示例性電感器232。電感器232的每個匝236包括形成(例如，沉積)在內(nèi)插層212內(nèi)的一對導(dǎo)電(例如，銅)柱240。例如，可以在內(nèi)插層212中形成(例如激光鉆孔的)過孔(即，孔)。利用銅或另一合適導(dǎo)電材料填充過孔，以形成導(dǎo)電塞或柱240。導(dǎo)電跡線244連接在內(nèi)插層212的第二表面224上的、柱240的第一端248，以形成電感器232的匝236。僅作為示例，使用導(dǎo)電焊盤256，將導(dǎo)電柱240的第二端252連接到焊料凸塊220。
[0029]電感器232的電感L對應(yīng)于例如L = ΑΝ2，其中A對應(yīng)于電感器232的面積，N對應(yīng)于電感器232的匝數(shù)。如圖3所示，面積A對應(yīng)于柱240之間的間隔與柱240的高度(即，內(nèi)插層212的厚度)的乘積。
[0030]圖4示出具有統(tǒng)稱為匝236的多個匝236-1、236-2和236_3的一個示例性電感器232。為了形成圖4所示的具有多個匝236的電感器232，導(dǎo)電跡線260將匝中的第一匝236-1中的柱240的第二端252連接到匝中的第二匝236-2中的柱240的第二端252。導(dǎo)電跡線260可以形成在內(nèi)插層212的第一表面216上。
[0031]圖5示出包括統(tǒng)稱為電感器304的多個電感器304-1........304-η的示例性內(nèi)插層300。僅作為示例，將電感器304-1示出為多匝電感器，而將電感器304-η示出為單匝電感器。圖6示出圖5的示例性內(nèi)插層300的俯視圖。
[0032]圖7示出根據(jù)本公開原理的另一實施方式的示例性集成電路700。可以直接在集成電路700的表面上形成一個或多個單匝電感器704，而無需使用內(nèi)插層。例如，可以直接在集成電路700的表面上形成焊料凸塊和/或銅柱708的對。形成在集成電路700的表面上的導(dǎo)電跡線712將銅柱708連接在一起，以形成電感器704。
[0033]圖8示出根據(jù)本公開原理的FinFET晶片800?？梢詫⒕哂袦囟扰蛎浵禂?shù)大致等于硅晶片的溫度膨脹系數(shù)的玻璃襯底804形成在(例如鍵合到)FinFET晶片的表面上。導(dǎo)電(例如，銅)柱808可以形成在玻璃襯底804內(nèi)，并與相應(yīng)的導(dǎo)電跡線812連接(例如上面在圖2中所述)，以提供連接到FinFET晶片800的一個或多個電感器816。
[0034]前面的描述本質(zhì)上僅是說明性的，決不旨在限制本公開、其應(yīng)用或使用。本公開的廣義教導(dǎo)可以以各種各樣的形式實施。因此，盡管本公開包括特定示例，但本公開的實際范圍并不應(yīng)限制于此，因為在研究了附圖、說明書和下面的權(quán)利要求后，其它修改將變得顯而易見。如這里使用的，用語“A、B和C中的至少一個”應(yīng)認為是指使用非排他邏輯或OR的邏輯(A或B或C)。應(yīng)理解到，可以按照不同的順序(或者并發(fā)地)執(zhí)行方法內(nèi)的一個或多個步驟，而不更改本公開的原理。
【主權(quán)項】
1.一種集成電路封裝，包括: 集成電路；以及 內(nèi)插層，布置在所述集成電路之上，所述內(nèi)插層包括至少部分地形成在所述內(nèi)插層內(nèi)的電感器，所述電感器包括: 第一對導(dǎo)電柱，所述第一對導(dǎo)電柱包括分別形成在第一過孔和第二過孔內(nèi)的第一導(dǎo)電柱和第二導(dǎo)電柱，其中所述第一過孔和所述第二過孔穿過所述內(nèi)插層而形成， 第一導(dǎo)電跡線，所述第一導(dǎo)電跡線跨接所述第一導(dǎo)電柱在所述內(nèi)插層的第一表面上的第一端和所述第二導(dǎo)電柱在所述內(nèi)插層的所述第一表面上的第一端，以及 第一導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)，所述第一導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)連接在α)所述第一導(dǎo)電柱的第二端和所述第二導(dǎo)電柱的第二端與αυ所述集成電路之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝，其中所述第一導(dǎo)電跡線和所述第一對導(dǎo)電柱中的至少一項包括銅。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝，其中所述內(nèi)插層包括玻璃和二氧化硅中的至少一項。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝，其中所述內(nèi)插層通過使用布置在所述內(nèi)插層的第二表面與所述集成電路之間的多個焊料凸塊，連接到所述集成電路。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路封裝，其中所述第一互連結(jié)構(gòu)包括所述焊料凸塊。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝，其中所述電感器進一步包括: 第二對導(dǎo)電柱，所述第二對導(dǎo)電柱包括分別形成在第三過孔和第四過孔內(nèi)的第三導(dǎo)電柱和第四導(dǎo)電柱，其中所述第三過孔和所述第四過孔穿過所述內(nèi)插層而形成， 第二導(dǎo)電跡線，所述第二導(dǎo)電跡線跨接所述第三導(dǎo)電柱在所述內(nèi)插層的所述第一表面上的第一端和所述第四導(dǎo)電柱在所述內(nèi)插層的所述第一表面上的第一端， 第二導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)，所述第二導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)連接在(i)所述第三導(dǎo)電柱的第二端和所述第四導(dǎo)電柱的第二端與(ii)所述集成電路之間，以及 第三導(dǎo)電跡線，所述第三導(dǎo)電跡線跨接所述第二導(dǎo)電柱在所述內(nèi)插層的第二表面上的所述第二端和所述第三導(dǎo)電柱在所述內(nèi)插層的所述第二表面上的所述第二端。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝，其中所述第一導(dǎo)電柱和所述第二導(dǎo)電柱垂直于所述集成電路的第一表面。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝，其中所述內(nèi)插層包括多個所述電感器。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝，其中所述第一對導(dǎo)電柱和所述第一導(dǎo)電跡線對應(yīng)于所述電感器的一匝。10.一種形成集成電路封裝的方法，所述方法包括: 在集成電路之上形成內(nèi)插層； 至少部分地在所述內(nèi)插層內(nèi)形成電感器，其中形成所述電感器包括: 穿過所述內(nèi)插層形成第一過孔和第二過孔， 分別在所述第一過孔和所述第二過孔內(nèi)形成包括第一導(dǎo)電柱和第二導(dǎo)電柱的第一對導(dǎo)電柱， 跨接所述第一導(dǎo)電柱在所述內(nèi)插層的第一表面上的第一端和所述第二導(dǎo)電柱在所述內(nèi)插層的所述第一表面上的第一端，連接第一導(dǎo)電跡線，以及 在α)所述第一導(dǎo)電柱的第二端和所述第二導(dǎo)電柱的第二端與αυ所述集成電路之間，連接第一導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電跡線和所述第一對導(dǎo)電柱中的至少一項包括銅。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述內(nèi)插層包括玻璃和二氧化硅中的至少一項。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，進一步包括:通過使用布置在所述內(nèi)插層的第二表面與所述集成電路之間的多個焊料凸塊，將所述內(nèi)插層連接到所述集成電路。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一互連結(jié)構(gòu)包括所述焊料凸塊。15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中形成所述電感器進一步包括: 穿過所述內(nèi)插層形成第三過孔和第四過孔； 分別在所述第三過孔和所述第四過孔內(nèi)形成包括第三導(dǎo)電柱和第四導(dǎo)電柱的第二對導(dǎo)電柱； 跨所述第三導(dǎo)電柱在所述內(nèi)插層的所述第一表面上的第一端和所述第四導(dǎo)電柱在所述內(nèi)插層的所述第一表面上的第一端，連接第二導(dǎo)電跡線； 在(i)所述第三導(dǎo)電柱的第二端和所述第四導(dǎo)電柱的第二端與(ii)所述集成電路之間，連接第二導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)；以及 跨所述第二導(dǎo)電柱在所述內(nèi)插層的第二表面上的所述第二端和所述第三導(dǎo)電柱在所述內(nèi)插層的所述第二表面上的所述第二端，連接第三導(dǎo)電跡線。16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電柱和所述第二導(dǎo)電柱垂直于所述集成電路的第一表面。17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述內(nèi)插層包括多個所述電感器。18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一對導(dǎo)電柱和所述第一導(dǎo)電跡線對應(yīng)于所述電感器的一匝。
【專利摘要】本發(fā)明的各個實施例涉及硅晶片外部的電感器/變壓器。本發(fā)明提供一種集成電路封裝，包括集成電路和內(nèi)插層。內(nèi)插層布置在集成電路之上并且包括至少部分地形成在內(nèi)插層內(nèi)的電感器。電感器包括第一對導(dǎo)電柱，第一對導(dǎo)電柱包括分別形成在第一過孔和第二過孔內(nèi)的第一導(dǎo)電柱和第二導(dǎo)電柱。第一過孔和第二過孔穿過內(nèi)插層而形成。電感器進一步包括第一導(dǎo)電跡線和第一導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)，第一導(dǎo)電跡線跨接第一導(dǎo)電柱在內(nèi)插層的第一表面上的第一端和第二導(dǎo)電柱在內(nèi)插層的第一表面上的第一端，第一導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)連接在第一導(dǎo)電柱的第二端和第二導(dǎo)電柱的第二端與集成電路之間。
【IPC分類】H01L21/77, H01F30/06
【公開號】CN105161453
【申請?zhí)枴緾N201410667398
【發(fā)明人】S·薩塔德賈
【申請人】馬維爾國際貿(mào)易有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2014年11月20日
【公告號】US20150137342