專利名稱：像素結(jié)構(gòu)及其的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)及其的形成方法(PIXEL STRUCTUREAND METHOD FOR FORMING THE SAME)，且特別是有關(guān)于一種具有儲存電容的像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
請參照圖1，其表示傳統(tǒng)的像素結(jié)構(gòu)的剖面圖。像素結(jié)構(gòu)100具有一基板109?；?09上形成一半導(dǎo)體層120。半導(dǎo)體層120及基板109上覆蓋有一絕緣層150。絕緣層150上形成一柵極116，并覆蓋有一內(nèi)層介電層190于柵極116上。絕緣層150及內(nèi)層介電層190具有兩個開口162，以暴露出半導(dǎo)體層120。一源極114、一漏極112及一電容電極101形成于內(nèi)層介電層190上。源極114及漏極112是經(jīng)由開口162與半導(dǎo)體層120電性連接。
一保護(hù)層102形成于內(nèi)層介電層190上，且覆蓋源極114、漏極112及電容電極101，并具有一接觸洞(contact hole)163，以暴露出源極114。像素電極103形成于保護(hù)層102上，并經(jīng)由接觸洞163與源極114電性連接。
像素結(jié)構(gòu)100的電容電極101為導(dǎo)電材料，且保護(hù)層102為介電材料。儲存電容Cs1會形成于電容電極101及像素電極103之間。然而，因保護(hù)層102的覆蓋方式，像素電極103及電容電極101之間會因制造工藝問題易產(chǎn)生短路。雖然可增加保護(hù)層102的厚度以解決上述所提的問題，儲存電容Cs1卻因此而相對的減少。
此外，電容電極101一般采用不透光的材質(zhì)，且位于像素結(jié)構(gòu)100的可視區(qū)域內(nèi)(未圖標(biāo))，因此，就算像素電極103采用透光的材質(zhì)。然而，此設(shè)計方式往往會使像素結(jié)構(gòu)100的開口率(aperture ratio)，隨著儲存電容Cs1的儲存容量(如儲存電容Cs1在可視區(qū)域內(nèi)的面積)增加而減少。如此一來，即會使得面板的顯示亮度降低。除此之外，此問題更顯見于同尺寸且具較高分辨率的面板。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)及其形成方法，可在不變更電容值的情況下增加開口率。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提出一種像素結(jié)構(gòu)。此像素結(jié)構(gòu)包含至少一晶體管、一第一儲存電容、一第一導(dǎo)電層、一內(nèi)層介電層、一第二導(dǎo)電層、一保護(hù)層及一第三導(dǎo)電層。第一儲存電容電性連接于晶體管。內(nèi)層介電層覆蓋于第一導(dǎo)電層上，且其具有至少一第一開口。第二導(dǎo)電層形成于部份內(nèi)層介電層上，且經(jīng)由第一開口電性連接于第一導(dǎo)電層。保護(hù)層覆蓋于晶體管及第二導(dǎo)電層上，且其具有至少一第二開口。第三導(dǎo)電層形成部份保護(hù)層上，且經(jīng)由第二開口電性連接于晶體管。第一儲存電容由第三導(dǎo)電層、保護(hù)層及第二導(dǎo)電層所構(gòu)成。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提出一種顯示面板，該顯示面板包含上述的復(fù)數(shù)個像素結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提出一種光電裝置，該光電裝置包含上述的顯示面板。
根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提出一種像素結(jié)構(gòu)的形成方法。像素結(jié)構(gòu)具有至少一晶體管及一第一儲存電容。第一儲存電容電性連接于晶體管。此形成方法包含以下的步驟首先，形成一第一導(dǎo)電層。接著，覆蓋一內(nèi)層介電層于第一導(dǎo)電層上，且其具有一第一開口。然后，形成一第二導(dǎo)電層于部份內(nèi)層介電層上，且經(jīng)由第一開口電性連接于第一導(dǎo)電層。接著，覆蓋一保護(hù)層于晶體管及第二導(dǎo)電層上，且其具有一第二開口。最后，形成一第三導(dǎo)電層于部份保護(hù)層上，且經(jīng)由第二開口電性連接于晶體管。第一儲存電容由第三導(dǎo)電層、保護(hù)層及第二導(dǎo)電層所構(gòu)成。
根據(jù)本發(fā)明的第五方面，提出一種顯示面板的形成方法，該形成方法包含上述的像素結(jié)構(gòu)的形成方法。
根據(jù)本發(fā)明的第六方面，提出一種光電裝置的形成方法，該形成方法包含上述的顯示面板的形成。
本發(fā)明可在不變更電容值的情況下增加開口率。


圖1表示傳統(tǒng)的像素結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖2A表示本發(fā)明第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
圖2B表示圖2A的像素結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖3A～圖3F表示圖2B的像素結(jié)構(gòu)的形成方法的流程圖。
圖4表示第一實(shí)施例的另一像素結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖5A表示本發(fā)明第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
圖5B表示圖5A的像素結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖6A～圖6G表示圖5B的像素結(jié)構(gòu)的形成方法的流程圖。
圖7A表示本發(fā)明第三實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
圖7B表示圖7A的像素結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖8A～圖8F表示圖7B的像素結(jié)構(gòu)的形成方法的流程圖。
圖9表示第三實(shí)施例的另一像素結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖10A表示本發(fā)明第四實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
圖10B表示圖10A的像素結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖11A～圖11G表示圖10B的像素結(jié)構(gòu)的形成方法的流程圖。
圖12表示本發(fā)明的光電裝置的示意圖。
主要組件符號說明100、200、300、400、500、600、700像素結(jié)構(gòu)
101電容電極102、280、380、480、580、680、780保護(hù)層103像素電極109、209、409、509、709基板112、212、412、512、712漏極114、214、414、514、714源極116、216、416、516、716柵極120、220、420、520、620、720半導(dǎo)體層150、250、450、550、650、750絕緣層162、231a、231b、282、292、431a、431b、482、492、531a、531b、582、592、692、731a、731b、782、792開口163接觸洞190、290、390、490、590、690、790內(nèi)層介電層222、422、522、722本征區(qū)224a、224b、424a、424b、524a、524b、624a、724a、724b摻雜區(qū)241、341、441、541、641、741第一導(dǎo)電層242、342、442、542、642、742第二導(dǎo)電層243、343、443、543、643、743第三導(dǎo)電層444、744第四導(dǎo)電層800光電裝置810顯示面板820電子組件Cs1儲存電容Cs21、Cs31、Cs41、Cs51、Cs61、Cs71第一儲存電容Cs52、Cs62、Cs72第二儲存電容Cs53、Cs63、Cs73第三儲存電容
DT2、DT41、DT42、DT5、DT71、DT72數(shù)據(jù)線SC2、SC4、SC5、SC7掃描線Vcom2、Vcom4、Vcom5、Vcom7共享電極線具體實(shí)施方式
為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下本發(fā)明是提出具有至少一儲存電容于導(dǎo)電材料間的像素結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電材料包括透光材質(zhì)、反射材質(zhì)、或上述的組合。本發(fā)明的實(shí)施例是以一光電裝置中顯示面板的像素結(jié)構(gòu)作為范例來詳細(xì)說明。再者，實(shí)施例的圖標(biāo)是省略某些組件，以利清楚顯示本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)。
第一實(shí)施例請參照圖2A，其表示本發(fā)明第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。本實(shí)施例是以一光電裝置中顯示面板的像素結(jié)構(gòu)200舉例說明。如圖2A所示，數(shù)據(jù)線DT2及掃描線SC2為分別與像素結(jié)構(gòu)200電性連接。請參照圖2B，其表示圖2A的像素結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖2B為沿著圖2A中的2B-2B’剖面線的剖面圖。像素結(jié)構(gòu)200包含一晶體管(未標(biāo)注)、一第一儲存電容Cs21、一第一導(dǎo)電層241、一內(nèi)層介電層290、一第二導(dǎo)電層242、一保護(hù)層280及一第三導(dǎo)電層243。較佳地，像素結(jié)構(gòu)200可選擇性地包含一遮光圖案層(未圖示)，位于且平行于數(shù)據(jù)線DT2及掃描線SC2的至少一者的側(cè)邊，以防止數(shù)據(jù)線DT2及掃描線SC2的至少一者的邊緣產(chǎn)生漏光現(xiàn)象。
第一儲存電容Cs21電性連接于晶體管。內(nèi)層介電層290覆蓋于第一導(dǎo)電層241上，且其具有一開口292。第二導(dǎo)電層242形成于部份內(nèi)層介電層290上，且經(jīng)由開口292電性連接于第一導(dǎo)電層241。保護(hù)層280覆蓋于晶體管及第二導(dǎo)電層242上，且其具有一開口282。第三導(dǎo)電層243形成部份保護(hù)層280上，且經(jīng)由開口282電性連接于晶體管。第一儲存電容Cs21由第三導(dǎo)電層243、保護(hù)層280及第二導(dǎo)電層242所構(gòu)成。
請參照圖3A～圖3F，其表示圖2B的像素結(jié)構(gòu)的形成方法的流程圖。像素結(jié)構(gòu)200的形成方法如下如圖3A所示，于基板209上形成一半導(dǎo)體層220，且接著覆蓋一絕緣層250于半導(dǎo)體層220上。半導(dǎo)體層220包含至少二個摻雜區(qū)224a、224b及一本征區(qū)222。一般而言，本征區(qū)222是位于二個摻雜區(qū)224a、224b之間。較佳地，本發(fā)明的實(shí)施例，可選擇性地加入至少一另外摻雜區(qū)于本征區(qū)222及二個摻雜區(qū)224a、224b其中至少一者之間，且另外摻雜區(qū)的摻雜濃度實(shí)質(zhì)上小于二個摻雜區(qū)224a、224b的至少一者、本征區(qū)222可摻雜或不摻雜，若摻雜時，本征區(qū)222的極性較佳地與二個摻雜區(qū)224a、224b及另外摻雜區(qū)的極性實(shí)質(zhì)上不同。另外，二個摻雜區(qū)224a、224b、本征區(qū)222及/或另外摻雜區(qū)，也可選擇性地同時形成于半導(dǎo)體層220中或不同時形成于半導(dǎo)體層220中。再者，半導(dǎo)體層220的材質(zhì)包括單晶的含硅材質(zhì)、微晶的含硅材質(zhì)、多晶的含硅材質(zhì)、非晶的含硅材質(zhì)、含鍺材質(zhì)、或其它材質(zhì)、或上述的組合。
然后，如圖3B所示，形成第一導(dǎo)電層241于絕緣層250上。此時，晶體管的一柵極216也同時形成。在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層241的材質(zhì)是以反射材質(zhì)(如金、銀、銅、鐵、錫、鉛、鎘、鉬、鎢、釹、鈦、鉭、鉿、或其它材質(zhì)、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物、或上述的合金、或上述的組合)為實(shí)施范例，但不限于此，也可選擇性地使用透明材質(zhì)(如銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鋁錫氧化物、銦鋅氧化物、鎘錫氧化物、或其它材質(zhì)、或上述的組合)或透明材質(zhì)與反射材質(zhì)的組合。此外，第一導(dǎo)電層241連接于一具有位準(zhǔn)(level)的電極線，例如共享電極線Vcom2，或也可選擇性地使用部份具有位準(zhǔn)的電極線，例如共享電極線Vcom2當(dāng)作第一導(dǎo)電層241(如圖2A所示)。其中，在本實(shí)施例中，電極線，例如共享電極線Vcom2的材質(zhì)是以反射材質(zhì)(如金、銀、銅、鐵、錫、鉛、鎘、鉬、鎢、釹、鈦、鉭、鉿、或其它材質(zhì)、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物、或上述的合金、或上述的組合)為實(shí)施范例，但不限于此，也可選擇性地使用透明材質(zhì)(如銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鋁錫氧化物、銦鋅氧化物、鎘錫氧化物、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、或透明材質(zhì)及反射材質(zhì)的組合。換言之，第一導(dǎo)電層241連接于電極線，例如共享電極線Vcom2的材質(zhì)實(shí)質(zhì)上相同或不同，較佳地，二者實(shí)質(zhì)上相同，以減低制造工藝復(fù)雜性。
接著，如圖3C所示，覆蓋內(nèi)層介電層290于絕緣層250上，且分別形成開口292于內(nèi)層介電層290及兩個開口231a、231b于內(nèi)層介電層290及絕緣層250。
然后，如圖3D所示，形成第二導(dǎo)電層242于部份的內(nèi)層介電層290上，且經(jīng)由開口292、231a、231b分別電性連接于第一導(dǎo)電層241及半導(dǎo)體層220。其中，經(jīng)由開口231a、231b電性連接于半導(dǎo)體層220的第二導(dǎo)電層242是當(dāng)作晶體管的一漏極212及一源極214。在本實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層242的材質(zhì)是以反射材質(zhì)(如金、銀、銅、鐵、錫、鉛、鎘、鉬、鎢、釹、鈦、鉭、鉿、或其它材質(zhì)、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物、或上述的合金、或上述的組合)為實(shí)施范例，但不限于此，也可選擇性地使用透明材質(zhì)(如銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鋁錫氧化物、銦鋅氧化物、鎘錫氧化物、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、或透明材質(zhì)與反射材質(zhì)的組合。再者，晶體管的源極214及漏極212的其中一者電性連接于數(shù)據(jù)線DT2(如圖2A所示)，且晶體管的柵極216電性連接于掃描線SC2(如圖2A所示)。必需說明的是，本實(shí)施例的開口231a、231b及292在非同一時間下所形成的，但不限于此，也可選擇性地使用具有不同透光度光罩(如半調(diào)光罩、繞射光罩、柵狀圖案光罩、或其它光罩、或上述的組合)的黃光制造工藝，在同一時間下，形成開口231a、231b及292。
接著，如圖3E所示，覆蓋保護(hù)層280于晶體管及第二導(dǎo)電層242上，且保護(hù)層280具有一開口282。
最后，如圖3F所示，形成第三導(dǎo)電層243(也稱像素電極)于部份的保護(hù)層280上，且經(jīng)由開口282電性連接于晶體管。其中，開口282可選擇性地實(shí)質(zhì)上對準(zhǔn)或不對準(zhǔn)開口231b。如此一來，整體的像素結(jié)構(gòu)200即如同圖3F所示。在本實(shí)施例中，第三導(dǎo)電層243的材質(zhì)是以透光材質(zhì)(如銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鋁錫氧化物、銦鋅氧化物、鎘錫氧化物、或其它材質(zhì)、或上述的組合)為實(shí)施范例，但不限于此，也可選擇性地使用反射材質(zhì)(如金、銀、銅、鐵、錫、鉛、鎘、鉬、鎢、釹、鈦、鉭、鉿、或其它材質(zhì)、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物、或上述的合金、或上述的組合)、或透明材質(zhì)與反射材質(zhì)的組合。
在本實(shí)施例中，由于第一導(dǎo)電層241及第二導(dǎo)電層242為共電位的電阻，也就是并聯(lián)設(shè)計，因此可降低電極線，例如共享電極線Vcom2的負(fù)載阻抗。如此一來，即可避免光電裝置中顯示面板于顯示畫面時產(chǎn)生串音現(xiàn)象(cross-talk)。
再者，絕緣層250、內(nèi)層介電層290及保護(hù)層280的至少一者的材質(zhì)，包含無機(jī)材質(zhì)(如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鉿、氮化鉿、碳化硅、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、有機(jī)材質(zhì)(如光刻膠、聚丙醯醚(polyaryleneether；PAE)、聚醯類、聚酯類、聚醇類、聚烯類、苯并環(huán)丁烯(benzocyclclobutene；BCB)、HSQ(hydrogen silsesquioxane)、MSQ(methylsilesquioxane)、硅氧碳?xì)浠?SiOC-H)、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、或上述的組合。
本實(shí)施例的第二導(dǎo)電層242可選擇性地采用反射材質(zhì)、透光材質(zhì)、或上述的組合。圖2B的第二導(dǎo)電層242是以反射材質(zhì)為實(shí)施范例。請參照圖4，其表示第一實(shí)施例的另一像素結(jié)構(gòu)的剖面圖。像素結(jié)構(gòu)300包含一晶體管(未標(biāo)注)、一第一儲存電容Cs31、一第一導(dǎo)電層341、一內(nèi)層介電層390、一第二導(dǎo)電層342、一保護(hù)層380及一第三導(dǎo)電層343。第二導(dǎo)電層342形成于部份內(nèi)層介電層390上，且經(jīng)由開口392電性連接于第一導(dǎo)電層341。圖2B的第二導(dǎo)電層242的材質(zhì)是以反射材質(zhì)為實(shí)施范例，而圖4的第二導(dǎo)電層342的材質(zhì)是以透光材質(zhì)為實(shí)施范例，但不限于此。上述內(nèi)容是以像素結(jié)構(gòu)200為范例說明其的形成方法，像素結(jié)構(gòu)300的形成方法與像素結(jié)構(gòu)200的形成方法相同，因此不在重復(fù)敘述。但值得注意的是，像素結(jié)構(gòu)200的第二導(dǎo)電層242與像素結(jié)構(gòu)300的第二導(dǎo)電層342的材料是以不同的材質(zhì)作為實(shí)施范例。同樣地，像素結(jié)構(gòu)300也具有上述所提的方式。且由于像素結(jié)構(gòu)300的第二導(dǎo)電層342是以透光材質(zhì)為實(shí)施范例，因此像素結(jié)構(gòu)300可用于配合不同的運(yùn)用實(shí)施方式。
第二實(shí)施例請參圖5A，其表示本發(fā)明第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。本實(shí)施例是以一光電裝置中顯示面板的像素結(jié)構(gòu)400舉例說明。如圖5A所示，數(shù)據(jù)線DT41、DT42及掃描線SC4為分別與像素結(jié)構(gòu)400電性連接。請參照圖5B，其表示圖5A的像素結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖5B為沿著圖5A中的5B-5B’剖面線的剖面圖。像素結(jié)構(gòu)400包含一晶體管(未標(biāo)注)、一第一儲存電容Cs41、一第一導(dǎo)電層441、一內(nèi)層介電層490、一第二導(dǎo)電層442、一保護(hù)層480、一第三導(dǎo)電層443及一第四導(dǎo)電層444。較佳地，像素結(jié)構(gòu)400可選擇性地包含一遮光圖案層，位于且平行于數(shù)據(jù)線DT41、DT42及掃描線SC4的至少一者的側(cè)邊，以防止數(shù)據(jù)線DT41、DT42及掃描線SC4的至少一者的邊緣產(chǎn)生漏光現(xiàn)象。
第一儲存電容Cs41電性連接于晶體管。內(nèi)層介電層490覆蓋于第一導(dǎo)電層441上，且其具有一開口492。第二導(dǎo)電層442形成于部份內(nèi)層介電層490上，且經(jīng)由開口492電性連接于第一導(dǎo)電層441。保護(hù)層480覆蓋于晶體管及第二導(dǎo)電層442上，且其具有一開口482。第三導(dǎo)電層443形成部份保護(hù)層480上，且經(jīng)由開口482電性連接于晶體管。第四導(dǎo)電層444覆蓋于第二導(dǎo)電層442與部份內(nèi)層介電層490上，以使得第一儲存電容Cs41由第三導(dǎo)電層443、保護(hù)層480、第四導(dǎo)電層444及第二導(dǎo)電層442所構(gòu)成。
請參照圖6A～圖6G，其表示圖5B的像素結(jié)構(gòu)的形成方法的流程圖。像素結(jié)構(gòu)400的形成方法如下如圖6A所示，在基板409上形成一半導(dǎo)體層420，且接著覆蓋一絕緣層450于半導(dǎo)體層420上。半導(dǎo)體層420包含至少二個摻雜區(qū)424a、424b及一本征區(qū)422。一般而言，本征區(qū)422是位于二個摻雜區(qū)424a、424b之間。較佳地，本發(fā)明的實(shí)施例，可選擇性地加入至少一另外摻雜區(qū)于本征區(qū)422及二個摻雜區(qū)424a、424b的至少一者之間，且另外摻雜區(qū)的摻雜濃度實(shí)質(zhì)上小于二個摻雜區(qū)424a、424b的至少一者、本征區(qū)422可摻雜或不摻雜，若摻雜時，本征區(qū)422的極性與二個摻雜區(qū)424a、424b及另外摻雜區(qū)的極性較佳地實(shí)質(zhì)上不同。另外，二個摻雜區(qū)424a、424b、本征區(qū)422及/或另外摻雜區(qū)，也可選擇性地同時形成于半導(dǎo)體層中420或不同時形成于半導(dǎo)體層420中。再者，半導(dǎo)體層420的材質(zhì)包括單晶的含硅材質(zhì)、微晶的含硅材質(zhì)、多晶的含硅材質(zhì)、非晶的含硅材質(zhì)、含鍺材質(zhì)、或其它材質(zhì)、或上述的組合。
然后，如圖6B所示，形成第一導(dǎo)電層441于絕緣層450上。此時，晶體管的一柵極416也同時形成。在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層441的材質(zhì)是以反射材質(zhì)(如金、銀、銅、鐵、錫、鉛、鎘、鉬、鎢、釹、鈦、鉭、鉿、或其它材質(zhì)、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物、或上述的合金、或上述的組合)為實(shí)施范例，但不限于此，也可選擇性地使用透明材質(zhì)(如銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鋁錫氧化物、銦鋅氧化物、鎘錫氧化物、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、或透明材質(zhì)與反射材質(zhì)的組合。此外，第一導(dǎo)電層441連接于一具有位準(zhǔn)的電極線，例如共享電極線Vcom4(如圖5A所示)，但不限于此，也可選擇性地使用部份具有位準(zhǔn)的電極線，例如共享電極線Vcom4當(dāng)作第一導(dǎo)電層441。其中，在本實(shí)施例中，電極線，例如共享電極線Vcom4的材質(zhì)是以反射材質(zhì)(如金、銀、銅、鐵、錫、鉛、鎘、鉬、鎢、釹、鈦、鉭、鉿、或其它材質(zhì)、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物、或上述的合金、或上述的組合)為實(shí)施范例，但不限于此，也可選擇性地使用透明材質(zhì)(如銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鋁錫氧化物、銦鋅氧化物、鎘錫氧化物、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、或透明材質(zhì)及反射材質(zhì)的組合。換言之，第一導(dǎo)電層441連接于電極線，例如共享電極線Vcom4的材質(zhì)實(shí)質(zhì)上相同或不同，較佳地，二者實(shí)質(zhì)上相同，以減低制造工藝復(fù)雜性。
接著，如圖6C所示，覆蓋內(nèi)層介電層490于絕緣層450上，且分別形成開口492于內(nèi)層介電層490及兩個開口431a、431b于內(nèi)層介電層490及絕緣層450。
然后，如圖6D所示，形成第二導(dǎo)電層442于部份的內(nèi)層介電層490上，且經(jīng)由開口492、431a、431b分別電性連接于第一導(dǎo)電層441及半導(dǎo)體層420。其中，經(jīng)由開口431a、431b電性連接于半導(dǎo)體層420的第二導(dǎo)電層442是當(dāng)作晶體管的一漏極412及一源極414。在本實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層442的材質(zhì)是以反射材質(zhì)(如金、銀、銅、鐵、錫、鉛、鎘、鉬、鎢、釹、鈦、鉭、鉿、或其它材質(zhì)、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物、或上述的合金、或上述的組合)為實(shí)施范例，但不限于此，也可選擇性地使用透明材質(zhì)(如銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鋁錫氧化物、銦鋅氧化物、鎘錫氧化物、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、或透明材質(zhì)與反射材質(zhì)的組合。再者，晶體管的漏極412及源極414的其中一者電性連接于數(shù)據(jù)線DT41、DT42(如圖5A所示)，且晶體管的柵極416電性連接于掃描線SC4(如圖5A所示)。必需說明的是，本實(shí)施例的開口431a、431b及492在非同一時間下所形成的，但不限于此，也可選擇性地使用具有不同透光度光罩(如半調(diào)光罩、繞射光罩、柵狀圖案光罩、或其它光罩、或上述的組合)的黃光制造工藝，在同一時間下，形成開口431a、431b及492。
接著，如圖6E所示，覆蓋第四導(dǎo)電層444于第二導(dǎo)電層442與部份的內(nèi)層介電層490上。在本實(shí)施例中，以第四導(dǎo)電層444的材質(zhì)為透光材質(zhì)作為實(shí)施范例，但不限于此，也可選擇性地使用反射材質(zhì)或透光材質(zhì)與反射材質(zhì)的組合。此外，由于第一導(dǎo)電層441、第二導(dǎo)電層442及第四導(dǎo)電層444相互電性連接，因此第一導(dǎo)電層441、第二導(dǎo)電層442及第四導(dǎo)電層444的位準(zhǔn)為實(shí)質(zhì)上相同。且第一導(dǎo)電層441、第二導(dǎo)電層442及第四導(dǎo)電層444的位準(zhǔn)包含，例如共享位準(zhǔn)。
另外，在本實(shí)施例中，漏極412與掃描線SC4之間具有一第一寄生電容，且漏極412與數(shù)據(jù)線DT41、DT42之間各具有的電容的總和實(shí)質(zhì)上為一第二寄生電容。此外，像素結(jié)構(gòu)400的像素電極與共享電極(未圖示)之間具有一液晶電容(未圖示)。像素結(jié)構(gòu)400的一像素電容實(shí)質(zhì)上等于液晶電容與第一儲存電容Cs41之和。第四導(dǎo)電層444的面積即是決定于第一寄生電容與像素電容之比、第二寄生電容與像素電容之比及第一儲存電容Cs41與液晶電容之比。在本實(shí)施例的第四導(dǎo)電層444的面積，較佳地，實(shí)質(zhì)上大于第二導(dǎo)電層442的面積，但不限于此，也可視設(shè)計上的要求，來選擇性地改變第四導(dǎo)電層444的面積，如其實(shí)質(zhì)上比第二導(dǎo)電層442的面積小、其實(shí)質(zhì)上相等于第二導(dǎo)電層442的面積、或上述的組合。
然后，如圖6F所示，覆蓋保護(hù)層480于晶體管及第二導(dǎo)電層442上，且保護(hù)層480具有一開口482。
最后，如圖6G所示，形成第三導(dǎo)電層443(也稱像素電極)于部份的保護(hù)層480上，且經(jīng)由開口482電性連接于晶體管。其中，開口482可選擇性地實(shí)質(zhì)上對準(zhǔn)或不對準(zhǔn)開口431b。如此一來，整體的像素結(jié)構(gòu)400即如同圖6G所示。在本實(shí)施例中，第三導(dǎo)電層443的材質(zhì)是以透光材質(zhì)(如銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鋁錫氧化物、銦鋅氧化物、鎘錫氧化物、或其它材質(zhì)、或上述的組合)為實(shí)施范例，但不限于此，也可選擇性地使用反射材質(zhì)(如金、銀、銅、鐵、錫、鉛、鎘、鉬、鎢、釹、鈦、鉭、鉿、或其它材質(zhì)、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物、或上述的合金、或上述的組合)、或透明材質(zhì)與反射材質(zhì)的組合。
在本實(shí)施例中，第四導(dǎo)電層444采用透光材質(zhì)，因此像素結(jié)構(gòu)400可在不變更電容值的情況下增加開口率，但不限于此，也可使用反射材質(zhì)、或透光材質(zhì)及反射材質(zhì)的組合。此外，第四導(dǎo)電層444可選擇性地不與任何柵極線或數(shù)據(jù)線相互重疊，因此可減少柵極線或數(shù)據(jù)線上的負(fù)載，但不限于此，也可選擇性地部份重疊。
再者，第一導(dǎo)電層441、第二導(dǎo)電層442及第四導(dǎo)電層444為共電位的電阻，也就是并聯(lián)設(shè)計，因此可降低電極線，例如共享電極線Vcom4的負(fù)載阻抗。如此一來，即可避免光電裝置中顯示面板于顯示畫面時產(chǎn)生串音現(xiàn)象。
再者，絕緣層450、內(nèi)層介電層490及保護(hù)層480的至少一者的材質(zhì)，包含無機(jī)材質(zhì)(如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鉿、氮化鉿、碳化硅、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、有機(jī)材質(zhì)(如光刻膠、聚丙醯醚(polyaryleneether；PAE)、聚醯類、聚酯類、聚醇類、聚烯類、苯并環(huán)丁烯(benzocyclclobutene；BCB)、HSQ(hydrogen silsesquioxane)、MSQ(methylsilesquioxane)、硅氧碳?xì)浠?SiOC-H)、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、或上述的組合。
第三實(shí)施例請參圖7A，其表示本發(fā)明第三實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。本實(shí)施例是以一光電裝置中顯示面板的像素結(jié)構(gòu)500舉例說明。如圖7A所示，數(shù)據(jù)線DT5及掃描線SC5為分別與像素結(jié)構(gòu)500電性連接。請參照圖7B，其表示圖7A的像素結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖7B為沿著圖7A中的7B-7B’剖面線的剖面圖。像素結(jié)構(gòu)500包含一晶體管(未標(biāo)注)、一第一儲存電容Cs51、一第二儲存電容Cs52、一第三儲存電容Cs53、一第一導(dǎo)電層541、一內(nèi)層介電層590、一第二導(dǎo)電層542、一絕緣層550、一半導(dǎo)體層520、一保護(hù)層580及一第三導(dǎo)電層543。較佳地，像素結(jié)構(gòu)500可選擇性地包含一遮光圖案層(未表示)，位于且平行于數(shù)據(jù)線DT5及掃描線SC5的至少一者的側(cè)邊，以防止數(shù)據(jù)線DT5及掃描線SC5的至少一者的邊緣產(chǎn)生漏光現(xiàn)象。
第一儲存電容Cs51電性連接于晶體管。內(nèi)層介電層590覆蓋于第一導(dǎo)電層541上，且其具有一開口592。第二導(dǎo)電層542形成于部份內(nèi)層介電層590上，且經(jīng)由開口592電性連接于第一導(dǎo)電層541。保護(hù)層580覆蓋于晶體管及第二導(dǎo)電層542上，且其具有一開口582。第三導(dǎo)電層543形成部份保護(hù)層580上，且經(jīng)由開口582電性連接于晶體管。第一儲存電容Cs51由第三導(dǎo)電層543、保護(hù)層580及第二導(dǎo)電層542所構(gòu)成。第二儲存電容Cs52由第一導(dǎo)電層541、絕緣層550及部分半導(dǎo)體層520所構(gòu)成。第三儲存電容Cs53由第二導(dǎo)電層542、內(nèi)層介電層590、絕緣層550及部分半導(dǎo)體層520所構(gòu)成。
請參照圖8A～圖8F，其表示圖7B的像素結(jié)構(gòu)的形成方法的流程圖。像素結(jié)構(gòu)500的形成方法如下如圖8A所示，在基板509上形成一半導(dǎo)體層520，且接著分別覆蓋一絕緣層550于半導(dǎo)體層520上。半導(dǎo)體層520包含至少二個摻雜區(qū)524a、524b及一本征區(qū)522。本實(shí)施例的摻雜區(qū)524a，以延伸至第一金屬層541的下方來當(dāng)作實(shí)施范例說明。一般而言，本征區(qū)522是位于二個摻雜區(qū)524a、524b之間。較佳地，本發(fā)明的實(shí)施例，可選擇性地加入至少一另外摻雜區(qū)于本征區(qū)522及二個摻雜區(qū)524a、524b的至少一者之間，且另外摻雜區(qū)的摻雜濃度實(shí)質(zhì)上小于二個摻雜區(qū)524a、524b的至少一者、本征區(qū)522可摻雜或不摻雜，若摻雜時，本征區(qū)522的極性與二個摻雜區(qū)524a、524b及另外摻雜區(qū)的極性較佳地實(shí)質(zhì)上不同。另外，二個摻雜區(qū)524a、524b、本征區(qū)522及/或另外摻雜區(qū)，也可選擇性地同時形成于半導(dǎo)體層520中或不同時形成于半導(dǎo)體層520中。再者，半導(dǎo)體層520的材質(zhì)包括單晶的含硅材質(zhì)、微晶的含硅材質(zhì)、多晶的含硅材質(zhì)、非晶的含硅材質(zhì)、含鍺材質(zhì)、或其它材質(zhì)、或上述的組合。
然后，如圖8B所示，形成第一導(dǎo)電層541于絕緣層550上。此時，晶體管的一柵極516也同時形成。在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層541的材質(zhì)是以反射材質(zhì)(如金、銀、銅、鐵、錫、鉛、鎘、鉬、鎢、釹、鈦、鉭、鉿、或其它材質(zhì)、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物、或上述的合金、或上述的組合)為實(shí)施范例，但不限于此，也可選擇性地使用透明材質(zhì)(如銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鋁錫氧化物、銦鋅氧化物、鎘錫氧化物、或其它材質(zhì)、或上述的組合)或透明材質(zhì)與反射材質(zhì)的組合。此外，第一導(dǎo)電層541連接于一具有位準(zhǔn)的電極線，例如共享電極線Vcom5(如圖7A所示)，但不限于此，也可選擇性地使用部份具有位準(zhǔn)的電極線，例如共享電極線Vcom5當(dāng)作第一導(dǎo)電層541。其中，在本實(shí)施例中，共享電極線Vcom5的材質(zhì)是以反射材質(zhì)(如金、銀、銅、鐵、錫、鉛、鎘、鉬、鎢、釹、鈦、鉭、鉿、或其它材質(zhì)、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物、或上述的合金、或上述的組合)為實(shí)施范例，但不限于此，也可選擇性地使用透明材質(zhì)(如銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鋁錫氧化物、銦鋅氧化物、鎘錫氧化物、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、或透明材質(zhì)及反射材質(zhì)的組合。換言之，第一導(dǎo)電層541連接于電極線，例如共享電極線Vcom5的材質(zhì)實(shí)質(zhì)上相同或不同，較佳地，二者實(shí)質(zhì)上相同，以減低制造工藝復(fù)雜性。如同前述，本實(shí)施例的半導(dǎo)體層520的摻雜區(qū)524a延伸至第一金屬層541的下方為實(shí)施范例。因此，第二儲存電容Cs52由第一導(dǎo)電層541、絕緣層550及部分半導(dǎo)體層520所構(gòu)成。必需注意是，延伸至第一金屬層541的下方的半導(dǎo)體層520也可選擇性地為透過一連接層(未圖示)連接?xùn)艠O516下方的半導(dǎo)體層520。其中，延伸至第一金屬層541的下方的半導(dǎo)體層520包含至少一摻雜區(qū)524a/524b、至少一另一摻雜區(qū)、至少一本征區(qū)522的其中至少一者。其中，連接層的材質(zhì)可使用第一導(dǎo)電層541、第二導(dǎo)電層542、第三導(dǎo)電層543、半導(dǎo)體層520其中至少一者。
接著，如圖8C所示，覆蓋內(nèi)層介電層590于絕緣層550上，且分別形成開口592于內(nèi)層介電層590及兩個開口531a、531b于內(nèi)層介電層290及絕緣層550。
然后，如圖8D所示，形成第二導(dǎo)電層542于部份的內(nèi)層介電層590上，且經(jīng)由開口592、531a、531b分別電性連接于第一導(dǎo)電層541及半導(dǎo)體層520。其中，經(jīng)由開口531a、531b電性連接于半導(dǎo)體層520的第二導(dǎo)電層542是作為晶體管的一漏極512及一源極514。在本實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層542的材質(zhì)是以反射材質(zhì)(如金、銀、銅、鐵、錫、鉛、鎘、鉬、鎢、釹、鈦、鉭、鉿、或其它材質(zhì)、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物、或上述的合金、或上述的組合)為實(shí)施范例，但不限于此，也可選擇性地使用透明材質(zhì)(如銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鋁錫氧化物、銦鋅氧化物、鎘錫氧化物、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、或透明材質(zhì)與反射材質(zhì)的組合。再者，晶體管的源極514及漏極512的其中一者電性連接于數(shù)據(jù)線DT5(如圖7A所示)，且晶體管的柵極516電性連接于掃描線SC5(如圖7A所示)。必需說明的是，本實(shí)施例的開口531a、531b及592在非同一時間下所形成的，但不限于此，也可選擇性地使用具有不同透光度光罩(如半調(diào)光罩、繞射光罩、柵狀圖案光罩、或其它光罩、或上述的組合)的黃光制造工藝，在同一時間下，形成開口531a、531b及592。
接著，如圖8E所示，覆蓋保護(hù)層580于晶體管及第二導(dǎo)電層542上，且保護(hù)層580具有一開口582。
最后，如圖8F所示，形成第三導(dǎo)電層543(也稱像素電極)于部份的保護(hù)層580上，且經(jīng)由開口582電性連接于晶體管。其中，開口582可選擇性地實(shí)質(zhì)上對準(zhǔn)或不對準(zhǔn)開口531b。第三儲存電容Cs53由第二導(dǎo)電層542、內(nèi)層介電層590、絕緣層550及部分半導(dǎo)體層520所構(gòu)成。如此一來，整體的像素結(jié)構(gòu)500即如同圖8F所示。在本實(shí)施例中，第三導(dǎo)電層543的材質(zhì)是以透光材質(zhì)(如銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鋁錫氧化物、銦鋅氧化物、鎘錫氧化物、或其它材質(zhì)、或上述的組合)為實(shí)施范例，但不限于此，也可選擇性地使用反射材質(zhì)(如金、銀、銅、鐵、錫、鉛、鎘、鉬、鎢、釹、鈦、鉭、鉿、或其它材質(zhì)、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物、或上述的合金、或上述的組合)、或透明材質(zhì)與反射材質(zhì)的組合。
在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層541及第二導(dǎo)電層542為共電位的電阻，也就是并聯(lián)設(shè)計，因此可降低電極線，例如共享電極線Vcom5的負(fù)載阻抗。如此一來，即可避免光電裝置中顯示面板于顯示畫面時產(chǎn)生串音現(xiàn)象。此外，本實(shí)施例的半導(dǎo)體層520的摻雜區(qū)524a，以延伸至第一導(dǎo)電層541的下方為實(shí)施范例，以更進(jìn)一步形成第二儲存電容Cs52及第三儲存電容Cs53。
再者，絕緣層550、內(nèi)層介電層590及保護(hù)層580的至少一者的材質(zhì)，包含無機(jī)材質(zhì)(如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鉿、氮化鉿、碳化硅、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、有機(jī)材質(zhì)(如光刻膠、聚丙醯醚(polyaryleneether；PAE)、聚醯類、聚酯類、聚醇類、聚烯類、苯并環(huán)丁烯(benzocyclclobutene；BCB)、HSQ(hydrogen silsesquioxane)、MSQ(methylsilesquioxane)、硅氧碳?xì)浠?SiOC-H)、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、或上述的組合。
本實(shí)施例的第二導(dǎo)電層542可選擇性地采用反射材質(zhì)、透光材質(zhì)、或上述的組合。圖7B的第二導(dǎo)電層542是以反射材質(zhì)為實(shí)施范例。請參照圖9，其表示第三實(shí)施例的另一像素結(jié)構(gòu)的剖面圖。像素結(jié)構(gòu)600包含一晶體管(未標(biāo)注)、一第一儲存電容Cs61、一第二儲存電容Cs62、一第三儲存電容Cs63、一第一導(dǎo)電層641、一內(nèi)層介電層690、一第二導(dǎo)電層642、一半導(dǎo)體層620、絕緣層650、一保護(hù)層680及一第三導(dǎo)電層643。第二導(dǎo)電層642形成于部份內(nèi)層介電層690上，且經(jīng)由開口692電性連接于第一導(dǎo)電層641。圖7B的第二導(dǎo)電層542的材質(zhì)是以反射材質(zhì)為實(shí)施范例，而圖9的第二導(dǎo)電層642的材質(zhì)是以透光材質(zhì)為實(shí)施范例，但不限于此。上述內(nèi)容是以像素結(jié)構(gòu)500為范例說明其的形成方法，像素結(jié)構(gòu)600的形成方法與像素結(jié)構(gòu)500的形成方法相同，因此不在重復(fù)敘述。但值得注意的是，像素結(jié)構(gòu)500的第二導(dǎo)電層542與像素結(jié)構(gòu)600的第二導(dǎo)電層642的材料是以不同的材質(zhì)作為實(shí)施范例。同樣地，像素結(jié)構(gòu)600也具有上述所提的方式。且由于像素結(jié)構(gòu)600的第二導(dǎo)電層642是以透光材質(zhì)為實(shí)施范例，因此像素結(jié)構(gòu)600可用于配合不同的運(yùn)用實(shí)施方式。
第四實(shí)施例請參照圖10A，其表示本發(fā)明第四實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。本實(shí)施例是以一光電裝置中顯示面板的像素結(jié)構(gòu)700舉例說明。如圖10A所示，數(shù)據(jù)線DT71、DT72及掃描線SC7為分別與像素結(jié)構(gòu)700電性連接。請參照圖10B，其表示圖10A的像素結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖10B為沿著圖10A中的10B-10B’剖面線的剖面圖。像素結(jié)構(gòu)700包含一晶體管(未標(biāo)注)、一第一儲存電容Cs71、一第二儲存電容Cs72、一第三儲存電容Cs73、一第一導(dǎo)電層741、一內(nèi)層介電層790、一第二導(dǎo)電層742、一半導(dǎo)體層720、絕緣層750、一保護(hù)層780、一第三導(dǎo)電層743及一第四導(dǎo)電層744。較佳地，像素結(jié)構(gòu)700可選擇性地包含一遮光圖案層(未圖示)，位于且平行于數(shù)據(jù)線DT71、DT72及掃描線SC7的至少一者的側(cè)邊，以防止數(shù)據(jù)線DT71、DT72及掃描線SC7的至少一者的邊緣產(chǎn)生漏光現(xiàn)象。
第一儲存電容Cs71電性連接于晶體管。內(nèi)層介電層790覆蓋于第一導(dǎo)電層741上，且其具有一開口792。第二導(dǎo)電層742形成于部份內(nèi)層介電層790上，且經(jīng)由開口792電性連接于第一導(dǎo)電層741。保護(hù)層780覆蓋于晶體管及第二導(dǎo)電層742上，且其具有一開口782。第三導(dǎo)電層743形成部份保護(hù)層780上，且經(jīng)由開口782電性連接于晶體管。第四導(dǎo)電層744覆蓋于第二導(dǎo)電層742與部份內(nèi)層介電層790上，以使得第一儲存電容Cs71由第三導(dǎo)電層743、保護(hù)層780、第四導(dǎo)電層744及第二導(dǎo)電層742所構(gòu)成。第二儲存電容Cs72由第一導(dǎo)電層741、絕緣層750及部分半導(dǎo)體層720所構(gòu)成。第三儲存電容Cs73由第二導(dǎo)電層742、第四導(dǎo)電層744、內(nèi)層介電層790、絕緣層750及部分半導(dǎo)體層720所構(gòu)成。
請參照圖11A～圖11G，其表示圖10B的像素結(jié)構(gòu)的形成方法的流程圖。像素結(jié)構(gòu)700的形成方法如下如圖11A所示，在基板709上形成一半導(dǎo)體層720，且接著覆蓋一絕緣層750于半導(dǎo)體層720上。半導(dǎo)體層720包含至少二個摻雜區(qū)724a、724b及一本征區(qū)722。本實(shí)施例的摻雜區(qū)724a，以延伸至第一金屬層741的下方為實(shí)施范例。一般而言，本征區(qū)722是位于二個摻雜區(qū)724a、724b之間。較佳地，本發(fā)明的實(shí)施例，可選擇性地加入至少一另外摻雜區(qū)于本征區(qū)722及二個摻雜區(qū)724a、724b的至少一者之間，且另外摻雜區(qū)的摻雜濃度實(shí)質(zhì)上小于二個摻雜區(qū)724a、724b的至少一者、本征區(qū)722可摻雜或不摻雜，若摻雜時，本征區(qū)722的極性與二個摻雜區(qū)724a、724b及另外摻雜區(qū)的極性較佳地實(shí)質(zhì)上不同。另外，二個摻雜區(qū)724a、724b、本征區(qū)722及/或另外摻雜區(qū)，也可選擇性地同時形成于半導(dǎo)體層720中或不同時形成于半導(dǎo)體層720中。再者，半導(dǎo)體層720的材質(zhì)包括單晶的含硅材質(zhì)、微晶的含硅材質(zhì)、多晶的含硅材質(zhì)、非晶的含硅材質(zhì)、含鍺材質(zhì)、或其它材質(zhì)、或上述的組合。
然后，如圖11B所示，形成第一導(dǎo)電層741于絕緣層750上。此時，晶體管的一柵極716也同時形成。在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層741的材質(zhì)是以反射材質(zhì)(如金、銀、銅、鐵、錫、鉛、鎘、鉬、鎢、釹、鈦、鉭、鉿、或其它材質(zhì)、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物、或上述的合金、或上述的組合)為實(shí)施范例，但不限于此，也可選擇性地使用透明材質(zhì)(如銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鋁錫氧化物、銦鋅氧化物、鎘錫氧化物、或其它材質(zhì)、或上述的組合)或透明材質(zhì)與反射材質(zhì)的組合。此外，第一導(dǎo)電層741連接于一具有準(zhǔn)位的電極線，例如共享電極線Vcom7(如圖10A所示)，但不限于此，也可選擇性地使用部份具有準(zhǔn)位的電極線，例如共享電極線Vcom7當(dāng)作第一導(dǎo)電層541。其中，在本實(shí)施例中，電極線，例如共享電極線Vcom7的材質(zhì)是以反射材質(zhì)(如金、銀、銅、鐵、錫、鉛、鎘、鉬、鎢、釹、鈦、鉭、鉿、或其它材質(zhì)、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物、或上述的合金、或上述的組合)為實(shí)施范例，但不限于此，也可選擇性地使用透明材質(zhì)(如銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鋁錫氧化物、銦鋅氧化物、鎘錫氧化物、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、或透明材質(zhì)及反射材質(zhì)的組合。換言之，第一導(dǎo)電層741連接于電極線，例如共享電極線Vcom7的材質(zhì)實(shí)質(zhì)上相同或不同，較佳地，二者實(shí)質(zhì)上相同，以減低制造工藝復(fù)雜性。如同前述，本實(shí)施例的半導(dǎo)體層720的摻雜區(qū)724a延伸至第一金屬層741的下方為實(shí)施范例，因此，第二儲存電容Cs72由第一導(dǎo)電層741、絕緣層750及部分半導(dǎo)體層720所構(gòu)成。必需注意是，延伸至第一金屬層741的下方的半導(dǎo)體層720也可選擇性地為透過一連接層(未表示)連接?xùn)艠O716下方的半導(dǎo)體層720。其中，延伸至第一金屬層741的下方的半導(dǎo)體層720或區(qū)塊包含至少一摻雜區(qū)724a/724b、至少一另一摻雜區(qū)、至少一本征區(qū)722的其中至少一者。其中，連接層的材質(zhì)可使用第一導(dǎo)電層741、第二導(dǎo)電層742、第三導(dǎo)電層743、半導(dǎo)體層720其中至少一者。
接著，如圖11C所示，覆蓋內(nèi)層介電層790于絕緣層750上，且分別形成開口792于內(nèi)層介電層790及兩個開口731a、731b于內(nèi)層介電層790及絕緣層750。
然后，如圖11D所示，形成第二導(dǎo)電層742于部份的內(nèi)層介電層790上，且經(jīng)由開口792、731a、731b分別電性連接于第一導(dǎo)電層741及半導(dǎo)體層720。其中，經(jīng)由開口731a、731b電性連接于半導(dǎo)體層720的第二導(dǎo)電層742是作為晶體管的一漏極712及一源極714。在本實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層742的材質(zhì)是以反射材質(zhì)(如金、銀、銅、鐵、錫、鉛、鎘、鉬、鎢、釹、鈦、鉭、鉿、或其它材質(zhì)、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物、或上述的合金、或上述的組合)為實(shí)施范例，但不限于此，也可選擇性地使用透明材質(zhì)(如銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鋁錫氧化物、銦鋅氧化物、鎘錫氧化物、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、或透明材質(zhì)與反射材質(zhì)的組合。晶體管的一漏極712及一源極714則利用開口731a、731b以與半導(dǎo)體層720電性連接。再者，晶體管的源極714及漏極712的其中一者電性連接于數(shù)據(jù)線DT71、DT72(如圖10A所示)，且晶體管的柵極716電性連接于掃描線SC7(如圖10A所示)。必需說明的是，本實(shí)施例的開口731a、731b及792在非同一時間下所形成的，但不限于此，也可選擇性地使用具有不同透光度光罩(如半調(diào)光罩、繞射光罩、柵狀圖案光罩、或其它光罩、或上述的組合)的黃光制造工藝，在同一時間下，形成開口731a、731b及792。
接著，如圖11E所示，覆蓋第四導(dǎo)電層744于第二導(dǎo)電層742與部份的內(nèi)層介電層790上。在本實(shí)施例中，以第四導(dǎo)電層744的材質(zhì)為透光材質(zhì)作為實(shí)施范例，但不限于此，也可選擇性地使用反射材質(zhì)或透光材質(zhì)與反射材質(zhì)的組合。此外，由于第一導(dǎo)電層741、第二導(dǎo)電層742及第四導(dǎo)電層744相互電性連接，因此第一導(dǎo)電層741、第二導(dǎo)電層742及第四導(dǎo)電層744的位準(zhǔn)為實(shí)質(zhì)上相同。且第一導(dǎo)電層741、第二導(dǎo)電層742及第四導(dǎo)電層744的位準(zhǔn)包含，例如共享位準(zhǔn)。
另外，在本實(shí)施例中，漏極712與掃描線SC7之間具一第一寄生電容，且漏極712與數(shù)據(jù)線DT71、DT72之間各具有的電容的總和實(shí)質(zhì)上為一第二寄生電容。此外，像素結(jié)構(gòu)700的像素電極與共享電極(未圖示)之間具有一液晶電容(未圖示)。像素結(jié)構(gòu)700的一像素電容實(shí)質(zhì)上等于液晶電容與第一儲存電容Cs71之和。第四導(dǎo)電層744的面積即是決定于第一寄生電容與像素電容之比、第二寄生電容與像素電極之比及第一儲存電容Cs71與液晶電容之比。在本實(shí)施例的第四導(dǎo)電層744的面積，較佳地，實(shí)質(zhì)上大于第二導(dǎo)電層742的面積，但不限于此，也可視設(shè)計上的要求，來選擇性地改變第四導(dǎo)電層744的面積，如其實(shí)質(zhì)上比第二導(dǎo)電層742的面積小、其實(shí)質(zhì)上相等于第二導(dǎo)電層742的面積、或上述的組合。
然后，如圖11F所示，覆蓋保護(hù)層780于晶體管及第二導(dǎo)電層742上，且保護(hù)層780具有一開口782。
最后，如圖11G所示，形成第三導(dǎo)電層743(也稱像素電極)于部份的保護(hù)層780上，且經(jīng)由開口782電性連接于晶體管。其中，開口782可選擇性地實(shí)質(zhì)上對準(zhǔn)或不對準(zhǔn)開口731b。第三儲存電容Cs73由第二導(dǎo)電層742、內(nèi)層介電層790、絕緣層750及部分半導(dǎo)體層720所構(gòu)成。如此一來，整體的像素結(jié)構(gòu)700即如同圖11G所示。在本實(shí)施例中，第三導(dǎo)電層743的材質(zhì)是以透光材質(zhì)(如銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鋁錫氧化物、銦鋅氧化物、鎘錫氧化物、或其它材質(zhì)、或上述的組合)為實(shí)施范例，但不限于此，也可選擇性地使用反射材質(zhì)(如金、銀、銅、鐵、錫、鉛、鎘、鉬、鎢、釹、鈦、鉭、鉿、或其它材質(zhì)、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物、或上述的合金、或上述的組合)、或透明材質(zhì)與反射材質(zhì)的組合。
在本實(shí)施例中，第四導(dǎo)電層744采用透光材質(zhì)，因此像素結(jié)構(gòu)700可于不變更電容值的情況下增加開口率，但不限于此，也可使用反射材質(zhì)、或透光材質(zhì)及反射材質(zhì)的組合。此外，第四導(dǎo)電層744可選擇性地不與任何柵極線或數(shù)據(jù)線相互重疊，因此可減少柵極線或數(shù)據(jù)線上的負(fù)載，但不限于此，也可選擇性地部分重疊。
再者，第一導(dǎo)電層741、第二導(dǎo)電層742及第四導(dǎo)電層744為共電位的電阻，也就是并聯(lián)設(shè)計，因此可降低電極線，例如共享電極線Vcom7的負(fù)載阻抗。如此一來，即可避免光電裝置中顯示面板于顯示畫面時產(chǎn)生串音現(xiàn)象。
此外，本實(shí)施例的半導(dǎo)體層720的摻雜區(qū)724a，以延伸至第一導(dǎo)電層741的下方為實(shí)施范例，以更進(jìn)一步形成第二儲存電容Cs72及第三儲存電容Cs73。
再者，絕緣層750、內(nèi)層介電層790及保護(hù)層780的至少一者的材質(zhì)，包含無機(jī)材質(zhì)(如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鉿、氮化鉿、碳化硅、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、有機(jī)材質(zhì)(如光刻膠、聚丙醯醚(polyaryleneether；PAE)、聚醯類、聚酯類、聚醇類、聚烯類、苯并環(huán)丁烯(benzocyclclobutene；BCB)、HSQ(hydrogen silsesquioxane)、MSQ(methylsilesquioxane)、硅氧碳?xì)浠?SiOC-H)、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、或上述的組合。
本發(fā)明上述實(shí)施例所揭露的像素結(jié)構(gòu)具有至少一儲存電容于導(dǎo)電材料之間。在上述實(shí)施例中，導(dǎo)電材料的應(yīng)用包括透光材質(zhì)、反射材質(zhì)、或上述的組合。舉例而言，由于實(shí)施例中的第四導(dǎo)電層444、744采用透光材質(zhì)，因此像素結(jié)構(gòu)400、700可保持原有的電容值，且更進(jìn)一步增加開口率。此外，第四導(dǎo)電層444、744的設(shè)置可選擇性地并不與任何柵極線或數(shù)據(jù)線相互重疊，因此第四導(dǎo)電層444、744的設(shè)置除了具有上述的優(yōu)點(diǎn)外，也可減少柵極線或數(shù)據(jù)線上的負(fù)載，但不限于此，也可選擇性地部份重疊。
再者，由于第一、第二、第四及第五實(shí)施例的第一及第二導(dǎo)電層為共電位的電阻，也就是并聯(lián)設(shè)計，且第三及第六實(shí)施例的第一、第二及第四導(dǎo)電層亦為并聯(lián)設(shè)計，因此這些實(shí)施例的應(yīng)用可降低電極線的負(fù)載阻抗。如此一來，即可避免光電裝置中顯示面板于顯示畫面時產(chǎn)生串音現(xiàn)象。
另外，本發(fā)明上述實(shí)施例所述的具有準(zhǔn)位的電極線，是以具有共享準(zhǔn)位的共享電極線(Vcom)為實(shí)施范例，但不限于此，也可使用具有可變動準(zhǔn)位的電極線或其準(zhǔn)位的電極線(如柵極準(zhǔn)位、或其它準(zhǔn)位)。
圖12為本發(fā)明的光電裝置的示意圖。光電裝置800是運(yùn)用上述實(shí)施例所述的像素結(jié)構(gòu)200～700。光電裝置800更具有一與顯示面板810連接的電子組件820，如控制組件、操作組件、處理組件、輸入組件、存儲元件、驅(qū)動組件、發(fā)光組件、保護(hù)組件、感測組件、檢測組件、或其它功能組件、或上述的組合。而光電裝置800的類型包括可攜式產(chǎn)品(如手機(jī)、攝影機(jī)、照相機(jī)、筆記本型計算機(jī)、游戲機(jī)、手表、音樂播放器、電子相片、電子信件收發(fā)器、地圖導(dǎo)航器或類似的產(chǎn)品)、影音產(chǎn)品(如影音放映器或類似的產(chǎn)品)、屏幕、電視、戶內(nèi)或戶外看板、投影機(jī)內(nèi)的面板等。另外，顯示面板810包含液晶顯示面板(如穿透型面板、半穿透型面板、反射型面板、雙面顯示型面板、垂直配向型面板(VA)、水平切換型面板(IPS)、多域垂直配向型面板(MVA)、扭曲向列型面板(TN)、超扭曲向列型面板(STN)、圖案垂直配向型面板(PVA)、超級圖案垂直配向型面板(S-PVA)、先進(jìn)大視角型面板(ASV)、邊緣電場切換型面板(FFS)、連續(xù)焰火狀排列型面板(CPA)、軸對稱排列微胞面板(ASM)、光學(xué)補(bǔ)償彎曲排列型面板(OCB)、超級水平切換型面板(S-IPS)、先進(jìn)超級水平切換型面板(AS-IPS)、極端邊緣電場切換型面板(UFFS)、高分子穩(wěn)定配向型面板(PSA)、雙視角型面板(dual-view)、三視角型面板(triple-view)、或彩色濾光片整合于矩陣上(color filter on array；COA)型態(tài)的面板、或矩陣整合于彩色濾光片上(array on color filter；AOC)型態(tài)的面板、或其它型面板、或上述的組合。)、有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，視其面板中的像素電極及漏極的至少一者所電性接觸的材質(zhì)，如液晶層、有機(jī)發(fā)光層(如小分子、高分子、或上述的組合)、或上述的組合。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)包含至少一晶體管；一第一儲存電容，電性連接于所述晶體管；一第一導(dǎo)電層；一內(nèi)層介電層，覆蓋于所述第一導(dǎo)電層上，且其具有至少一第一開口；一第二導(dǎo)電層，形成于部份所述內(nèi)層介電層上，且經(jīng)由所述第一開口電性連接于所述第一導(dǎo)電層；一保護(hù)層，覆蓋于所述晶體管及所述第二導(dǎo)電層上，且其具有至少一第二開口；以及一第三導(dǎo)電層，形成部份所述保護(hù)層上，且經(jīng)由所述第二開口電性連接于所述晶體管，其中，所述第一儲存電容，由所述第三導(dǎo)電層、所述保護(hù)層及所述第二導(dǎo)電層所構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層及所述第三導(dǎo)電層的至少一者的材質(zhì)，包含透光材質(zhì)、反射材質(zhì)、或上述的組合。
3.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)還包含一第四導(dǎo)電層，覆蓋于所述第二導(dǎo)電層與部份所述內(nèi)層介電層上，以使得所述第一儲存電容，由所述第三導(dǎo)電層、所述保護(hù)層、所述第四導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層所構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)還包含一半導(dǎo)體層；以及一絕緣層，覆蓋所述半導(dǎo)體層，且其具有至少二第三開口。
5.如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)還包含一第二儲存電容，由所述第一導(dǎo)電層、所述絕緣層及部份所述半導(dǎo)體層所構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)還包含一第三儲存電容，由所述第二導(dǎo)電層、所述第四導(dǎo)電層、所述內(nèi)層介電層、所述絕緣層及部份所述半導(dǎo)體層所構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體層，包含至少一摻雜區(qū)、至少一本征區(qū)、或上述的組合。
8.如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層、所述第二導(dǎo)電層及所述第四導(dǎo)電層的位準(zhǔn)實(shí)質(zhì)上相同。
9.如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層、所述第二導(dǎo)電層及所述第四導(dǎo)電層的位準(zhǔn)包含共享位準(zhǔn)。
10.如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第四導(dǎo)電層的面積，實(shí)質(zhì)上大于所述第二導(dǎo)電層的面積。
11.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)還包含一半導(dǎo)體層；以及一絕緣層，覆蓋于所述半導(dǎo)體層，且其具有至少二第三開口。
12.如權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)還包含一第二儲存電容，由所述第一導(dǎo)電層、所述絕緣層及所述半導(dǎo)體層所構(gòu)成。
13.如權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)還包含一第三儲存電容，由所述第二導(dǎo)電層、所述內(nèi)層介電層、所述絕緣層及部份所述半導(dǎo)體層所構(gòu)成。
14.如權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體層，包含至少一摻雜區(qū)、至少一本征區(qū)、或上述的組合。
15.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層的材質(zhì)包含反射材質(zhì)。
16.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層，連接于一共享電極線。
17.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)還包含一數(shù)據(jù)線，電性連接于所述晶體管的一源極及一漏極的其中一者；以及一掃描線，電性連接于所述晶體管的一柵極。
18.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包含如權(quán)利要求1所述的復(fù)數(shù)個像素結(jié)構(gòu)。
19.一種光電裝置，其特征在于，所述光電裝置包含如權(quán)利要求18所述的顯示面板。
20.一種像素結(jié)構(gòu)的形成方法，所述像素結(jié)構(gòu)具有至少一晶體管及一第一儲存電容，電性連接于所述晶體管，其特征在于，所述形成方法包含形成一第一導(dǎo)電層；覆蓋一內(nèi)層介電層于所述第一導(dǎo)電層上，且其具有一第一開口；形成一第二導(dǎo)電層于部份所述內(nèi)層介電層上，且經(jīng)由所述第一開口電性連接于所述第一導(dǎo)電層；覆蓋一保護(hù)層于所述晶體管及所述第二導(dǎo)電層上，且其具有一第二開口；以及形成一第三導(dǎo)電層于部份所述保護(hù)層上，且經(jīng)由所述第二開口電性連接于所述晶體管，其中，所述第一儲存電容，由所述第三導(dǎo)電層、所述保護(hù)層及所述第二導(dǎo)電層所構(gòu)成。
21.如權(quán)利要求20所述的形成方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層及所述第三導(dǎo)電層的至少一者的材質(zhì)，包含透光材質(zhì)、反射材質(zhì)、或上述的組合。
22.如權(quán)利要求20所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法還包含覆蓋一第四導(dǎo)電層于所述第二導(dǎo)電層與部份所述內(nèi)層介電層上，以致于所述第一儲存電容，由所述第三導(dǎo)電層、所述保護(hù)層、所述第四導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層所構(gòu)成。
23.如權(quán)利要求22所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法還包含形成一半導(dǎo)體層；以及覆蓋一絕緣層于所述半導(dǎo)體層上，且其具有至少二第三開口。
24.如權(quán)利要求23所述的形成方法，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)還包含一第二儲存電容，由所述第一導(dǎo)電層、所述絕緣層及部分所述半導(dǎo)體層所構(gòu)成。
25.如權(quán)利要求24所述的形成方法，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)還包含一第三儲存電容，由所述第二導(dǎo)電層、所述內(nèi)層介電層、所述絕緣層及部份所述半導(dǎo)體層所構(gòu)成。
26.如權(quán)利要求23所述的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層，包含至少一摻雜區(qū)、至少一本征區(qū)、或上述的組合。
27.如權(quán)利要求22所述的形成方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層、所述第二導(dǎo)電層及所述第四導(dǎo)電層的位準(zhǔn)實(shí)質(zhì)上相同。
28.如權(quán)利要求22所述的形成方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層、所述第二導(dǎo)電層及所述第四導(dǎo)電層的位準(zhǔn)包含共享位準(zhǔn)。
29.如權(quán)利要求20所述的形成方法，其特征在于，所述第四導(dǎo)電層的面積，實(shí)質(zhì)上大于所述第二導(dǎo)電層的面積。
30.如權(quán)利要求20所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法還包含形成一半導(dǎo)體層；以及覆蓋一絕緣層于所述半導(dǎo)體層上，且其具有至少二第三開口。
31.如權(quán)利要求30所述的形成方法，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)還包含一第二儲存電容，由所述第一導(dǎo)電層、所述絕緣層及部分所述半導(dǎo)體層所構(gòu)成。
32.如權(quán)利要求31所述的形成方法，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)還包含一第三儲存電容，由所述第二導(dǎo)電層、所述內(nèi)層介電層、所述絕緣層及所述半導(dǎo)體層所構(gòu)成。
33.如權(quán)利要求30所述的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層，包含至少一摻雜區(qū)、至少一本征區(qū)、或上述的組合。
34.如權(quán)利要求20所述的形成方法，其特征在于，第一導(dǎo)電層的材質(zhì)包含反射材質(zhì)。
35.如權(quán)利要求20所述的形成方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層，連接于一共同電極線。
36.如權(quán)利要求20所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法還包含形成一數(shù)據(jù)線，電性連接于所述晶體管的一源極及一漏極的其中一者；以及形成一掃描線，電性連接于所述晶體管的一柵極。
37.一種顯示面板的形成方法，其特征在于，所述形成方法包含如權(quán)利要求20所述的像素結(jié)構(gòu)的形成方法。
38.一種光電裝置的形成方法，其特征在于，所述形成方法包含如權(quán)利要求37所述的顯示面板的形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)及其的形成方法，該像素結(jié)構(gòu)包含至少一晶體管、一第一儲存電容、一第一導(dǎo)電層、一內(nèi)層介電層、一第二導(dǎo)電層、一保護(hù)層及一第三導(dǎo)電層。第一儲存電容電性連接于晶體管。內(nèi)層介電層覆蓋于第一導(dǎo)電層上，且其具有至少一第一開口。第二導(dǎo)電層形成于部分內(nèi)層介電層上，且經(jīng)由第一開口電性連接于第一導(dǎo)電層。保護(hù)層覆蓋于晶體管及第二導(dǎo)電層上，且其具有至少一第二開口。第三導(dǎo)電層形成部分保護(hù)層上，且經(jīng)由第二開口電性連接于晶體管。第一儲存電容由第三導(dǎo)電層、保護(hù)層及第二導(dǎo)電層所構(gòu)成。本發(fā)明可在不變更電容值的情況下增加開口率。
文檔編號H01L23/522GK101038915SQ20071009638
公開日2007年9月19日 申請日期2007年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月16日
發(fā)明者丁友信 申請人:友達(dá)光電股份有限公司