專利名稱：像素結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種半穿透半反射 /反射式液晶顯示器(Transflective/Reflective Liquid Crystal Display)中所使用的 像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
—般的液晶顯示器可分為穿透式、反射式，以及半穿透半反射式等三種。隨著可攜 式電子產(chǎn)品的發(fā)展趨勢(shì)，可利用外界光源的反射式與半穿透半反射式液晶顯示器逐漸受到 重視。然而，在液晶顯示器中，于制作公知的反射式或半穿透半反射式的像素結(jié)構(gòu)時(shí)，需要 再進(jìn)行反射層的制作。并且，通常會(huì)需要再增加額外的制程，以制作表面具有高低起伏的反 射層，而提升反射層對(duì)于光線的反射效果。 圖1A 圖II繪示為公知一種半穿透半反射式液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的制作流程 剖面示意圖。請(qǐng)先參照?qǐng)D1A，首先，提供一基板IIO，且利用第一道光罩制程(first mask) 在基板110上形成一柵極120。接著，請(qǐng)參照?qǐng)DIB，在基板110上形成一柵極絕緣層130以 覆蓋柵極120。再來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)DIC，利用第二道光罩制程(second mask)，在柵極120上方的 柵極絕緣層130上形成一半導(dǎo)體層140。 繼之，請(qǐng)參照?qǐng)DID，利用第三道光罩制程(third mask)在該半導(dǎo)體層140的兩側(cè) 形成一源極152與一漏極154以及圖案化半導(dǎo)體層140'。再來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)DIE，在基板110 上形成保護(hù)層160覆蓋源極152、漏極154與圖案化半導(dǎo)體層140'。接著，請(qǐng)參照?qǐng)DIF，利 用第四道光罩制程(fourth mask)圖案化此保護(hù)層160，以在保護(hù)層160中制作接觸窗開(kāi)口 162，并且同時(shí)移除穿透區(qū)164中的保護(hù)層160。 再來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)DIG，利用第五道光罩制程(fifth mask)圖案化此保護(hù)層160，以形 成多數(shù)個(gè)凸起物166。繼之，請(qǐng)參照?qǐng)D1H，利用第六道光罩制程(sixthmask)于凸起物166 上形成反射層170。之后，請(qǐng)參照?qǐng)Dll，利用第七道光罩制程(seventh mask)制作像素電 極180，此像素電極180透過(guò)接觸窗開(kāi)口 162電性連接漏極154。至此，完成公知半穿透半 反射式液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)100的制作。 如圖1G所示，欲將保護(hù)層160形成為多個(gè)凸起物166時(shí)，此保護(hù)層160需要采用 有機(jī)材質(zhì)，才能易于制作出高低起伏較大的凸起物166。因此，除了保護(hù)層160為有機(jī)材質(zhì) 以外，其它的膜層大多為無(wú)機(jī)材質(zhì)。然而，由于無(wú)機(jī)材質(zhì)與有機(jī)材質(zhì)的特性不相同，所以需 使用不同的制程參數(shù)，這將使得制程較為復(fù)雜。 另外，上述像素結(jié)構(gòu)100需要七道光罩制程以進(jìn)行薄膜晶體管(由柵極120、源極 152與漏極154所組成)與反射層170的制作，所以，不易降低光罩成本。并且，由于制程步 驟較多，也難以提升生產(chǎn)產(chǎn)能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，可簡(jiǎn)化制程步驟、降低生產(chǎn)成本且提升生產(chǎn)產(chǎn)能。 本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，具有易于同時(shí)制作薄膜晶體管、與表面具有高低起伏 的反射層的結(jié)構(gòu)。 基于上述，本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括下列步驟。首先，提供一基 板，此基板具有一主動(dòng)組件區(qū)與一像素區(qū)。接著，在基板上形成一柵極與多數(shù)個(gè)凸起物，其 中柵極位于主動(dòng)組件區(qū)，且凸起物位于像素區(qū)。再來(lái)，形成一柵極絕緣層覆蓋柵極與凸起 物。繼之，在柵極與凸起物上方的柵極絕緣層上形成一半導(dǎo)體層。接著，于柵極上方的圖案 化半導(dǎo)體層的兩側(cè)形成一源極與一漏極。再來(lái)，形成一圖案化保護(hù)層覆蓋基板，且圖案化保 護(hù)層暴露出部分漏極。繼之，在基板上形成一像素電極，而像素電極電性連接于漏極。之后， 于凸起物上方的像素電極上形成至少一反射層。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的反射層的材質(zhì)是選自于鉻、鋁、鈦、鉬、鎢、鉭、銅及
其組合。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的像素區(qū)包括一反射區(qū)與一穿透區(qū)，而凸起物是位 于反射區(qū)中，且像素電極從反射區(qū)延伸到穿透區(qū)。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的圖案化保護(hù)層的材質(zhì)包括無(wú)機(jī)材質(zhì)。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的于柵極上方的半導(dǎo)體層的兩側(cè)形成源極與漏極
時(shí)，更包括移除柵極上方部分的半導(dǎo)體層，以形成一圖案化半導(dǎo)體層。 本發(fā)明再提出一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括下列步驟。首先，提供一基板，此基 板具有一主動(dòng)組件區(qū)與一像素區(qū)。接著，在基板上形成一柵極與多數(shù)個(gè)凸起物，其中柵極位 于主動(dòng)組件區(qū)，且凸起物位于像素區(qū)。再來(lái)，形成一柵極絕緣層覆蓋柵極與凸起物。繼之， 在柵極與凸起物上方的柵極絕緣層上形成一半導(dǎo)體層。接著，于柵極上方的圖案化半導(dǎo)體 層的兩側(cè)形成一源極與一漏極，且同時(shí)形成一反射層覆蓋凸起物。繼之，形成一圖案化保護(hù) 層覆蓋基板，且圖案化保護(hù)層暴露出部分漏極。之后，于基板上形成一像素電極，而像素電 極電性連接漏極。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的反射層與漏極是相同的膜層且彼此相連。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的反射層的材質(zhì)是選自于鉻、鋁、鈦、鉬、鎢、鉭、銅及
其組合。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的像素區(qū)包括一反射區(qū)與一穿透區(qū)，而凸起物是位 于反射區(qū)中，且像素電極從反射區(qū)延伸到穿透區(qū)。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的圖案化保護(hù)層的材質(zhì)包括無(wú)機(jī)材質(zhì)。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的于柵極上方的半導(dǎo)體層的兩側(cè)形成源極與漏極，
且同時(shí)形成反射層覆蓋凸起物時(shí)，更包括移除柵極上方部分的半導(dǎo)體層，以形成一圖案化
半導(dǎo)體層。 本發(fā)明又提出一種像素結(jié)構(gòu)，包括基板、柵極與多數(shù)個(gè)凸起物、柵極絕緣層、圖案 化半導(dǎo)體層、源極與漏極、圖案化保護(hù)層、像素電極以及反射層?；寰哂幸恢鲃?dòng)組件區(qū)與 一像素區(qū)。柵極與凸起物設(shè)置于基板上，其中，柵極位于主動(dòng)組件區(qū)，且凸起物位于像素區(qū)。 柵極絕緣層覆蓋柵極與凸起物。圖案化半導(dǎo)體層設(shè)置在柵極與凸起物上方的柵極絕緣層 上。源極與漏極設(shè)置于柵極上方的圖案化半導(dǎo)體層的兩側(cè)。圖案化保護(hù)層覆蓋基板且暴露 出部分漏極。像素電極設(shè)置于像素區(qū)，而像素電極電性連接漏極。反射層設(shè)置于凸起物上方的像素電極上，或是設(shè)置于凸起物上方的圖案化半導(dǎo)體層與圖案化保護(hù)層之間。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的反射層設(shè)置于凸起物上方的圖案化半導(dǎo)體層與圖
案化保護(hù)層之間時(shí)，反射層與漏極是相同的膜層且彼此相連。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的反射層的材質(zhì)是選自于鉻、鋁、鈦、鉬、鎢、鉭、銅及
其組合。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的像素區(qū)包括一反射區(qū)與一穿透區(qū)，而凸起物是位 于反射區(qū)中，且像素電極從反射區(qū)延伸到穿透區(qū)。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的圖案化保護(hù)層的材質(zhì)包括無(wú)機(jī)材質(zhì)。 本發(fā)明再提出一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括下列步驟。首先，提供一基板，此基
板具有一主動(dòng)組件區(qū)與一像素區(qū)。接著，在基板上形成柵極，且柵極位于主動(dòng)組件區(qū)。再來(lái)，
形成一柵極絕緣層覆蓋柵極。繼之，在柵極絕緣層上形成一半導(dǎo)體層，其中半導(dǎo)體層包括一
通道層與多數(shù)個(gè)凸起物，而通道層位于柵極上方的柵極絕緣層上，凸起物位于像素區(qū)中的
柵極絕緣層上。接著，于通道層的兩側(cè)形成一源極與一漏極，且同時(shí)形成一反射層覆蓋凸起
物。繼之，形成一圖案化保護(hù)層覆蓋基板，且圖案化保護(hù)層暴露出部分漏極。之后，于基板
上形成一像素電極，且像素電極電性連接漏極。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的反射層與漏極是相同的膜層且彼此相連。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的反射層的材質(zhì)是選自于鉻、鋁、鈦、鉬、鎢、鉭、銅及
其組合。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的像素區(qū)包括一反射區(qū)與一穿透區(qū)，而凸起物是位 于反射區(qū)中，且像素電極從反射區(qū)延伸到穿透區(qū)。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的圖案化保護(hù)層的材質(zhì)包括無(wú)機(jī)材質(zhì)。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的于通道層的兩側(cè)形成源極與漏極，且同時(shí)形成反
射層覆蓋凸起物時(shí)，更包括移除柵極上方部分的半導(dǎo)體層，以形成一圖案化半導(dǎo)體層。 本發(fā)明又提出一種像素結(jié)構(gòu)，包括基板、柵極、柵極絕緣層、圖案化半導(dǎo)體層、源極
與漏極、圖案化保護(hù)層、像素電極以及反射層?；寰哂幸恢鲃?dòng)組件區(qū)與一像素區(qū)。柵極設(shè)
置于基板上，且柵極位于主動(dòng)組件區(qū)。柵極絕緣層覆蓋柵極。圖案化半導(dǎo)體層設(shè)置在柵極
絕緣層上，其中圖案化半導(dǎo)體層包括一通道層與多數(shù)個(gè)凸起物，而通道層位于該柵極上方
的柵極絕緣層上，凸起物位于像素區(qū)中的柵極絕緣層上。源極與漏極設(shè)置于通道層的兩側(cè)。
圖案化保護(hù)層覆蓋基板且暴露出部分漏極。像素電極設(shè)置于基板上，而像素電極電性連接
漏極。反射層覆蓋凸起物，且反射層位于凸起物與圖案化保護(hù)層之間。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的反射層與漏極是相同的膜層且彼此相連。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的反射層的材質(zhì)是選自于鉻、鋁、鈦、鉬、鎢、鉭、銅及
其組合。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的像素區(qū)包括一反射區(qū)與一穿透區(qū)，而凸起物是位 于反射區(qū)中，且像素電極從反射區(qū)延伸到穿透區(qū)。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的圖案化保護(hù)層的材質(zhì)包括無(wú)機(jī)材質(zhì)。
本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制作方法利用現(xiàn)有的五道光罩制程，即可以完成薄膜晶體管 的制作，且同時(shí)使反射層的表面具有高低起伏的形狀。所以，可以簡(jiǎn)化制程步驟、降低光罩 成本與提升生產(chǎn)產(chǎn)能。另外，藉由上述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法可易于同時(shí)制作薄膜晶體管、與表面具有高低起伏的反射層的像素結(jié)構(gòu)。


圖1A 圖II繪示為公知一種半穿透半反射式液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的制作流程 剖面示意圖。 圖2A 圖2H繪示為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的制作流程剖面示意圖。
圖3A 圖3G繪示為本發(fā)明第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的制作流程剖面示意圖。
圖4A 圖4G繪示為本發(fā)明第三實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的制作流程剖面示意圖。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附 圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。
具體實(shí)施例方式
在以下所有的實(shí)施例中，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制作方法適于制作半穿透半反射式 的像素結(jié)構(gòu)、或是反射式的像素結(jié)構(gòu)。以下圖式僅以半穿透半反射式的像素結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行 說(shuō)明，本發(fā)明并不限定僅用于半穿透半反射式的像素結(jié)構(gòu)的制作。
第一實(shí)施例 圖2A 圖2H繪示為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的制作流程剖面示意圖，請(qǐng)依 序參照?qǐng)D2A 2H。 首先，請(qǐng)參照?qǐng)D2A，提供一基板210，此基板210具有一主動(dòng)組件區(qū)212與一像素 區(qū)214。此基板210可以是玻璃基板、硅基板或是其它類似材質(zhì)的基板。接著，在基板210 上形成一柵極220a與多數(shù)個(gè)凸起物220b，其中柵極220a位于主動(dòng)組件區(qū)212，且凸起物 220b位于像素區(qū)214。柵極220a與凸起物220b是利用第一道光罩制程所制作的，并且，柵 極220a與凸起物220b的材質(zhì)例如是選自于鉻、鋁、鈦、鉬、鴇、鉭、銅及其組合。
再來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D2B，形成一柵極絕緣層230覆蓋柵極220a與凸起物220b。形成柵 極絕緣層230的方法例如是化學(xué)氣相沈積法，而柵極絕緣層230的材質(zhì)例如是氧化硅、氮化 硅、氮氧化硅或是類似的材質(zhì)。 繼之，請(qǐng)參照?qǐng)D2C，在柵極220a與凸起物220b上方的柵極絕緣層230上形成一半 導(dǎo)體層240。此半導(dǎo)體層240是利用第二道光罩制程所制作的。并且，此半導(dǎo)體層240的材 質(zhì)例如是非晶硅或是多晶硅。 接著，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2C與圖2D，于柵極220a上方的半導(dǎo)體層240的兩側(cè)形成一源 極252與一漏極254。此源極252與漏極254是利用第三道光罩制程所制作的，并利用此 光罩形成一圖案化半導(dǎo)體層240'，其中，位于柵極220a上方的圖案化半導(dǎo)體層240'是作 為一通道層。更詳細(xì)而言，可以于柵極220a上方的半導(dǎo)體層240的兩側(cè)形成源極252與漏 極254時(shí)，更包括移除柵極220a上方部分的半導(dǎo)體層240，以形成一圖案化半導(dǎo)體層240'。 另外，源極252、漏極254的材質(zhì)例如是選自于鉻、鋁、鈦、鉬、鎢、鉭、銅及其組合。特別是，柵 極220a、源極252與漏極254構(gòu)成了一個(gè)薄膜晶體管。 再來(lái)，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2E與圖2F，形成一圖案化保護(hù)層260'覆蓋基板，且圖案化保 護(hù)層260'暴露出部分漏極254。此圖案化保護(hù)層260'的材質(zhì)例如是無(wú)機(jī)材質(zhì)。更詳細(xì)而 言，如圖2E所繪示，首先利用化學(xué)氣相沈積法在基板210上沈積一層保護(hù)層260。之后，如圖2F所繪示，利用第四道光罩制程在保護(hù)層260中制作一接觸窗開(kāi)口 262，進(jìn)而使得圖案化 保護(hù)層260'暴露出部分漏極254。 特別是，由于圖案化保護(hù)層260'使用無(wú)機(jī)材質(zhì)，相較于公知使用有機(jī)材質(zhì)的保護(hù) 層160而言(如圖1G 圖1H所繪示)，此步驟不需對(duì)于現(xiàn)行的制程參數(shù)進(jìn)行變更，而有利 于簡(jiǎn)化制程。 繼之，請(qǐng)參照?qǐng)D2G，在基板210上形成一像素電極270，而像素電極270電性連接 于漏極254。此像素電極270的材質(zhì)為透明導(dǎo)電材質(zhì)，舉例而言，像素電極270的材質(zhì)可以 是銦錫氧化物或是銦鋅氧化物。并且，此像素電極270是利用第五道光罩制程所制作的，而 像素電極270是經(jīng)由接觸窗開(kāi)口 262而電性連接到漏極254。 之后，請(qǐng)參照?qǐng)D2H，于凸起物220b上方的像素電極270上形成一反射層280。此 反射層280的材質(zhì)例如是選自于鉻、鋁、鈦、鉬、鎢、鉭、銅及其組合。此反射層280是利用第 六道光罩制程所制作的。至此，完成像素結(jié)構(gòu)200的制作。 承上述，如圖2H所示，當(dāng)反射層280僅設(shè)置于部分像素區(qū)214中時(shí)，此像素結(jié)構(gòu) 200是半穿透半反射式的像素結(jié)構(gòu)。更詳細(xì)而言，像素區(qū)214包括一反射區(qū)214a與一穿透 區(qū)214b，而凸起物220b是位于反射區(qū)214a中，且像素電極270從反射區(qū)214a延伸到穿透 區(qū)214b。因此，在反射區(qū)214a中的反射層280可反射來(lái)自外界的光線，而在穿透區(qū)214b的 像素電極270可利用使來(lái)自背光模塊(未繪示)而由背面出射的光線。
但是，當(dāng)反射層280設(shè)置于全部的像素區(qū)214時(shí)，此時(shí)即成為反射式的像素結(jié)構(gòu) (未繪示)。特別是，配合如圖2A所繪示的步驟，可先在全部的像素區(qū)214 (包含反射區(qū)214a 與穿透區(qū)214b)中形成凸起物220b，以使后續(xù)所制作的反射層280具有良好的光線反射效 果。 承上所述，利用六道光罩制程可同時(shí)制作柵極220a與凸起物220b，且藉由膜層的
堆棧而使反射層280的表面具有高低起伏的形狀。相較于公知的七道光罩制程而言，此像
素結(jié)構(gòu)200的制造方法具有簡(jiǎn)單的制程步驟，可以降低成本且提升生產(chǎn)產(chǎn)能。 以下將繼續(xù)說(shuō)明經(jīng)由上述像素結(jié)構(gòu)的制作方法所制作的像素結(jié)構(gòu)200。請(qǐng)繼續(xù)參
照?qǐng)D2H，此像素結(jié)構(gòu)200包括基板210、柵極220a與多數(shù)個(gè)凸起物220b、柵極絕緣層230、
圖案化半導(dǎo)體層240'、源極252與漏極254、圖案化保護(hù)層260'、像素電極270以及反射層
280。 如圖2H所示，基板210具有一主動(dòng)組件區(qū)212與一像素區(qū)214。柵極220a與凸 起物220b設(shè)置于基板210上，其中，柵極220a位于主動(dòng)組件區(qū)212，且凸起物220b位于像 素區(qū)214。柵極絕緣層230覆蓋柵極220a與凸起物220b。圖案化半導(dǎo)體層240'設(shè)置在柵 極220a與凸起物220b上方的柵極絕緣層230上。源極252與漏極254設(shè)置于柵極220a 上方的圖案化半導(dǎo)體層240'的兩側(cè)。圖案化保護(hù)層260'覆蓋基板210且暴露出部分漏極 254。像素電極270設(shè)置于基板210上，而像素電極270電性連接漏極254。反射層280設(shè) 置于凸起物220b上方的像素電極270上。 同樣地，當(dāng)反射層280僅設(shè)置于凸起物220b上方的像素電極270上時(shí)，此像素結(jié) 構(gòu)200是半穿透半反射式的像素結(jié)構(gòu)。然而，當(dāng)反射層280設(shè)置于像素電極270上且位于 整個(gè)像素區(qū)214中時(shí)(未繪示于圖中)，此像素結(jié)構(gòu)即為一反射式的像素結(jié)構(gòu)。上述的像素 結(jié)構(gòu)200具有簡(jiǎn)單而易于制作結(jié)構(gòu)，所以能節(jié)省生產(chǎn)成本。
至于像素結(jié)構(gòu)200的各組件所使用的材料、膜層設(shè)置方式等已于圖2A 圖2H的
內(nèi)容中所述，因此不予以重述。 第二實(shí)施例 圖3A 圖3G繪示為本發(fā)明第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的制作流程剖面示意圖，請(qǐng)依 序參照?qǐng)D3A 3G。 首先，請(qǐng)參照?qǐng)D3A，提供一基板310，此基板310具有一主動(dòng)組件區(qū)312與一像素 區(qū)314。此基板310可以是玻璃基板、硅基板或是其它類似材質(zhì)的基板。接著，在基板310 上形成一柵極320a與多數(shù)個(gè)凸起物320b，其中柵極320a位于主動(dòng)組件區(qū)312，且凸起物 320b位于像素區(qū)314。柵極320a與凸起物320b是利用第一道光罩制程所制作的，并且，柵 極320a與凸起物320b的材質(zhì)例如是選自于鉻、鋁、鈦、鉬、鴇、鉭、銅及其組合。
再來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D3B，形成一柵極絕緣層330覆蓋柵極320a與凸起物320b。形成柵 極絕緣層330的方法例如是化學(xué)氣相沈積法，而柵極絕緣層330的材質(zhì)例如是氧化硅、氮化 硅、氮氧化硅或是類似的材質(zhì)。 繼之，請(qǐng)參照?qǐng)D3C，在柵極320a與凸起物320b上方的柵極絕緣層330上形成一半 導(dǎo)體層340。此半導(dǎo)體層340是利用第二道光罩制程所制作的。并且，此半導(dǎo)體層340的材 質(zhì)例如是非晶硅或是多晶硅。 接著，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3C與圖3D，于柵極320a上方的半導(dǎo)體層340的兩側(cè)形成一源 極352與一漏極354，且同時(shí)形成一反射層360覆蓋凸起物320b。此源極352、漏極354與反 射層360是利用第三道光罩制程所制作的，并利用此光罩形成一圖案化半導(dǎo)體層340'，其 中，位于柵極320a上方的圖案化半導(dǎo)體層340'是作為一通道層。更詳細(xì)而言，于柵極320a 上方的半導(dǎo)體層340的兩側(cè)形成源極352與漏極354，且同時(shí)形成反射層360覆蓋凸起物 320b時(shí)，更包括移除柵極320a上方部分的半導(dǎo)體層340，以形成一圖案化半導(dǎo)體層340'。
另外，源極352、漏極354與反射層360的材質(zhì)例如是選自于鉻、鋁、鈦、鉬、鎢、鉭、 銅及其組合。并且，柵極320a、源極352與漏極354構(gòu)成了一個(gè)薄膜晶體管。與前述第一實(shí) 施例不同的是，在第三道光罩制程中同時(shí)形成了反射層360。 特別是，如圖3D所示，反射層360與漏極354是相同的膜層且彼此相連。然而，在 其它的實(shí)施例中，也可以使反射層360與漏極354是彼此分離的(未繪示)。
繼之，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3E與圖3F，形成一圖案化保護(hù)層370'覆蓋基板，且圖案化保 護(hù)層370'暴露出部分漏極354。此圖案化保護(hù)層370'的材質(zhì)例如是無(wú)機(jī)材質(zhì)。更詳細(xì)而 言，如圖3E所繪示，利用化學(xué)氣相沈積法在整個(gè)基板310上沈積一層保護(hù)層370。之后，如 圖3F所繪示，利用第四道光罩制程在保護(hù)層370中制作一接觸窗開(kāi)口 372，進(jìn)而使得圖案化 保護(hù)層370'暴露出部分漏極354。 特別是，由于圖案化保護(hù)層370'使用無(wú)機(jī)材質(zhì)，相較于公知使用有機(jī)材質(zhì)的保護(hù) 層160而言(如圖1G 圖1H所繪示)，此步驟不需對(duì)于現(xiàn)行的制程參數(shù)進(jìn)行變更，而有利 于簡(jiǎn)化制程。另外，圖案化保護(hù)層370'還可以使用透明的無(wú)機(jī)材質(zhì)，使反射層360更能夠 有效地反射來(lái)自外界的光線。 之后，請(qǐng)參照?qǐng)D3G，于基板310上形成一像素電極380，而像素電極380電性連接 漏極354。此像素電極380的材質(zhì)為透明導(dǎo)電材質(zhì)，舉例而言，像素電極380的材質(zhì)可以是 銦錫氧化物或是銦鋅氧化物。并且，此像素電極380是利用第五道光罩制程所制作的，而像素電極380是經(jīng)由接觸窗開(kāi)口 372而電性連接到漏極354。 值得注意的是，如圖3G所示的反射層360設(shè)置于部分像素區(qū)314中，此時(shí)，像素結(jié) 構(gòu)300為半穿透半反射式的像素結(jié)構(gòu)。更詳細(xì)而言，此像素區(qū)314包括一反射區(qū)314a與 一穿透區(qū)314b，而凸起物320b是位于反射區(qū)314a中，且像素電極380從反射區(qū)314a延伸 到穿透區(qū)314b。所以，在反射區(qū)314a中的反射層360可反射來(lái)自外界的光線，而在穿透區(qū) 314b的像素電極380可利用來(lái)自背光模塊(未繪示)而由背面出射的光線。
但是，反射層360也可以設(shè)置于全部的像素區(qū)314中，而成為反射式的像素結(jié)構(gòu) (未繪示)。特別是，配合如圖3A所繪示的步驟，可先在全部的像素區(qū)314中形成凸起物 320b，以使后續(xù)所制作的反射層360具有更佳的光線反射效果。 承上所述，上述像素結(jié)構(gòu)的制作方法僅利用五道光罩，即可形成半穿透半反射式 的像素結(jié)構(gòu)、或是反射式的像素結(jié)構(gòu)，因而可簡(jiǎn)化制程并降低成本。換言之，利用制作薄膜 晶體管的原有的光罩制程可同時(shí)制作柵極320a與凸起物320b，且可同時(shí)制作源極352、漏 極354與反射層360，因此，不需增加額外的光罩制程，即可以使反射層360的表面具有良好 的高低起伏形狀。 以下將繼續(xù)說(shuō)明經(jīng)由上述像素結(jié)構(gòu)的制作方法所制作的像素結(jié)構(gòu)300。請(qǐng)繼續(xù)參 照?qǐng)D3G，此像素結(jié)構(gòu)300包括基板310、柵極320a與多數(shù)個(gè)凸起物320b、柵極絕緣層330、 圖案化半導(dǎo)體層340'、源極352與漏極354、圖案化保護(hù)層370'、像素電極380以及反射層 360。 請(qǐng)參照?qǐng)D3G，基板310具有主動(dòng)組件區(qū)312與像素區(qū)314。柵極320a與凸起物320b 設(shè)置于基板310上，其中，柵極320a位于主動(dòng)組件區(qū)312，且凸起物320b位于像素區(qū)314。 柵極絕緣層330覆蓋柵極320a與凸起物320b。圖案化半導(dǎo)體層340'設(shè)置在柵極320a與 凸起物320b上方的柵極絕緣層330上。源極352與漏極354設(shè)置于柵極320a上方的圖案 化半導(dǎo)體層340'的兩側(cè)。圖案化保護(hù)層370'覆蓋基板310且暴露出部分漏極354。像素 電極380設(shè)置于基板310上，而像素電極380電性連接漏極354。反射層360設(shè)置于凸起物 320b上方的圖案化半導(dǎo)體層340'與圖案化保護(hù)層370'之間。 如圖3G所繪示，當(dāng)反射層360設(shè)置于凸起物320b上方的圖案化半導(dǎo)體層340'與 圖案化保護(hù)層370'之間時(shí)，反射層360與漏極354是相同的膜層且彼此相連。當(dāng)然，反射 層360與漏極354也可以彼此不相連(未繪示)。 值得注意的是，此像素結(jié)構(gòu)300可以是半穿透半反射式的像素結(jié)構(gòu)，或是反射式 的像素結(jié)構(gòu)。 當(dāng)像素結(jié)構(gòu)300為半穿透半反射式的像素結(jié)構(gòu)時(shí)，像素區(qū)314可以包括一反射區(qū) 314a與一穿透區(qū)314b，而凸起物320b是位于反射區(qū)314a中，且像素電極380從反射區(qū)314a 延伸到穿透區(qū)314b。 當(dāng)然，也可以使反射層360設(shè)置于整個(gè)像素區(qū)314中，使像素結(jié)構(gòu)300為反射式的 像素結(jié)構(gòu)(未繪示)。更詳細(xì)而言，配合如圖3D所示的第三道光罩制程，在形成源極352、 漏極354與反射層360時(shí)，使反射層360延伸于整個(gè)像素區(qū)314中(未繪示于圖中)。亦 即，反射層360會(huì)延伸于反射區(qū)314a與穿透區(qū)314b中。上述的像素結(jié)構(gòu)300具有簡(jiǎn)單的 結(jié)構(gòu)而易于制作，進(jìn)而能節(jié)省生產(chǎn)成本。
第三實(shí)施例
圖4A 圖4G繪示為本發(fā)明第三實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的制作流程剖面示意圖，請(qǐng)依 序參照?qǐng)D4A 4G。 首先，請(qǐng)參照?qǐng)D4A，提供一基板410，此基板410具有一主動(dòng)組件區(qū)412與一像素 區(qū)414。此基板410可以是玻璃基板、硅基板或是其它類似材質(zhì)的基板。接著，在基板410 上形成柵極420，且柵極420位于主動(dòng)組件區(qū)412。柵極420是利用第一道光罩制程所制作 的，并且，柵極420的材質(zhì)例如是選自于鉻、鋁、鈦、鉬、鎢、鉭、銅及其組合。特別是，在第一 道光罩制程中僅形成柵極420。 再來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D4B，形成一柵極絕緣層430覆蓋柵極420。形成柵極絕緣層430的 方法例如是化學(xué)氣相沈積法，而柵極絕緣層430的材質(zhì)例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或 是類似的材質(zhì)。 繼之，請(qǐng)參照?qǐng)D4C，在柵極絕緣層430上形成一半導(dǎo)體層440，其中半導(dǎo)體層440 包括一通道層440a與多數(shù)個(gè)凸起物440b，而通道層440a位于柵極420上方的柵極絕緣層 430上，凸起物440b位于像素區(qū)414中的柵極絕緣層430上。此半導(dǎo)體層440是利用第二 道光罩制程所制作的。并且，此半導(dǎo)體層440的材質(zhì)例如是非晶硅或是多晶硅。與前述第 一實(shí)施例與第二實(shí)施例不同的是，本實(shí)施例在第二道光罩制程同時(shí)形成通道層440a與凸 起物440b。 接著，請(qǐng)參照?qǐng)D4D，于通道層440a的兩側(cè)形成一源極452與一漏極454，且同時(shí)形 成一反射層460覆蓋凸起物440b。此源極452、漏極454與反射層460是利用第三道光罩 制程所制作的，并且利用此光罩形成一圖案化半導(dǎo)體層440'。更詳細(xì)而言，可以于通道層 440a的兩側(cè)形成源極452與漏極454，且同時(shí)形成反射層460覆蓋凸起物440b時(shí)，更包括 移除柵極420上方部分的半導(dǎo)體層440，以形成一圖案化半導(dǎo)體層440'。另外，源極452、 漏極454與反射層460的材質(zhì)例如是選自于鉻、鋁、鈦、鉬、鎢、鉭、銅及其組合。并且，柵極 420、源極452與漏極454構(gòu)成了一個(gè)薄膜晶體管。特別是，如圖4D所示的反射層460與漏 極454是相同的膜層且彼此相連。然而，在其它的實(shí)施例中，也可以使反射層460與漏極 454是彼此分離的(未繪示)。 繼之，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D4E與圖4F，形成一圖案化保護(hù)層470'覆蓋基板410，且圖案 化保護(hù)層470'暴露出部分漏極454。此圖案化保護(hù)層470'的材質(zhì)例如是無(wú)機(jī)材質(zhì)。更詳 細(xì)而言，如圖4E所繪示，利用化學(xué)氣相沈積法在整個(gè)基板410上沈積一層保護(hù)層470。之 后，如圖4F所繪示，利用第四道光罩制程在保護(hù)層470中制作一接觸窗開(kāi)口 472，進(jìn)而使得 圖案化保護(hù)層470'暴露出部分漏極454。 特別是，由于圖案化保護(hù)層470'使用無(wú)機(jī)材質(zhì)，相較于公知使用有機(jī)材質(zhì)的保護(hù) 層160而言(如圖1G 圖1H所繪示)，此步驟不需對(duì)于現(xiàn)行的制程參數(shù)進(jìn)行變更，而有利 于簡(jiǎn)化制程。另外，圖案化保護(hù)層470'還可以使用透明的無(wú)機(jī)材質(zhì)，以使反射層460能夠 更有效地反射來(lái)自外界的光線。 之后，請(qǐng)參照?qǐng)D4G，于基板410上形成一像素電極480，且像素電極480電性連接 漏極454。此像素電極480的材質(zhì)為透明導(dǎo)電材質(zhì)，舉例而言，像素電極480的材質(zhì)可以是 銦錫氧化物或是銦鋅氧化物。并且，此像素電極480是利用第五道光罩制程所制作的，而像 素電極480是經(jīng)由接觸窗開(kāi)口 472而電性連接到漏極454。 承上述，如圖4G所示的反射層460僅設(shè)置于部分像素區(qū)414中時(shí)，此像素結(jié)構(gòu)400是半穿透半反射式的像素結(jié)構(gòu)。更詳細(xì)而言，此像素區(qū)414包括一反射區(qū)414a與一穿透區(qū) 414b，而凸起物440b是位于反射區(qū)414a中，且像素電極480從反射區(qū)414a延伸到穿透區(qū) 414b。因此，在反射區(qū)414a中的反射層460可反射來(lái)自外界的光線，而在穿透區(qū)414b的像 素電極480可利用使來(lái)自背光模塊(未繪示)而由背面出射的光線。 但是，反射層460也可以設(shè)置于全部的像素區(qū)414時(shí)，此時(shí)即成為反射式的像素結(jié) 構(gòu)(未繪示)。特別是，配合如圖4C所繪示的步驟，可先在全部的像素區(qū)414中形成凸起物 440b，以使后續(xù)所制作的反射層460具有更佳的光線反射效果。 承上所述，上述像素結(jié)構(gòu)的制作方法僅利用五道光罩，即可形成半穿透半反射式 的像素結(jié)構(gòu)、或是反射式的像素結(jié)構(gòu)，因而可簡(jiǎn)化制程并節(jié)省成本。換言之，利用制作薄膜 晶體管的原有的光罩制程同時(shí)制作通道層440a與凸起物440b，且同時(shí)制作源極452、漏極 454與反射層460。因此，不需增加額外的光罩制程，即可以使反射層460的表面具有高低 起伏的形狀。 以下將繼續(xù)說(shuō)明經(jīng)由上述像素結(jié)構(gòu)的制作方法所制作的像素結(jié)構(gòu)400。請(qǐng)繼續(xù)參 照?qǐng)D4G，此像素結(jié)構(gòu)400包括基板410、柵極420、柵極絕緣層430、圖案化半導(dǎo)體層440'、源 極452與漏極454、圖案化保護(hù)層470'、像素電極480以及反射層460。
如圖4G所繪示，基板410具有一主動(dòng)組件區(qū)412與一像素區(qū)414。柵極420設(shè)置 于基板410上，且柵極420位于主動(dòng)組件區(qū)412。柵極絕緣層430覆蓋柵極420。圖案化半 導(dǎo)體層440'設(shè)置在柵極絕緣層430上，其中圖案化半導(dǎo)體層440'包括一通道層440a與多 數(shù)個(gè)凸起物440b，而通道層440a位于該柵極420上方的柵極絕緣層430上，凸起物440b位 于像素區(qū)414中的柵極絕緣層430上。源極452與漏極454設(shè)置于通道層440a的兩側(cè)。圖 案化保護(hù)層470'覆蓋基板410且暴露出部分漏極454。像素電極480設(shè)置于基板410上， 而像素電極480電性連接漏極454。反射層460覆蓋凸起物440b，且反射層460位于凸起 物440b與圖案化保護(hù)層470'之間。 如圖4G所繪示的反射層460位于凸起物440b與圖案化保護(hù)層470'之間時(shí)，反射 層460與漏極454是相同的膜層且彼此相連。當(dāng)然，反射層460與漏極454也可以彼此不 相連(未繪示)。 另外，此像素結(jié)構(gòu)400為半穿透半反射式的像素結(jié)構(gòu)時(shí)，像素區(qū)414可以包括一反 射區(qū)414a與一穿透區(qū)414b，而凸起物440b是位于反射區(qū)414a中，且像素電極480從反射 區(qū)414a延伸到穿透區(qū)414b。 當(dāng)然，也可以使反射層460設(shè)置于整個(gè)像素區(qū)414中，使此像素結(jié)構(gòu)成為反射式的 像素結(jié)構(gòu)(未繪示于圖中)。更詳細(xì)而言，配合如圖4D的第三道光罩制程，在形成源極452、 漏極454與反射層460時(shí)，使反射層460延伸于整個(gè)像素區(qū)414中(未繪示于圖中)，亦即， 反射層460會(huì)延伸于反射區(qū)414a與穿透區(qū)414b中。此時(shí)，像素結(jié)構(gòu)400即為一反射式的 像素結(jié)構(gòu)。上述的像素結(jié)構(gòu)400具有簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)而易于制作，進(jìn)而能節(jié)省生產(chǎn)成本
綜上所述，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法具有下述優(yōu)點(diǎn) (1)利用制作薄膜晶體管的原有的光罩制程同時(shí)制作柵極與凸起物、或同時(shí)制作 通道層與凸起物、或同時(shí)制作源極、漏極與反射層，因此，不需增加額外的光罩制程，即可使 反射層的表面具有高低起伏的形狀。
(2)保護(hù)層采用無(wú)機(jī)材質(zhì)，相較于公知的保護(hù)層使用有機(jī)材質(zhì)而言，不需要變更現(xiàn)有制程。并且，利用膜層的堆棧，也可在使用無(wú)機(jī)材質(zhì)的情形下，使反射層的表面易于具有 高低起伏的形狀。
(3)此像素結(jié)構(gòu)的制造方法所使用的光罩?jǐn)?shù)量少，所以制程簡(jiǎn)單，且光罩成本低。
(4)此像素結(jié)構(gòu)與有易于同時(shí)制作薄膜晶體管、與表面具有高低起伏的反射層的 結(jié)構(gòu)。 雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù) 領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此 本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括提供一基板，該基板具有一主動(dòng)組件區(qū)與一像素區(qū)；在該基板上形成一柵極與多數(shù)個(gè)凸起物，其中該柵極位于該主動(dòng)組件區(qū)，且該些凸起物位于該像素區(qū)；形成一柵極絕緣層覆蓋該柵極與該些凸起物；在該柵極與該些凸起物上方的該柵極絕緣層上形成一半導(dǎo)體層；于該柵極上方的該半導(dǎo)體層的兩側(cè)形成一源極與一漏極；形成一圖案化保護(hù)層覆蓋該基板，且該圖案化保護(hù)層暴露出部分該漏極；在該基板上形成一像素電極，而該像素電極電性連接于該漏極；以及于該些凸起物上方的該像素電極上形成至少一反射層。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該反射層的材質(zhì)是選自于鉻、鋁、鈦、鉬、鴇、鉭、銅及其組合。
3. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該像素區(qū)包括一反射區(qū)與一穿透區(qū)，而該些凸起物是位于該反射區(qū)中，且該像素電極從該反射區(qū)延伸到該穿透區(qū)。
4. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該圖案化保護(hù)層的材質(zhì)包括無(wú)機(jī)材質(zhì)。
5. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，于該柵極上方的該半導(dǎo)體層的兩側(cè)形成該源極與該漏極時(shí)，更包括移除該柵極上方部分的該半導(dǎo)體層，以形成一圖案化半導(dǎo)體層。
6. —種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括提供一基板，該基板具有一主動(dòng)組件區(qū)與一像素區(qū)；在該基板上形成一柵極與多數(shù)個(gè)凸起物，其中該柵極位于該主動(dòng)組件區(qū)，且該些凸起物位于該像素區(qū)；形成一柵極絕緣層覆蓋該柵極與該些凸起物；在該柵極與該些凸起物上方的該柵極絕緣層上形成一半導(dǎo)體層；于該柵極上方的該半導(dǎo)體層的兩側(cè)形成一源極與一漏極，且同時(shí)形成一反射層覆蓋該些凸起物；形成一圖案化保護(hù)層覆蓋該基板，且該圖案化保護(hù)層暴露出部分該漏極；以及于該基板上形成一像素電極，而該像素電極電性連接該漏極。
7. 如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該反射層與該漏極是相同的膜層且彼此相連。
8. 如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該反射層的材質(zhì)是選自于鉻、鋁、鈦、鉬、鴇、鉭、銅及其組合。
9. 如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該像素區(qū)包括一反射區(qū)與一穿透區(qū)，而該些凸起物是位于該反射區(qū)中，且該像素電極從該反射區(qū)延伸到該穿透區(qū)。
10. 如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該圖案化保護(hù)層的材質(zhì)包括無(wú)機(jī)材質(zhì)。
11. 如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，于該柵極上方的該半導(dǎo)體層的兩側(cè)形成該源極與該漏極，且同時(shí)形成該反射層覆蓋該些凸起物時(shí)，更包括移除該柵極上方部分的該半導(dǎo)體層，以形成一圖案化半導(dǎo)體層。
12. —種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 一基板，該基板具有一主動(dòng)組件區(qū)與一像素區(qū)；一柵極與多數(shù)個(gè)凸起物，設(shè)置于該基板上，其中，該柵極位于該主動(dòng)組件區(qū)，且該些凸 起物位于該像素區(qū)；一柵極絕緣層，覆蓋該柵極與該些凸起物；一圖案化半導(dǎo)體層，設(shè)置在該柵極與該些凸起物上方的該柵極絕緣層上； 一源極與一漏極，設(shè)置于該柵極上方的該圖案化半導(dǎo)體層的兩側(cè)； 一圖案化保護(hù)層，覆蓋該基板且暴露出部分該漏極； 一像素電極，設(shè)置于該基板上，而該像素電極電性連接該漏極；以及 一反射層，設(shè)置于該些凸起物上方的該像素電極上，或是設(shè)置于該些凸起物上方的該 圖案化半導(dǎo)體層與該圖案化保護(hù)層之間。
13. 如權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該反射層與該漏極是相同的膜層且 彼此相連。
14. 如權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該反射層的材質(zhì)是選自于鉻、鋁、鈦、 鉬、鴇、鉭、銅及其組合。
15. 如權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素區(qū)包括一反射區(qū)與一穿透區(qū)， 而該些凸起物是位于該反射區(qū)中，且該像素電極從該反射區(qū)延伸到該穿透區(qū)。
16. 如權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該圖案化保護(hù)層的材質(zhì)包括無(wú)機(jī)材質(zhì)。
17. —種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括 提供一基板，該基板具有一主動(dòng)組件區(qū)與一像素區(qū)； 在該基板上形成一柵極，且該柵極位于該主動(dòng)組件區(qū)； 形成一柵極絕緣層覆蓋該柵極；在該柵極絕緣層上形成一半導(dǎo)體層，其中該半導(dǎo)體層包括一通道層與多數(shù)個(gè)凸起物， 而該通道層位于該柵極上方的該柵極絕緣層上，該些凸起物位于該像素區(qū)中的該柵極絕緣 層上；于該通道層的兩側(cè)形成一源極與一漏極，且同時(shí)形成一反射層覆蓋該些凸起物； 形成一圖案化保護(hù)層覆蓋該基板，且該圖案化保護(hù)層暴露出部分該漏極；以及 于該基板上形成一像素電極，且該像素電極電性連接該漏極。
18. 如權(quán)利要求17所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該反射層與該漏極是相 同的膜層且彼此相連。
19. 如權(quán)利要求17所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該反射層的材質(zhì)是選自 于鉻、鋁、鈦、鉬、鴇、鉭、銅及其組合。
20. 如權(quán)利要求17所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該像素區(qū)包括一反射區(qū) 與一穿透區(qū)，而該些凸起物是位于該反射區(qū)中，且該像素電極從該反射區(qū)延伸到該穿透區(qū)。
21. 如申請(qǐng)專利范圍第17項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該圖案化保護(hù) 層的材質(zhì)包括無(wú)機(jī)材質(zhì)。
22. 如權(quán)利要求17所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，于該半導(dǎo)體層的兩側(cè)形成該源極與該漏極，且同時(shí)形成該反射層覆蓋該些凸起物時(shí)，更包括移除該柵極上方部分 的該半導(dǎo)體層，以形成一圖案化半導(dǎo)體層。
23. —種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 一基板，該基板具有一主動(dòng)組件區(qū)與一像素區(qū)； 一柵極，設(shè)置于該基板上，且該柵極位于該主動(dòng)組件區(qū)； 一柵極絕緣層，覆蓋該柵極；一圖案化半導(dǎo)體層，設(shè)置在該柵極絕緣層上，其中該圖案化半導(dǎo)體層包括一通道層與 多數(shù)個(gè)凸起物，而該通道層位于該柵極上方的該柵極絕緣層上，該些凸起物位于該像素區(qū) 中的該柵極絕緣層上；一源極與一漏極，設(shè)置于該通道層的兩側(cè)；一圖案化保護(hù)層，覆蓋該基板且暴露出部分該漏極；一像素電極，設(shè)置于該基板上，而該像素電極電性連接該漏極；以及一反射層，覆蓋該些凸起物，且該反射層位于該些凸起物與該圖案化保護(hù)層之間。
24. 如權(quán)利要求23所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該反射層與該漏極是相同的膜層且 彼此相連。
25. 如權(quán)利要求23所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該反射層的材質(zhì)是選自于鉻、鋁、鈦、 鉬、鴇、鉭、銅及其組合。
26. 如權(quán)利要求23所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素區(qū)包括一反射區(qū)與一穿透區(qū)， 而該些凸起物是位于該反射區(qū)中，且該像素電極從該反射區(qū)延伸到該穿透區(qū)。
27. 如權(quán)利要求23所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該圖案化保護(hù)層的材質(zhì)包括無(wú)機(jī)材質(zhì)。
全文摘要
一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，利用制作薄膜晶體管的原有光罩?jǐn)?shù)制程可同時(shí)制作表面具有起伏形狀的反射層。在薄膜晶體管的制作過(guò)程中，預(yù)先在后續(xù)欲形成的反射層的下方制作凸起物，此凸起物是與薄膜晶體管的柵極同時(shí)形成、或是與薄膜晶體管的半導(dǎo)體層同時(shí)形成。并且，通過(guò)在凸起物上堆棧膜層，可使得在凸起物上方形成的反射層具有良好的高低起伏形狀。因此，此像素結(jié)構(gòu)的制作方法具有制程簡(jiǎn)單、生產(chǎn)成本低的優(yōu)點(diǎn)，且可用于制作半穿透半反射式的像素結(jié)構(gòu)、或是反射式的像素結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H01L27/04GK101728323SQ20081020109
公開(kāi)日2010年6月9日 申請(qǐng)日期2008年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月13日
發(fā)明者張?jiān)? 張錫明, 江佳銘 申請(qǐng)人:華映視訊(吳江)有限公司;中華映管股份有限公司