一種ffs陣列基板及其制造方法和顯示裝置的制造方法
【專(zhuān)利說(shuō)明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種FFS陣列基板及其制造方法和顯示裝置。
【【背景技術(shù)】】
[0002]邊緣場(chǎng)開(kāi)關(guān)(Fringe Field Switching，簡(jiǎn)稱(chēng)FFS)技術(shù)，是目前的一種液晶顯示器技術(shù)，是液晶界為解決大尺寸，高清晰桌面顯示器和液晶電視應(yīng)用而開(kāi)發(fā)的一種廣視角技術(shù)。FFS液晶面板具有響應(yīng)時(shí)間快、光透過(guò)率高，寬視角等優(yōu)點(diǎn)，但是由于FFS液晶面板采用兩層氧化銦錫(Indium tin oxide,簡(jiǎn)稱(chēng)ITO)來(lái)制作，它本身的制作流程要比一般的液晶面板要多一到兩道掩膜工藝。為了提升像素ITO與金屬間的接觸電導(dǎo)性，減少掩膜工藝，現(xiàn)有改進(jìn)技術(shù)將像素ITO直接制作在源漏極金屬上，從而減少了一層絕緣保護(hù)層的制作工藝，但是由于半導(dǎo)體層會(huì)直接與ITO刻蝕液接觸，因此半導(dǎo)體層有源層容易受到ITO刻蝕液的損傷，進(jìn)而影響到半導(dǎo)體有源層的導(dǎo)電特性。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種FFS陣列基板的制造方法，該制造方法在不增加制作工藝的基礎(chǔ)上，克服了現(xiàn)有技術(shù)的像素電極ITO刻蝕對(duì)半導(dǎo)體有源層的損傷。本發(fā)明另外提供一種FFS陣列基板和一種顯示裝置。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0005]—種FFS陣列基板的制造方法，包括以下步驟:
[0006](I)在陣列基板上形成金屬層，并通過(guò)圖形化處理得到柵極與公共電極線；
[0007](2)在所述柵極和公共電極線上形成柵極絕緣層，所述柵極絕緣層覆蓋整個(gè)陣列基板；
[0008](3)在所述柵極和公共電極線之間的柵極絕緣層上形成一層像素電極ITO ;
[0009](4)在所述柵極處上的柵極絕緣層上形成一層半導(dǎo)體有源層，且所述半導(dǎo)體有源層的截面寬度小于所述柵極的截面寬度；
[0010](5)在所述半導(dǎo)體有源層與柵極絕緣層上面形成源極及漏極，且所述漏極與所述像素電極ITO的一部分重疊接觸且漏極在所述像素電極ITO上面；
[0011](6)在所述源極、漏極、半導(dǎo)體有源層、像素電極ITO及柵極絕緣層上形成一層絕緣保護(hù)層，并在所述公共電極線上面的柵極絕緣層與絕緣保護(hù)層上形成過(guò)孔結(jié)構(gòu)，且過(guò)孔結(jié)構(gòu)的截面寬度小于所述公共電極線的截面寬度；
[0012](7)在所述像素電極ITO對(duì)應(yīng)的絕緣保護(hù)層與過(guò)孔結(jié)構(gòu)上面形成公共電極結(jié)構(gòu)。
[0013]優(yōu)選地，所述步驟I的柵極與公共電極線的厚度為3000?5000am，其通過(guò)物理濺射沉淀Al或Cu金屬形成。
[0014]優(yōu)選地，步驟2的柵極絕緣層厚度為2000?5000am，其通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉淀SiNx形成。
[0015]優(yōu)選地，所述步驟3的像素電極ITO厚度為300?1000am，其通過(guò)物理濺射ITO材料形成。
[0016]優(yōu)選地，所述步驟4的半導(dǎo)體有源層的厚度為1300?2000am，其通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉淀非晶硅或摻雜非晶硅材料所形成。
[0017]優(yōu)選地，所述絕緣保護(hù)層的厚度為2000?5000am，所述公共電極的厚度為300?1000am，所述絕緣保護(hù)層的制作材料為SiNx，所述公共電極的制作材料為ΙΤ0。
[0018]—種FFS陣列基板，包括:
[0019]基板；
[0020]柵線，形成于所述基板上；
[0021]柵極，形成于所述基板上；
[0022]公共電極線，形成于所述基板上；
[0023]柵極絕緣層，形成在所述基板上，并覆蓋所述柵線、柵極與公共電極線；
[0024]數(shù)據(jù)線，形成在所述柵極絕緣層上面；
[0025]像素電極ΙΤ0，形成在柵極與公共電極線之間的所述柵極絕緣層上面；
[0026]半導(dǎo)體有源層，形成在所述柵極對(duì)應(yīng)的所述柵極絕緣層上，且所述半導(dǎo)體有源層的截面寬度小于所述柵極的截面寬度；
[0027]源極與漏極，均形成在所述柵極絕緣層上面，所述源極和漏極分別與所述半導(dǎo)體有源層兩端相接觸，形成TFT溝道，所述漏極與所述像素電極ITO —部分重疊接觸且漏極在所述像素電極ITO上面；
[0028]絕緣保護(hù)層，所述絕緣保護(hù)層覆蓋在所述像素電極ΙΤ0、半導(dǎo)體有源層、源極、漏極與柵極絕緣層上；
[0029]過(guò)孔結(jié)構(gòu)，形成在所述公共電極線上面的所述柵極絕緣層與絕緣保護(hù)層上，且過(guò)孔結(jié)構(gòu)的截面寬度小于所述公共電極線的截面寬度；以及
[0030]公共電極ΙΤ0，所述公共電極ITO形成在所述像素電極對(duì)應(yīng)的絕緣保護(hù)層與過(guò)孔結(jié)構(gòu)的上面。
[0031]優(yōu)選地，柵極與公共電極線的厚度為3000?5000am，柵極絕緣層厚度為2000?5000am，像素電極ITO厚度為300?1000am，半導(dǎo)體有源層的厚度為1300?2000am，所述絕緣保護(hù)層的厚度為2000?5000am，所述公共電極的厚度為300?100am0
[0032]優(yōu)選地，所述柵極絕緣層與絕緣保護(hù)層的制作材料為SiNx，所述半導(dǎo)體有源層的制作材料為非晶硅或摻雜非晶硅，所述像素電極與公共電極的制作材料為ΙΤ0。
[0033]一種顯示裝置，包括上述的FFS陣列基板。
[0034]本發(fā)明的有益效果:
[0035]本發(fā)明一種FFS陣列基板的制造方法，將像素電極ITO的制作工藝提到半導(dǎo)體有源層的制作工藝之前，在不增加制作工藝的基礎(chǔ)上，克服了現(xiàn)有技術(shù)的像素電極ITO刻蝕對(duì)半導(dǎo)體有源層的損傷。本發(fā)明的一種FFS陣列基板，像素電極ITO處于漏極的下面，結(jié)構(gòu)更加簡(jiǎn)單。
【【附圖說(shuō)明】】
[0036]圖1為本發(fā)明的FFS陣列基板的制造方法流程圖；
[0037]圖2為本發(fā)明的基板上形成柵極與公共電極線的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖3為本發(fā)明的基板上形成柵極絕緣層與像素電極ITO的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖4為本發(fā)明的基板上形成半導(dǎo)體有源層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖5為本發(fā)明的基板上形成源極和漏極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖6為本發(fā)明的基板上形成絕緣保護(hù)層和過(guò)孔結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0042]圖7為本發(fā)明的基板上形成公共電極后的完整結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖8為現(xiàn)有技術(shù)的FFS陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖9為現(xiàn)有技術(shù)的FFS陣列基板形成半導(dǎo)體有源層時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖10為現(xiàn)有技術(shù)的FFS陣列基板形成源極和漏極時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖11為現(xiàn)有技術(shù)的FFS陣列基板形成像素電極ITO時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0047]以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語(yǔ)，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「?jìng)?cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語(yǔ)是用以說(shuō)明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號(hào)表示。
[0048]實(shí)施例1
[0049]如圖1所示，為本發(fā)明的一種FFS陣列基板的制造方法的流程圖，圖2至圖7為本發(fā)明一種FFS陣列基板的制造工藝順序圖，從圖1至圖7可以看出，本發(fā)明的一種FFS陣列基板的制造方法包括以下幾個(gè)步驟:
[0050]步驟SlOl:在基板I上通過(guò)物理濺射沉淀一層膜厚為3000?5000am的Mo/Al/Cu等金屬或金屬合金，然后通過(guò)涂布、曝光、顯影、濕蝕刻和剝離等方法形成柵極2與公共電極線3，如圖2所示。
[0051]步驟S102:在所述柵極2和公共電極線3上，通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉淀一層厚度為2000?5000am的SiNx柵極絕緣層4，所述柵極絕緣層4覆蓋整個(gè)基板I。
[0052]步驟S103:然后通過(guò)物理濺射沉淀一層300?100am的ITO等透明導(dǎo)電材料，通過(guò)涂布、曝光、顯影、濕蝕刻和剝離等方法形成像素電極結(jié)構(gòu)5，如圖3所示。
[0053]本步驟與現(xiàn)有技術(shù)存在很大的不同，如圖8為現(xiàn)有技術(shù)的FFS陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖9至圖11是該現(xiàn)有技術(shù)的FFS陣列基板的制造工藝順序圖的一部分，從圖9可以看出，現(xiàn)有技術(shù)的FFS陣列基板在完成柵極絕緣層4后，不是像本發(fā)明那樣直接在柵極絕緣層4上形成本發(fā)明的像素電極ITO 5，而是在柵極2對(duì)應(yīng)的柵極絕緣層4形成半導(dǎo)體有源層6，然后形成源極7和漏極8，接著才是形成現(xiàn)有技術(shù)的像素電極ITO 5?，F(xiàn)有技術(shù)的這種制造方法，由于半導(dǎo)體有源層6會(huì)直接與像素電極ITO 5的刻蝕液相接觸，會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體有源層6受到像素電極ITO 5的刻蝕液的損傷，進(jìn)而影響到半導(dǎo)體有源層6的導(dǎo)電特性。而本發(fā)明的本步驟的做法恰恰相反，在完成柵極絕緣層4后，直接在柵極絕緣層4上形成像素電極ITO 5，然后再形成半導(dǎo)體有源層6以及源極7和漏極8，這樣就避免了像素電極ITO 5的刻蝕液對(duì)半導(dǎo)體有源層6的損傷。
[0054]步驟S104:在所述柵極2處上的