本發(fā)明涉及l(fā)ed封裝工藝,具體涉及一種封裝工藝中的焊線工藝。
背景技術(shù):
led封裝工藝流程中,焊線是指將金線末端采用電子打火棒打火燒結(jié)成金球,再利用焊針經(jīng)由超聲波振蕩能量在一定的焊接壓力下讓金球與焊墊產(chǎn)生相對(duì)的摩擦運(yùn)動(dòng),并借由快速摩擦產(chǎn)生的能量使金球與焊墊達(dá)到離子程度的熔接。焊線工藝是將芯片跟支架連接起來將電能轉(zhuǎn)化為光能最直接的體現(xiàn)。
現(xiàn)有技術(shù)中的焊線流程如圖1所示,其焊接過程如下,首先是金屬絲燒球焊接在ic上,形成一焊點(diǎn),之后金屬絲與芯片一個(gè)電極連接,形成二焊點(diǎn),然后金屬絲燒球焊接在芯片的另一個(gè)電極上,最后金屬絲與支架相連。由于工藝的限制,有燒球的一端與電極的焊接比較牢固。而現(xiàn)有芯片的尺寸比較小,比較常見的芯片是5*7mm或者4*6mm、甚至更小,其上設(shè)有兩個(gè)電極。在常規(guī)的焊線過程中,由于尺寸太小,焊接可能出現(xiàn)焊接干涉,會(huì)出現(xiàn)焊線脫落的現(xiàn)象,導(dǎo)致生產(chǎn)的led不合格。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明提的目的是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種適合小尺寸芯片焊接的led封裝工藝中的焊線工藝。
本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種led封裝工藝中的焊線工藝,按照下述方式進(jìn)行的:(1)金屬絲燒球、焊接到芯片一個(gè)電極上,金屬絲另一端焊接在ic電極上;(2)金屬絲燒球、焊接在芯片的另一個(gè)電極上,金屬絲另一端焊接在支架上。
所述芯片為紅芯片、綠芯片和藍(lán)芯片。
本發(fā)明中,金屬絲燒球端都是在芯片的兩個(gè)電極上,在芯片→ic、芯片→支架的焊接過程中,都是先焊接芯片上的電極,比較適合小尺寸芯片的焊接。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)的焊接示意圖。
圖2為本發(fā)明的焊接示意圖。
圖3為本發(fā)明焊接示例圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有付出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
如圖2和3所示,一種led封裝工藝中的焊線工藝,按照下述步驟進(jìn)行的:
(1)金屬絲燒球、焊接到芯片一個(gè)電極上,形成一焊點(diǎn);金屬絲另一端焊接在ic電極上,形成二焊點(diǎn);
(2)金屬絲燒球、焊接在芯片的另一個(gè)電極上,金屬絲另一端焊接在支架上。
本發(fā)明中,金屬絲燒球端都是在芯片的兩個(gè)電極上,在芯片→ic、芯片→支架的焊接過程中,都是先焊接芯片上的電極,比較適合小尺寸芯片的焊接,盡可能的減少了脫線現(xiàn)象。其中所述芯片為紅芯片、綠芯片和藍(lán)芯片。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。