r>[0091] 隨后，在S42中，在有機發(fā)光層上形成包括具有第一光透射率的第一區(qū)域和具有 比第一光透射率大的第二光透射率的第二區(qū)域的陰極。
[0092] 形成陰極可包括在第一區(qū)域和第二區(qū)域中形成包括金屬的金屬電極，并在與第二 區(qū)域?qū)?yīng)的金屬電極的表面上形成具有與金屬電極的光學(xué)特性不同的光學(xué)特性的反射減 少層。
[0093] 形成陰極可包括在第一區(qū)域中形成包括金屬的金屬電極，并在第二區(qū)域中形成包 括透明導(dǎo)電材料的透明電極。
[0094] 之后，將描述根據(jù)本發(fā)明實施方式的使用反射減少層來減小陰極對于有機發(fā)光層 發(fā)射的光的反射率的有機發(fā)光裝置的各個特點。
[0095] 根據(jù)本發(fā)明的另一個特點，陽極在紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域和藍色子像 素區(qū)域中具有不同的厚度。
[0096] 根據(jù)本發(fā)明的再一個特點，白色子像素區(qū)域中的陽極具有與紅色子像素區(qū)域、綠 色子像素區(qū)域和藍色子像素區(qū)域之一中的陽極大致相同的厚度。
[0097] 根據(jù)本發(fā)明的再一個特點，反射減少層形成在與白色子像素區(qū)域?qū)?yīng)的一部分陰 極的上表面、下表面、或上表面和下表面上。
[0098]根據(jù)本發(fā)明的再一個特點，反射減少層包括鋼氧化物（Mo〇3)、娃氮化物（Si化)、娃 氧化物（Si化）和氧化銅鋒（IZ0)中的一種或多種。
[0099] 根據(jù)本發(fā)明的再一個特點，反射減少層包括有機材料。
[0100] 根據(jù)本發(fā)明的再一個特點，其中陽極包括反射金屬層和透明導(dǎo)電氧化物層。
[0101] 根據(jù)本發(fā)明的再一個特點，反射減少層的厚度大于陰極的厚度。
[010引根據(jù)本發(fā)明的再一個特點，陰極由AgW大約lOOA到200A的厚度形成，且其中 反射減少層由IZ0W大約200人到400冷的厚度形成。
[010引根據(jù)本發(fā)明的再一個特點，陰極由AgW大約lOOA到200A的厚度形成，且其中 反射減少層由M003W大約200A;到400A的厚度形成。
[0104] 根據(jù)本發(fā)明的再一個特點，其中在與白色子像素區(qū)域?qū)?yīng)的陰極的上表面上形成 有第一反射減少層并在與白色子像素區(qū)域?qū)?yīng)的陰極的下表面上形成有第二反射減少層， 第一反射減少層和第二反射減少層具有彼此不同的厚度。
[0105] 之后，將描述根據(jù)本發(fā)明實施方式的包括具有不同光透射率的多個陰極的有機發(fā) 光裝置的各個特點。
[0106] 根據(jù)本發(fā)明的另一個特點，有機發(fā)光層的第一部分對應(yīng)于紅色子像素區(qū)域、綠色 子像素區(qū)域和藍色子像素區(qū)域中的至少一個，且其中有機發(fā)光層的第二部分對應(yīng)于白色子 像素區(qū)域。
[0107] 根據(jù)本發(fā)明的再一個特點，第二電極和第=電極形成在同一平面上。
[010引根據(jù)本發(fā)明的再一個特點，第二電極和第=電極彼此電連接，W形成陰極。
[0109] 根據(jù)本發(fā)明的再一個特點，第二電極由金屬合金形成，且其中第=電極由透明導(dǎo) 電氧化物材料形成。
[0110] 根據(jù)本發(fā)明的再一個特點，第二電極由MgAg形成，且第S電極由IZ0形成。
[0111] 之后，將描述根據(jù)本發(fā)明實施方式的制造有機發(fā)光裝置的方法的各個特點。
[0112] 根據(jù)本發(fā)明的另一個特點，形成陰極和反射減少層的步驟包括在與有機發(fā)光裝置 的第二部分對應(yīng)的有機發(fā)光層上形成第一反射減少層并在有機發(fā)光層和反射減少層上形 成陰極。
[0113] 根據(jù)本發(fā)明的再一個特點，本方法包括在與有機發(fā)光裝置的第二部分對應(yīng)的陰極 上形成第二反射減少層。
[0114] 已參照附圖更加詳細地描述了本發(fā)明的典型實施方式，但本發(fā)明并不限于該些典 型實施方式。在不脫離本發(fā)明的技術(shù)精神的情況下可進行各種修改，該對于所屬領(lǐng)域技術(shù) 人員來說是顯而易見的。因此，本發(fā)明中公開的典型實施方式并不用于限制而是用于描述 本發(fā)明的技術(shù)精神，本發(fā)明的技術(shù)精神不限于該些典型實施方式。因此，上述典型實施方式 在所有方面都應(yīng)當解釋為舉例說明，而并非限制性的。本發(fā)明的保護范圍必須由所附權(quán)利 要求書解釋，其應(yīng)當解釋為其等同范圍內(nèi)的所有技術(shù)精神都包含在本發(fā)明的所附權(quán)利要求 書中。
【主權(quán)項】
1. 一種具有紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域、藍色子像素區(qū)域和白色子像素區(qū)域的 有機發(fā)光裝置，包括： 下基板； 形成在所述下基板上的陽極； 形成在所述陽極上的有機發(fā)光層，所述有機發(fā)光層發(fā)射白色光； 形成在所述有機發(fā)光層上的陰極；和 反射減少層，所述反射減少層形成在與所述白色子像素區(qū)域?qū)?yīng)的一部分陰極上，用 于減少所述白色子像素區(qū)域處的陰極對所述有機發(fā)光層發(fā)射的光的反射。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述陽極在所述紅色子像素區(qū)域、所述 綠色子像素區(qū)域和所述藍色子像素區(qū)域中具有不同的厚度。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光裝置，其中所述白色子像素區(qū)域中的陽極具有與所 述紅色子像素區(qū)域、所述綠色子像素區(qū)域和所述藍色子像素區(qū)域之一中的陽極大致相同的 厚度。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述反射減少層形成在與所述白色子像 素區(qū)域?qū)?yīng)的所述一部分陰極的上表面、下表面、或上表面和下表面上。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述反射減少層包括鉬氧化物（MoO3)、 硅氮化物（SiNx)、硅氧化物（Si02)和氧化銦鋅（IZ0)中的一種多種。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述反射減少層包括有機材料。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述陽極包括反射金屬層和透明導(dǎo)電氧 化物層。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光裝置，其中所述反射減少層的厚度大于所述陰極的 厚度。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光裝置，其中所述陰極由Ag以大約丨〇〇A到200A的 厚度形成，且其中所述反射減少層由IZ0以大約200A到400A的厚度形成。10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光裝置，其中所述陰極由Ag以大約l〇〇A到200人 的厚度形成，且其中所述反射減少層由M〇03以大約200A到400A的厚度形成。11. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機發(fā)光裝置，其中在與所述白色子像素區(qū)域?qū)?yīng)的陰極 的上表面上形成有第一反射減少層并在與所述白色子像素區(qū)域?qū)?yīng)的陰極的下表面上形 成有第二反射減少層，所述第一反射減少層和第二反射減少層具有彼此不同的厚度。12. -種有機發(fā)光裝置，包括： 下基板； 形成在所述下基板上的第一電極； 形成在所述第一電極上的用于發(fā)射白色光的有機發(fā)光層； 形成在所述有機發(fā)光層的第一部分上的第二電極；和 形成在所述有機發(fā)光層的第二部分上的第三電極， 其中所述第三電極具有比所述第二電極高的光透射率。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光裝置，其中所述有機發(fā)光層的第一部分對應(yīng)于紅 色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域和藍色子像素區(qū)域中的至少一個，且其中所述有機發(fā)光層 的第二部分對應(yīng)于白色子像素區(qū)域。14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第二電極和所述第三電極形成在 同一平面上。15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第二電極和所述第三電極彼此電 連接，以形成陰極。16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第二電極由金屬合金形成，且其 中所述第三電極由透明導(dǎo)電氧化物材料形成。17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第二電極由MgAg形成，且所述第 三電極由IZO形成。18. -種制造有機發(fā)光裝置的方法，所述有機發(fā)光裝置具有對應(yīng)于紅色子像素區(qū)域、綠 色子像素區(qū)域和藍色子像素區(qū)域的第一部分以及對應(yīng)于白色子像素區(qū)域的第二部分，所述 方法包括： 在下基板上形成陽極； 在所述陽極上形成有機發(fā)光層；和 在所述有機發(fā)光裝置的第二部分中的有機發(fā)光層上形成陰極和反射減少層，以減少所 述陰極對所述有機發(fā)光層發(fā)射的光的反射。19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中形成陰極和反射減少層的步驟包括： 在與所述有機發(fā)光裝置的第二部分對應(yīng)的有機發(fā)光層上形成第一反射減少層；和 在所述有機發(fā)光層和所述反射減少層上形成陰極。20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，還包括： 在與所述有機發(fā)光裝置的第二部分對應(yīng)的陰極上形成第二反射減少層。
【專利摘要】公開了一種有機發(fā)光裝置，在抑制白色子像素區(qū)域中的微腔效應(yīng)的同時使用RGB子像素區(qū)域中的微腔效應(yīng)。所述有機發(fā)光裝置包括：下基板；形成在所述下基板上的陽極；形成在所述陽極上的有機發(fā)光層；形成在所述有機發(fā)光層上的陰極；和反射減少層，所述反射減少層形成在所述陰極的至少一部分上，用于減少所述陰極對所述有機發(fā)光層發(fā)射的光的反射，以減小微腔效應(yīng)。這種在有機發(fā)光裝置中微腔效應(yīng)的選擇性使用提高了頂部發(fā)光型有機發(fā)光裝置的色彩精度、發(fā)光效率和壽命。
【IPC分類】H01L27/32, H01L51/50
【公開號】CN104919593
【申請?zhí)枴緾N201380064842
【發(fā)明人】金敏基, 樸漢善, 都義斗
【申請人】樂金顯示有限公司
【公開日】2015年9月16日
【申請日】2013年12月11日
【公告號】EP2932530A1, US20150318334