5000 rpm, 40S，15 nm)，并將所形成的薄膜進行烘烤(200 °C , 60 min);在陰極緩沖層上采用旋涂制備P3HT:PCBM(1:15，20mg/ml)光活性層(1000 rpm, 25 S)，并進行烘烤(140 °C , 5 min);在光活性層表面噴涂陽極緩沖層摻透明導電納米顆粒(Au納米顆粒，半徑50 nm，環(huán)己烷溶劑)的PEDOT:PSS溶液(透明導電納米顆5 %，二甲基亞砜7 %,PEDOT:PSS 88 %, 2500 rpm, 60 s, 15nm);將基板采用恒溫熱臺加熱退火的方式進行退火(170 V，10 min);在陽極緩沖層上蒸鍍金屬陽極Ag(200 nm)。在標準測試條件下:AM 1.5，100 mW/cm2，測得器件的Vtje=0.62 V,Jsc=Il.1 mA/cm2, FF=0.62，PCE=4.27 %。
[0026]實施例8:對表面粗糙度小于I nm的由透明襯底及透明導電陰極ITO所組成的基板進行清洗，清洗后用氮氣吹干；在透明導電陰極ITO表面旋轉涂覆ZnO (5000 rpm, 40S，15 nm)，并將所形成的薄膜進行烘烤(200 °C , 60 min);在陰極緩沖層上采用旋涂制備P3HT: PCBM (1:15，15 mg/ml)光活性層(1000 rpm, 25 S)，并進行烘烤(140 °C , 5 min);在光活性層表面噴涂陽極緩沖層摻透明導電納米顆粒(Cu納米顆粒，半徑80 nm，環(huán)己烷溶劑)的PEDOT: PSS 溶液(透明導電納米顆 5 %，二甲基亞砜 7 %, PEDOT: PSS 88 %，2500 rpm, 60 S，15nm);將基板采用恒溫熱臺加熱退火的方式進行退火(150 V，10 min);在陽極緩沖層上蒸鍍金屬陽極Ag(150 nm)。在標準測試條件下:AM 1.5，100 mW/cm2，測得器件的Vtje=0.53 V,Jsc=I0.3 mA/cm2, FF=0.55, PCE=3.00 %。[0027]實施例9:對表面粗糙度小于I nm的由透明襯底及透明導電陰極ITO所組成的基板進行清洗，清洗后用氮氣吹干；在透明導電陰極ITO表面旋轉涂覆ZnO (5000rpm,40s)，并將所形成的薄膜進行烘烤(200 0C ,60 min);在陰極緩沖層上采用旋涂制備P3HT:PCBM(1:15, 20 mg/ml)光活性層(1000 rpm, 25 S)，并進行烘烤(140 °C , 5 min);在光活性層表面噴涂陽極緩沖層摻透明導電納米顆粒(Cu納米顆粒，半徑100 nm，環(huán)己烷溶劑)的PEDOT: PSS溶液(透明導電納米顆5 %，二甲基亞砜7 %，PEDOT: PSS 88 %, 2500 rpm, 60S，15 nm);將基板采用恒溫熱臺加熱退火的方式進行退火(150°C，30min);在陽極緩沖層上蒸鍍金屬陽極Ag(150 nm)。在標準測試條件下:AM1.5，100 mW/cm2,測得器件的Vqc=0.53V, Jsc=Il.3 mA/cm2, FF=0.57, PCE=3.41 %。
[0028]實施例10:對表面粗糙度小于I nm的由透明襯底及透明導電陰極ITO所組成的基板進行清洗，清洗后用氮氣吹干；在透明導電陰極ITO表面旋轉涂覆ZnO (5000 rpm, 40S，15 nm)，并將所形成的薄膜進行烘烤(200 °C , 60 min);在陰極緩沖層上采用旋涂制備P3HT:PCBM(1:15, 20 mg/ml)光活性層(1000 rpm, 25 S)，并進行烘烤(140 °C , 5 min);在光活性層表面噴涂陽極緩沖層摻透明導電納米顆粒(Cu納米顆粒，半徑80 nm，環(huán)己烷溶劑)的PEDOT:PSS溶液(透明導電納米顆5 %，二甲基亞砜7 %,PEDOT:PSS 88 %, 2500 rpm, 60 s, 15nm);將基板采用恒溫熱臺加熱退火的方式進行退火(170 V，10 min);在陽極緩沖層上蒸鍍金屬陽極Ag(150 nm)。在標準測試條件下:AM 1.5，100 mW/cm2，測得器件的Vtje=0.54 V,Jsc=I0.7 mA/cm2, FF=0.55, PCE=3.18 %。
[0029]實施例11:對表面粗糙度小于I nm的由透明襯底及透明導電陰極ITO所組成的基板進行清洗，清洗后用氮氣吹干；在透明導電陰極ITO表面旋轉涂覆ZnO (5000 rpm, 40S，15 nm)，并將所形成的薄膜進行烘烤(200 °C , 60 min);在陰極緩沖層上采用旋涂制備P3HT:PCBM(1:15, 20 mg/ml)光活性層(1000 rpm, 25 S)，并進行烘烤(140 °C , 5 min);在光活性層表面噴涂陽極緩沖層摻透明導電納米顆粒(Cu納米顆粒，半徑50 nm,環(huán)己烷溶劑)的PED0T:PSS溶液(透明導電納米顆5 %，二甲基亞砜7 %，PEDOT: PSS 88 %, 2500 rpm, 60S，15 nm);將基板采用恒溫熱臺加熱退火的方式進行退火(170°C，20min);在陽極緩沖層上蒸鍍金屬陽極Ag(150 nm)。在標準測試條件下:AM 1.5，100 mW/cm2,測得器件的Vqc=0.55V, Jsc=Il.1 mA/cm2, FF=0.56, PCE=3.42 %。
[0030]本發(fā)明實施例為較佳實施方式，但其具體實施并不限于此，本領域的普通技術人員極易根據(jù)上述實施例，領會本發(fā)明的精神，并做出不同的引申和變化，只要不脫離本發(fā)明，都屬本發(fā)明的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種反型有機薄膜太陽能電池，該結構從下到上依次為襯底、透明導電陰極ITOJH極緩沖層、光活性層、陽極緩沖層、金屬陽極，其特征在于:陽級緩沖層內加入了透明導電納米顆粒。
2.根據(jù)權利要求1所述的有機薄膜太陽能電池，其特征在于:所述陽極緩沖層質量百分比組成為2~5 %的透明導電納米顆粒、5~10 %的二甲基亞砜和85~93 %的PED0T:PSS，厚度范圍為15~50 nm。
3.根據(jù)權利要求1、2所述的一種反型有機薄膜太陽能電池，其特征在于:所述透明導電納米顆粒含有金屬納米顆粒和溶劑，金屬納米顆粒為鐵、銅、銀、金、鋁、鎳、鈷、錳、鎘、銦、錫、鎢、鉬的一種或多種，其半徑范圍為10~90 nm;所述溶劑為正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正戊烷、正壬烷、環(huán)戊烷、環(huán)己烷、甲基環(huán)戊烷、甲基環(huán)己烷、石油醚、苯、甲苯、二甲苯、四氯化碳、乙酸乙酯、乙二醇醚乙酸酯或丙二醇醚乙酸酯的一種或多種溶劑。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種反型有機薄膜太陽能電池，其特征在于:所述光活性層由電子給體材料P3HT與電子受體材料PCBM混合制備而成，P3HT:PCBM混合溶液質量組分比為1:20~5: 1，溶液濃度為I~20 mg/ml,厚度為50~300 nm。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種反型有機薄膜太陽能電池，其特征在于:所述陰極緩沖層材料為了?8丨、80?、8?1^11、4193、2110或1102的一種或多種，厚度范圍為I~20 nm。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種反型有機薄膜太陽能電池，其特征在于:所述金屬陽極材料為Ag、Al或Cu，薄層厚度范圍為100~300 nm。
7.根據(jù)權利要求1所述的一種反型有機薄膜太陽能電池，其特征在于:所述襯底材料為玻璃或透明聚 合物，所述透明聚合物材料為聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亞胺、氯醋樹脂或聚丙烯酸的一種或多種。
8.根據(jù)權利要求1-7任意一項所述的一種反型有機薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 1)將襯底和透明導電陰極ITO組成基板，并將基板進行清洗，清洗后用氮氣吹干； 2)在透明導電陰極ITO表面旋轉涂覆、印刷或噴涂ZnO或TiO2溶液，并將所形成的薄膜進行烘烤，形成陰極緩沖層，或采用真空蒸鍍法蒸鍍TPB1、BCP、Bphen、Alq3制備陰極緩沖層； 3)在陰極緩沖層上采用旋涂或噴涂或自組裝或噴墨打印或絲網(wǎng)印刷的方式制備P3HT: PCBM光活性層，并進行烘烤； 4)在光活性層表面蒸鍍，旋轉涂覆或噴涂陽極緩沖層； 5)將基板采用熱退火的方式進行退火； 6)在陽極緩沖層上蒸鍍金屬陽極。
9.根據(jù)權利要求8所述的一種反型有機薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于:所述熱退火方式采用恒溫熱臺加熱、烘箱加熱、遠紅外加熱、熱風加熱、或微波加熱的一種或多種。
10.根據(jù)權利要求8所述的一種反型有機薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于:所述P3HT:PCBM薄膜烘烤的溫度范圍在20~150 °C，所述熱退火溫度范圍為140~170O。
【文檔編號】H01L51/42GK103594627SQ201310522471
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2013年10月30日 優(yōu)先權日:2013年10月30日
【發(fā)明者】于軍勝, 鄭毅帆, 李曙光, 施薇 申請人:電子科技大學