法是所有清洗方法中最為徹底的剝離式清洗，其最大優(yōu)勢在于清洗后無廢液，最大特點(diǎn)是對金屬、半導(dǎo)體、氧化物和大多數(shù)高分子材料等都能很好地處理，可實(shí)現(xiàn)整體和局部以及復(fù)雜結(jié)構(gòu)的清洗，不損傷材料又能實(shí)現(xiàn)高效清理。
[0032]4)用環(huán)氧樹脂填充半導(dǎo)體封裝件，完成塑封。
[0033]實(shí)施例2
[0034]該實(shí)施例提供了半導(dǎo)體封裝打線工藝中焊錫防腐蝕的處理方法，包括以下步驟:
[0035]I)提供如圖1所示的已經(jīng)完成焊接的半導(dǎo)體封裝件。
[0036]2)用噴嘴口徑為0.8mm的自動(dòng)噴槍，在半導(dǎo)體封裝件裸露的焊錫點(diǎn)，噴涂有機(jī)硅膠保護(hù)層，保護(hù)層的厚度為120 μπι。于空氣中靜置5-10分鐘，使有機(jī)硅膠固化；可選用的有機(jī)硅膠有很多種，比如703硅膠、704硅膠、705硅膠、706硅膠等。被涂覆焊錫點(diǎn)的位置同實(shí)施例1。
[0037]3)采用紫外-臭氧清洗法，對半導(dǎo)體封裝件進(jìn)行清洗，除去多余的助焊劑。
[0038]4)用環(huán)氧樹脂填充半導(dǎo)體封裝件，完成塑封。
[0039]實(shí)施例3
[0040]該實(shí)施例提供了半導(dǎo)體封裝打線工藝中焊錫防腐蝕的處理方法，包括以下步驟:
[0041]I)提供如圖1所示的已經(jīng)完成焊接的半導(dǎo)體封裝件。
[0042]2)用噴嘴口徑為1.0mm的自動(dòng)噴槍，在半導(dǎo)體封裝件裸露的焊錫點(diǎn)，噴涂雙丙酮丙烯酰胺和己二酸二酰肼的混合體，其中己二酸二酰肼的含量占混合物含量的1.5%，混合體層的厚度為35 μπι。步驟2)還包括:涂覆焊錫后，于空氣中靜置10-20分鐘，使混合體固化。被涂覆焊錫點(diǎn)的位置同實(shí)施例1。
[0043]3)采用體積比為85% Ar+15% 02的等離子氣體例，對半導(dǎo)體封裝件進(jìn)行清洗，除去多余的助焊劑。
[0044]4)用環(huán)氧樹脂填充半導(dǎo)體封裝件，完成塑封。
[0045]實(shí)施例4
[0046]該實(shí)施例提供了半導(dǎo)體封裝打線工藝中焊錫防腐蝕的處理方法，包括以下步驟:
[0047]I)提供如圖1所示的已經(jīng)完成焊接的半導(dǎo)體封裝件。
[0048]2)將防護(hù)蠟加熱到40 °C，用噴嘴口徑為0.6mm的自動(dòng)噴槍，在半導(dǎo)體封裝件裸露的焊錫噴涂防護(hù)蠟，在常溫下靜置30分鐘；防護(hù)蠟的成分為:石蠟20-50%，硬脂酸5-10%，三乙醇胺15-20%，余量為乙醇。防護(hù)蠟層的厚度為90μπι。被涂覆焊錫點(diǎn)的位置同實(shí)施例1。
[0049]3)采用體積比為85% Ar+15% 02的等離子氣體例，對半導(dǎo)體封裝件進(jìn)行清洗，除去多余的助焊劑。
[0050]4)用環(huán)氧樹脂填充半導(dǎo)體封裝件，完成塑封。
[0051]實(shí)施例5
[0052]該實(shí)施例提供了半導(dǎo)體封裝打線工藝中焊錫防腐蝕的處理方法，包括以下步驟:
[0053]I)提供如圖1所示的已經(jīng)完成焊接的半導(dǎo)體封裝件。
[0054]2)中采用毛刷進(jìn)行涂覆，所述毛刷直徑為0.5mm，所述毛刷的刷毛的直徑為0.01。焊錫涂覆UV油墨后，進(jìn)行紫外燈光照射，照射時(shí)間8分鐘，使UV油墨固化。UV保護(hù)層的厚度為60 μπι。被涂覆焊錫點(diǎn)的位置同實(shí)施例1。
[0055]3)采用體積比為85% Ar+15% 02的等離子氣體例，對半導(dǎo)體封裝件進(jìn)行清洗，除去多余的助焊劑。
[0056]采用紫外-臭氧清洗法，對半導(dǎo)體封裝件進(jìn)行清洗，除去多余的助焊劑。
[0057]4)用環(huán)氧樹脂填充半導(dǎo)體封裝件，完成塑封。
[0058]實(shí)施例6
[0059]該實(shí)施例提供了半導(dǎo)體封裝打線工藝中焊錫防腐蝕的處理方法，具體步驟同實(shí)施例5，不同之處在于步驟2)中采用的毛刷直徑為2mm，毛刷的刷毛直徑為0.05mm。
[0060]本發(fā)明提供的半導(dǎo)體封裝打線工藝中焊錫防腐蝕的處理方法，可有效避免半導(dǎo)體封裝打線工藝中焊錫的腐蝕問題，提高封裝芯片的良率，而且工藝簡單，操作方便，成本低，適合工業(yè)化推廣應(yīng)用。
[0061]上述說明示出并描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，如前所述，應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明并非局限于本文所披露的形式，不應(yīng)看作是對其他實(shí)施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并能夠在本文所述發(fā)明構(gòu)想范圍內(nèi)，通過上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識(shí)進(jìn)行改動(dòng)。而本領(lǐng)域人員所進(jìn)行的改動(dòng)和變化不脫離本發(fā)明的精神和范圍，則都應(yīng)在本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體封裝打線工藝中焊錫防腐蝕的處理方法，其特征在于，包括以下步驟: 1)提供一完成焊接的半導(dǎo)體封裝件； 2)對半導(dǎo)體封裝件的焊錫涂覆保護(hù)層，將焊錫裸露面覆蓋起來； 3)半導(dǎo)體封裝件進(jìn)行清洗，除去多余的助焊劑； 4)填充塑封材料。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體封裝打線工藝中焊錫防腐蝕的處理方法，其特征在于:所述步驟2)中進(jìn)行涂覆使用的是噴槍，噴槍的噴嘴口徑為0.5mm-1.0mm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體封裝打線工藝中焊錫防腐蝕的處理方法，其特征在于:所述步驟2)采用毛刷進(jìn)行涂覆，所述毛刷直徑為0.5mm-2mm，所述毛刷的刷毛直徑為0.0lmm-0.05mmo4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體封裝打線工藝中焊錫防腐蝕的處理方法，其特征在于:所述步驟3)的清洗方法為等離子體清洗，所述使用的等離子氣體為85%Ar+15%02。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體封裝打線工藝中焊錫防腐蝕的處理方法，其特征在于:所述步驟3)的清洗方法為紫外-臭氧清洗。6.根據(jù)權(quán)利要求1-3所述的一種半導(dǎo)體封裝打線工藝中焊錫防腐蝕的處理方法，其特征在于:所述保護(hù)層為油墨、薄膜、蠟?zāi)ぶ械囊环N，所述保護(hù)層的厚度為15-120 μπι。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種半導(dǎo)體封裝打線工藝中焊錫防腐蝕的處理方法，其特征在于:所述油墨為UV油墨；所述步驟2)還包括:UV油墨覆蓋焊錫后，進(jìn)行紫外燈光照射，照射時(shí)間為3-10分鐘。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種半導(dǎo)體封裝打線工藝中焊錫防腐蝕的處理方法，其特征在于:所述薄膜為有機(jī)硅膠；所述步驟2)還包括:有機(jī)硅膠覆蓋焊錫后，于空氣中靜置5-10分鐘。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種半導(dǎo)體封裝打線工藝中焊錫防腐蝕的處理方法，其特征在于:所述蠟?zāi)さ某煞譃?石蠟20-50%，硬脂酸5-10%，三乙醇胺15-20%，余量為乙醇；所述噴涂防護(hù)蠟的步驟還包括:將防護(hù)蠟加熱到40°C，噴涂后防護(hù)蠟后，在常溫下靜置30分鐘。10.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種半導(dǎo)體封裝打線工藝中焊錫防腐蝕的處理方法，其特征在于:所述步驟2)中所述保護(hù)層為雙丙酮丙烯酰胺和己二酸二酰肼的混合體，所述己二酸二酰肼的含量占混合物總重量的1.5%，所述步驟2)還包括:涂覆蓋焊錫后，于空氣中靜置10-20分鐘。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體封裝打線工藝中焊錫防腐蝕的處理方法，包括以下步驟：1)提供一完成焊接的半導(dǎo)體封裝件；2)對半導(dǎo)體封裝件的焊錫涂覆保護(hù)層，將焊錫裸露的焊錫覆蓋起來；3)半導(dǎo)體封裝件進(jìn)行清洗，除去多余的助焊劑；4)填充塑封材料。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體封裝打線工藝中焊錫防腐蝕的處理方法，可有效避免半導(dǎo)體封裝打線工藝中焊錫的腐蝕問題，提高半導(dǎo)體封裝芯片的良率，而且工藝簡單，操作方便，成本低，適合工業(yè)化推廣應(yīng)用。
【IPC分類】H01L21/60, H01L23/488
【公開號】CN105047573
【申請?zhí)枴緾N201510375588
【發(fā)明人】石磊
【申請人】南通富士通微電子股份有限公司
【公開日】2015年11月11日
【申請日】2015年6月30日