一種顯示基板及其制作方法和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示基板及其制作方法和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著薄膜晶體管液晶顯不(ThinFilm Transistor Liquid CrystalDisplay, TFT-1XD)技術(shù)的發(fā)展和工業(yè)技術(shù)的進(jìn)步，液晶顯示器件生產(chǎn)成本降低、制造工藝的日益完善，液晶顯示技術(shù)已經(jīng)取代了陰極射線管技術(shù)顯示成為日常顯示領(lǐng)域的主流技術(shù)；由于其本身所具有的優(yōu)點(diǎn)，在市場和消費(fèi)者心中成為理想的顯示器件。目前市場上立體顯示技術(shù)日益興起，故而解決立體顯示技術(shù)上的技術(shù)缺點(diǎn)，改善成像質(zhì)量(如減小色偏，降低立體串?dāng)_，畫面閃爍，增大可視角度等)也日益重要。
[0003]高級超維場轉(zhuǎn)換(Advanced Super Dimens1n Switch，縮寫為ADSDS)液晶顯不技術(shù)具有高透過率，可視角度大，容易降低成本等優(yōu)點(diǎn)，目前已成為高精尖顯示領(lǐng)域的主流技術(shù)。該技術(shù)被廣泛應(yīng)用于高端手機(jī)屏幕，移動應(yīng)用產(chǎn)品，電視等領(lǐng)域。ADS型和超高級超維場(HADS，High Advanced Super Dimens1nSwitch)型液晶面板的公共電極通常由整面連接的條狀I(lǐng)TO公共電極或板狀I(lǐng)TO公共電極組成，且所述公共電極與像素電極至少部分重疊，參見圖1和圖2 ;在液晶顯示面板為顯示模式時(shí)，對公共電極施加恒定的電壓信號，薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)導(dǎo)通，通過數(shù)據(jù)線對像素電極提供不同電壓信號，這樣，公共電極和像素電極之間產(chǎn)生電場進(jìn)而驅(qū)動液晶分子發(fā)生旋轉(zhuǎn)，以實(shí)現(xiàn)圖像顯示。隨著液晶顯示面板尺寸的增大，液晶顯示面板的像素尺寸也變大，公共電極與像素電極之間的存儲電容Cst也變大；但當(dāng)存儲電容Cst變大時(shí)，其充電率難以得到保證?，F(xiàn)有技術(shù)中為了提高存儲電容Cst的充電率，通常是通過增大薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)的尺寸來實(shí)現(xiàn)。但是，增大TFT尺寸后不僅會降低像素的開口率，而且當(dāng)TFT尺寸增大后，相應(yīng)的薄膜晶體管中的柵極與源極、以及柵極與漏極之間的耦合電容也會變大，從而影響薄膜晶體管的性能，進(jìn)而降低顯示面板的畫面質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示基板及其制作方法和顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中大尺寸顯示面板中充電率較低的問題。
[0005]本發(fā)明實(shí)施例一種顯示基板，包括襯底基板、在所述襯底基板上交叉布置的柵線、數(shù)據(jù)線以及由所述柵線和所述數(shù)據(jù)線劃分出的呈矩陣排列的像素單元，所述像素單元內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管、像素電極和公共電極；其中，所述像素電極和所述公共電極同層絕緣設(shè)置，所述像素電極包括多條條狀的子像素電極，所述公共電極包括多條條狀的子公共電極，所述多條條狀的子像素電極與所述多條條狀的子公共電極交替分布，每一條所述子像素電極和與之相鄰的子公共電極之間的間隔寬度為1-5 μπι。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例中，所述顯示基板包括襯底基板、在所述襯底基板上交叉布置的柵線、數(shù)據(jù)線以及由所述柵線和所述數(shù)據(jù)線劃分出的呈矩陣排列的像素單元，所述像素單元內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管、像素電極、公共電極；其中，所述像素電極和所述公共電極同層絕緣設(shè)置，所述像素電極包括多條條狀的子像素電極，所述公共電極包括多條條狀的子公共電極，所述多條條狀的子像素電極與所述多條條狀的子公共電極交替分布，每一條所述子像素電極和與之相鄰的子公共電極之間的間隔寬度為1-5 ym。本發(fā)明實(shí)施中通過將所述像素電極和所述公共電極同層絕緣設(shè)置，可以減小大尺寸液晶顯示面板中存儲電容Cst，從而在不增大薄膜晶體管尺寸的前提下保證存儲電容Cst的充電率；由于不需要增大薄膜晶體管的尺寸，因此不但可以提高像素的開口率，還可以保證薄膜晶體管具有良好的性能，從而提高顯示面板的顯示質(zhì)量。此外，當(dāng)所述像素電極包括多條條狀的子像素電極，所述公共電極包括多條條狀的子公共電極，所述多條條狀的子像素電極與所述多條條狀的子公共電極交替分布，每一條所述子像素電極和與之相鄰的子公共電極之間的間隔寬度為1-5 μπι時(shí)，可以產(chǎn)生均勻的驅(qū)動電場，從而驅(qū)動液晶分子發(fā)生偏轉(zhuǎn)以實(shí)現(xiàn)圖像實(shí)現(xiàn)，進(jìn)一步提高液晶顯示面板的顯示品質(zhì)。
[0007]較佳的，所述子像素電極和所述子公共電極之間的間隔寬度為1-2 μπι。
[0008]將所述子像素電極和所述子公共電極之間的間隔寬度設(shè)置為1-2 μπι，可進(jìn)一步提高驅(qū)動電場的均勻性，避免因間距過大而造成驅(qū)動電場內(nèi)電場強(qiáng)度分布不均所導(dǎo)致的顯示不良，進(jìn)一步提尚液晶顯不面板的顯不品質(zhì)。
[0009]較佳的，所述公共電極還包括用于將所述多條條狀的子公共電極電連接的第一連接區(qū)，所述第一連接區(qū)與所述多條條狀的子公共電極形成閉合區(qū)域，環(huán)繞所述像素電極分布。
[0010]所述公共電極環(huán)繞所述像素電極分布，使得所述公共電極和像素電極均可以分別通過一個過孔接收外部所施加的驅(qū)動電壓，有利于簡化制作工藝，提高生產(chǎn)效率。
[0011]較佳的，所述子像素電極和所述子公共電極的寬度均為2-10 μπι。
[0012]本發(fā)明實(shí)施例中所述子像素電極和所述子公共電極的寬度均為2-10 μπι，該寬度范圍利用現(xiàn)有制作工藝可以制作，所述子像素電極和所述子公共電極之間可以形成均勻的驅(qū)動電場，且可以避免因所述子像素電極和所述子公共電極的寬度過細(xì)而斷線進(jìn)一步導(dǎo)致顯示不良。
[0013]較佳的，所述顯示基板還包括公共電極線，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，具體的:
[0014]所述柵極和公共電極線同層設(shè)置，位于所述襯底基板的上方；
[0015]所述柵絕緣層位于所述柵極和公共電極線的上方；
[0016]所述有源層位于所述柵絕緣層的上方；
[0017]所述源極和漏極位于所述有源層的上方。
[0018]本發(fā)明實(shí)施中柵極和公共電極線同層設(shè)置，可以通過一次工藝和相同的材料形成，有利于簡化顯不基板的制作工藝，提尚生廣效率，降低生廣成本。
[0019]較佳的，所述公共電極在正投影方向上與所述數(shù)據(jù)線不重疊。
[0020]本發(fā)明實(shí)施中所述公共電極在正投影方向上與所述數(shù)據(jù)線不重疊，可以降低薄膜晶體管中的耦合電容，提高薄膜晶體管的電學(xué)特性。
[0021]較佳的，所述公共電極上設(shè)置有第二連接區(qū)；
[0022]所述公共電極在正投影方向上與至少部分與所述公共電極線重疊，所述公共電極與所述公共電極線通過所述第二連接區(qū)與所述子公共電極線之間的第一過孔實(shí)現(xiàn)電連接。
[0023]本發(fā)明實(shí)施中所述公共電極上設(shè)置有第二連接區(qū)；且所述公共電極在正投影方向上與至少部分與所述公共電極線重疊，所述公共電極與所述公共電極線通過所述第二連接區(qū)與所述公共電極線之間的第一過孔實(shí)現(xiàn)電連接，所述公共電極線為所述公共電極提供驅(qū)動電壓。
[0024]較佳的，所述顯示基板還包括設(shè)置在所述像素電極和公共電極所在層與所述薄膜晶體管所在層之間的鈍化層，所述第一過孔穿過所述第二連接區(qū)對應(yīng)的所述鈍化層和所述柵絕緣層。
[0025]所述顯示基板還包括設(shè)置在所述像素電極和公共電極所在層與所述薄膜晶體管所在層之間的鈍化層，用于保護(hù)薄膜晶體管免受損壞，同時(shí)還可以將所述源極、漏極、數(shù)據(jù)線所在層與所述公共電極和所述像素電極所在層進(jìn)行絕緣隔離。
[0026]基于上述同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的顯示基板。
[0027]基于上述同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示基板的制作方法，所述方法包括:
[0028]在襯底基板上形成包括公共電極的圖形；在所述包括公共電極的圖形的基板上形成包括像素電極的圖形；或者，
[0029]在襯底基板上形成包括像素電極的圖形，在所述包括像素電極的圖形的基板上形成包括公共電極的圖形；
[0030]其中，所述像素電極和所述公共電極同層絕緣設(shè)置，所述像素電極包括多條條狀的子像素電極，所述公共電極包括多條條狀的子公共電極，所述多條條狀的子像素電極與所述多條條狀的子公共電極交替分布