，每一條所述子像素電極和與之相鄰的子公共電極之間的間隔寬度為1-5 μπι。
[0031]通過本發(fā)明實施例提供的方法制作的顯示基板，包括同層絕緣設置的和所述，且所述像素電極包括多條條狀的子像素電極，所述公共電極包括多條條狀的子公共電極，所述多條條狀的子像素電極與所述多條條狀的子公共電極交替分布，每一條所述子像素電極和與之相鄰的子公共電極之間的間隔寬度為1-5 μ m。通過將所述像素電極和所述公共電極同層絕緣設置，可以減小大尺寸液晶顯示面板中存儲電容Cst，從而在不增大薄膜晶體管尺寸的前提下保證存儲電容Cst的充電率；由于不需要增大薄膜晶體管的尺寸，因此不但可以提高像素的開口率，還可以保證薄膜晶體管具有良好的性能，從而提高顯示面板的顯示質(zhì)量。此外，當所述像素電極包括多條條狀的子像素電極，所述公共電極包括多條條狀的子公共電極，所述多條條狀的子像素電極與所述多條條狀的子公共電極交替分布，每一條所述子像素電極和與之相鄰的子公共電極之間的間隔寬度為1-5 μπι時，可以產(chǎn)生均勻的驅(qū)動電場，從而驅(qū)動液晶分子發(fā)生偏轉(zhuǎn)以實現(xiàn)圖像實現(xiàn)，進一步提高液晶顯示面板的顯示品質(zhì)。
[0032]較佳的，所述方法具體包括:
[0033]在所述襯底基板上形成第一透明導電膜層；
[0034]在所述第一透明導電膜層上方沉積光刻膠，通過構圖工藝在預形成第一電極的區(qū)域形成與所述第一電極匹配的第一光刻膠圖案；
[0035]通過構圖工藝在預形成第一電極的區(qū)域形成包括多個條狀的子第一電極的第一電極，且所述子第一電極的寬度小于所述位于其上方的第一光刻膠圖案的寬度；
[0036]在所述包括第一光刻膠圖案的基板上形成第二透明導電膜層，剝離所述第一光刻膠圖案以及位于所述第一光刻膠圖案正上方的第二透明導電膜層，以形成包括多個條狀的子第二電極的第二電極；
[0037]其中，所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極，所述子第一電極為子公共電極，所述子第二電極為子像素電極；或者，所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極，所述子第一電極為子像素電極，所述子第二電極為子公共電極。
[0038]該方法中，首先在所述第一透明導電膜層上方沉積光刻膠，利用構圖工藝在預形成第一電極的區(qū)域形成與所述第一電極匹配的第一光刻膠圖案，并再次通過構圖工藝在預形成第一電極的區(qū)域形成包括多個條狀的子第一電極的第一電極，且所述子第一電極的寬度小于所述位于其上方的第一光刻膠圖案的寬度，然后在所述包括第一光刻膠圖案的基板上形成第二透明導電膜層，剝離所述第一光刻膠圖案以及位于所述第一光刻膠圖案正上方的第二透明導電膜層，以形成包括多個條狀的子第二電極的第二電極，通過該方法形成的第一電極和第二電極時，可以有效減小子第一電極和子第二電極之間的間隔寬度，使驅(qū)動電場的分布更加均勻。
[0039]較佳的，所述子像素電極和所述子公共電極之間的間隔寬度為1-2 μπι。
[0040]將所述子像素電極和所述子公共電極之間的間隔寬度設置為1-2 μπι，可進一步提高驅(qū)動電場的均勻性，避免因間距過大而造成驅(qū)動電場內(nèi)電場強度分布不均所導致的顯示不良，進一步提尚液晶顯不面板的顯不品質(zhì)。
[0041]較佳的，在形成包括所述第一電極的圖形之前，所述方法還包括:
[0042]在所述襯底基板上采用構圖工藝形成包括所述柵線和公共電極線的圖形；
[0043]在所述包括所述柵線和公共電極線的圖形的基板上形成包括柵絕緣層的圖形；
[0044]在所述包括柵絕緣層的圖形的基板上形成包括有源層的圖形；
[0045]在所述包括有源層的圖形的基板上形成包括數(shù)據(jù)線、源極和漏極的圖形；
[0046]在所述包括數(shù)據(jù)線、源極和漏極的圖形的基板上形成包括鈍化層的圖形。
[0047]本發(fā)明實施中柵極和公共電極線同層設置，可以通過一次工藝和相同的材料形成，有利于簡化顯不基板的制作工藝，提尚生廣效率，降低生廣成本。
[0048]較佳的，形成的所述公共電極還包括用于所述多條條狀的子公共電極電連接的第一連接區(qū)，所述第一連接區(qū)與所述多條條狀的子公共電極形成閉合區(qū)域，環(huán)繞所述子像素電極分布。
[0049]所述公共電極環(huán)繞所述像素電極分布，使得所述公共電極和像素電極均可以分別通過一個過孔接收外部電路所施加的驅(qū)動電壓，有利于簡化制作工藝，提高生產(chǎn)效率。
[0050]較佳的，所述公共電極在正投影方向上與所述數(shù)據(jù)線不重疊。
[0051]本發(fā)明實施中所述公共電極在正投影方向上與所述數(shù)據(jù)線不重疊，可以降低薄膜晶體管中的耦合電容，提高薄膜晶體管的電學特性。
[0052]較佳的，所述子像素電極和所述子公共電極的寬度均為2-10 μπι。
[0053]本發(fā)明實施例中所述子像素電極和所述子公共電極的寬度均為2-10 μπι時，該寬度范圍利用現(xiàn)有制作工藝可以制作，所述子像素電極和所述子公共電極之間可以形成均勻的驅(qū)動電場，且可以避免因所述子像素電極和所述子公共電極的寬度過細而斷線進一步導致顯示不良。
[0054]較佳的，所述公共電極上還設置有第二連接區(qū)；所述公共電極在正投影方向上與至少部分與所述公共電極線重疊，所述公共電極與所述公共電極線通過所述第二連接區(qū)與所述公共電極線之間的第一過孔實現(xiàn)電連接。
[0055]本發(fā)明實施中所述公共電極上還設置有第二連接區(qū)；且所述公共電極在正投影方向上與至少部分與所述公共電極線重疊，所述公共電極與所述公共電極線通過所述第二連接區(qū)與所述公共電極線之間的第一過孔實現(xiàn)電連接，所述公共電極線為所述公共電極提供驅(qū)動電壓。
【附圖說明】
[0056]圖1為現(xiàn)有技術中的一種顯示基板的平面結構示意圖；
[0057]圖2為圖1中顯示基板的剖面結構示意圖；
[0058]圖3為本發(fā)明實施例一提供的一種顯示基板的平面結構示意圖；
[0059]圖4為圖1中顯示基板的剖面結構示意圖；
[0060]圖5為本發(fā)明實施例二提供的一種顯示基板的剖面結構示意圖；
[0061]圖6為本發(fā)明實施例三提供的一種顯示基板的剖面結構示意圖；
[0062]圖7至圖15為圖4所示的顯示基板的制作方法流程圖。
【具體實施方式】
[0063]本發(fā)明實施例提供了一種顯示基板及其制作方法和顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術中大尺寸顯示面板中充電率較低的問題。
[0064]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0065]本發(fā)明實施例一提供了一種顯示基板，參見圖3和圖4;所述顯示基板包括襯底基板101、在所述襯底基板101上交叉布置的柵線102、數(shù)據(jù)線103以及由所述柵線102和所述數(shù)據(jù)線103劃分出的呈矩陣排列的像素單元，所述像素單元內(nèi)設置有薄膜晶體管、像素電極和公共電極；其中，所述像素電極和所述公共電極同層絕緣設置，所述像素電極包括多條條狀的子像素電極104，所述公共電極包括多條條狀的子公共電極105，所述多條條狀的子像素電極104與所述多條條狀的子公共電極105交替分布，每一條所述子像素電極104和與之相鄰的子公共電極105之間的間隔寬度為1-5 μπι。
[0066]本發(fā)明實施例中，所述顯示基板包括襯底基板、在所述襯底基板上交叉布置的柵線、數(shù)據(jù)線以及由所述柵線和所述數(shù)據(jù)線劃分出的呈矩陣排列的像素單元，所述像素單元內(nèi)設置有薄膜晶體管、像素電極、公共電極；其中，所述像素電極和所述公共電極同層絕緣設置，所述像素電極包括多條條狀的子像素電極，所述公共電極包括多條條狀的子公共電極，所述多條條狀的子像素電極與所述多條條狀的子公共電極交替分布，每一條所述子像素電極和與之相鄰的子公共電極之間的間隔寬度為1-5 ym。本發(fā)明實施中通過將所述像素電極和所述公共電極同層絕緣設置，可以減小大尺寸液晶顯示面板中存儲電容Cst，從而在不增大薄膜晶體管尺寸的前提下保證存