170D，170E和170FW及反射減少 層180C，180D，180E和180F。除反射減少層180C，180D，180E和180F的位置和厚度之外，圖 Ic到If具有與圖化的構造大致相同的構造。因而，省略重復的描述。
[0069] 首先，參照圖Ic，反射減少層180C形成在與第四子像素區(qū)域110D，即白色子像素 區(qū)域對應的陰極170C的下表面上。反射減少層180C可形成在陰極170C的下表面上，W減 少與第四子像素區(qū)域110D對應的陰極170C的第二區(qū)域172C中的反射率。
[0070] 反射減少層180C的厚度可設為能夠使從陰極170A提供的電子遷移到有機發(fā)光層 的厚度。當在陰極170C的下表面上形成反射減少層180CW減小陰極170C中的反射率時， 由于反射減少層180C，來自陰極170C的電子可能不會平穩(wěn)地遷移到有機發(fā)光層。因而，可 通過將反射減少層180C形成為具有小于等于大約400A的厚度，使電子從陰極170C遷移 到有機發(fā)光層。
[0071] 隨后，參照圖Id,反射減少層180D包括形成在陰極170D的至少一部分下表面上 的下部反射減少層181D、W及形成在陰極170D的至少一部分上表面上的上部反射減少層 182D。上述陰極170D的部分對應于除第一區(qū)域171D之外的第二區(qū)域172D。
[0072] 使用能夠減少陰極170D對來自有機發(fā)光層的光的反射的材料形成下部反射減少 層181D和上部反射減少層182D。例如，諸如有機物質和氧化物之類的材料可用作下部反 射減少層181D和上部反射減少層182D。特別是，正型氧化物可用作所述氧化物。具體地 說，Mo〇3、Si化、Si〇2、IZ0等可用作下部反射減少層181D和上部反射減少層182D。下部反 射減少層181D和上部反射減少層182D具有相同的厚度。下部反射減少層181D和上部反 射減少層182D可被形成為具有大約300A到400A的相同厚度。下部反射減少層181D和 上部反射減少層182D可形成在陰極170D的上表面和下表面上，W減小陰極170D的第二區(qū) 域172D的反射率。
[0073] 隨后，參照圖le，下部反射減少層181E和上部反射減少層182E的厚度彼此不同， 且下部反射減少層181E的厚度大于上部反射減少層182E的厚度。下部反射減少層181E 和上部反射減少層182E可被形成為具有大約300A到400A的厚度。圖1E圖解了下部反 射減少層181E的厚度大于上部反射減少層182E的厚度。然而，下部反射減少層181E的厚 度可小于上部反射減少層182E的厚度。
[0074]隨后，參照圖If，下部反射減少層181F形成在包括至少一部分陰極170F的整個下 表面上，且上部反射減少層182F形成在至少一部分陰極170F的上表面上。例如，下部反射 減少層181F可形成在陰極的第一區(qū)域171F和第二區(qū)域172F的下表面上，上部反射減少層 182F可形成在陰極的第二區(qū)域172F，即與白色子像素區(qū)域對應的第四子像素區(qū)域110D的 上表面上。
[0075] 圖2a和化是圖解根據(jù)本發(fā)明各實施方式的有機發(fā)光顯示器的光透射率的曲線 圖。
[0076] 在圖2a所示的曲線圖中，X軸對應于波長，y軸對應于透射率，波長的單位為nm， 透射率為百分比值。圖2a所示的曲線圖中的實線曲線描繪了當使用具有150A厚度的Ag 形成陰極時與波長相對應的光透射率，圖2a所示的曲線圖中的虛線曲線描繪了當使用具 有150A厚度的Ag形成陰極且在陰極的表面上形成具有300A厚度的對應于正型氧化物 的IZ0時與波長相對應的光透射率。
[0077] 在圖化所示的曲線圖中，X軸對應于波長，y軸對應于透射率，波長的單位為nm， 透射率為百分比值。圖化所示的曲線圖中的細實線曲線描繪了當使用具有150A厚度的 Ag形成陰極時與波長相對應的光透射率，圖2b所示的曲線圖中的虛線曲線描繪了當使用 具有1 50A厚度的Ag形成陰極且在陰極的上表面和下表面上形成具有400A厚度的Mo〇3 時與波長相對應的光透射率，圖化所示的曲線圖中的雙點線曲線描繪了當使用具有150A厚度的Ag形成陰極且在陰極的下表面上形成具有400A厚度的Mo〇3并在陰極的上表面上 形成具有400A厚度的IZ0時與波長相對應的光透射率，圖化所示的曲線圖中的短劃線曲 線描繪了當使用具有150A厚度的Ag形成陰極且在陰極的下表面上形成具有400A厚度 的鐵青銅（化Pc)并在陰極的上表面上形成具有400A厚度的IZO時與波長相對應的光透 射率，圖化所示的曲線圖中的粗實線曲線描繪了當使用具有150A厚度的Ag形成陰極且 在陰極的下表面上形成具有400A厚度的化化并在陰極的上表面上形成具有300A.厚度 的IZO時與波長相對應的光透射率。
[007引首先，參照圖2a，當測量不具有單獨的反射減少層的陰極的光透射率時（圖2a的 曲線圖中的實線），測量到平均大約30%到50%的光透射率。然而，當在陰極的表面上由 IZ0形成反射減少層，并測量光透射率時（圖2a的曲線圖中的虛線），測量到平均大約60 % 到80 %的光透射率。
[0079] 隨后，參照圖化，當測量不具有單獨的反射減少層的陰極的光透射率時（圖化的 曲線圖中的細實線），測量到平均大約30%到50%的光透射率。然而，在陰極的兩個表面上 形成反射減少層并測量光透射率的各情形中（圖2b的曲線圖中的虛線、雙點線、短劃線和 粗實線），測量到平均大約60%到80%的光透射率。
[0080] 圖3a是根據(jù)本發(fā)明實施方式的包括陰極的頂有機發(fā)光顯示器的剖面圖，其中陰 極包括多個電極。除陰極370包括第二電極373和第=電極374之外，圖3a具有與圖la 的構造大致相同的構造。因而，省略重復的描述。
[0081] 有機發(fā)光元件包括陽極351,352,353和354、有機發(fā)光層360和陰極370。在本說 明書中，陽極351，352, 353和354被定義為第一電極。
[0082] 第二電極373和第=電極374形成在有機發(fā)光層360上。第二電極373形成在與 形成有濾色器390的第一子像素區(qū)域310A、第二子像素區(qū)域310B和第S子像素區(qū)域310C 對應的位置處，第=電極374形成在與沒有形成濾色器390的第四子像素區(qū)域310D對應的 位置處，且第二電極373和第=電極374形成在有機發(fā)光層360上的同一平面上。第二電 極373和第=電極374彼此電連接，W形成陰極370。
[0083] 使用陰極370中包含的具有高導電性和低功函數(shù)的材料，即用于陰極的材料形成 第二電極373。如圖3a中所示，當有機發(fā)光顯示器300為頂部發(fā)光型有機發(fā)光顯示器時，可 使用具有低功函數(shù)的相當薄的金屬材料形成陰極。例如，當使用具有低功函數(shù)的金屬材料 形成第二電極373時，可WW幾百A或更小，例如1 50A或更小的厚度由諸如Ag，Ti，A1，Mo 或Ag和Mg的合金之類的金屬材料形成第二電極373。因而，第二電極373充當半透明層。
[0084] 使用陰極370中包含的具有高導電性和低功函數(shù)的材料，即用于陰極的材料形成 第=電極374?？墒褂镁哂械凸瘮?shù)且與第二電極373相比具有高光透射率的導電材料形 成第=電極374。因而，第=電極374可充當透明層，或充當與第二電極373相比具有更高 光透射率的半透明層。
[0085] 第二電極373的光透射率與第S電極374的光透射率不同。第S電極374可包括 透明導電材料，或充當具有比第二電極373的光透射率高的光透射率的半透明層，因而第 =電極374的光透射率可大于第二電極373的光透射率。因此，在紅色子像素區(qū)域、綠色子 像素區(qū)域和藍色子像素區(qū)域中形成微腔的同時可提高白色子像素區(qū)域的光透射率。
[0086] 在一些實施方式中，可在一部分第四子像素區(qū)域310D中形成第=電極374,并可 在第一子像素區(qū)域310A、第二子像素區(qū)域310B、第S子像素區(qū)域310C和第四子像素區(qū)域 310D之中的沒有形成第S電極374的區(qū)域中形成第二電極373。因而，第四子像素區(qū)域310D 的光透射率可大于第一子像素區(qū)域310A、第二子像素區(qū)域310B和第S子像素區(qū)域310C的 光透射率。
[0087] 圖3b是描述圖3a中所示的有機發(fā)光顯示器的概念圖。
[0088] 參照圖3b，在下基板310上形成有焊盤部381，焊盤部381與上面安裝有用于將來 自外部的各種信號傳輸?shù)斤@示器的巧片和電路的柔性電路板380電連接，且在下基板310 上形成有用于傳輸來自柔性電路板380的各種信號的配線382。因為第二電極373和第= 電極374是陰極370中包含的電極，所W第二電極373和第=電極374可與焊盤部381連 接，并可從焊盤部381向第二電極373和第=電極374施加同一電壓。
[0089] 圖4是圖解根據(jù)本發(fā)明實施方式的制造有機發(fā)光顯示器的方法的流程圖。
[0090] 首先，在S40中，在下基板上形成陽極，并在S41中，在陽極上形成有機發(fā)光層。陽 極的形成和有機發(fā)光層的形成與圖1到3的陽極和有機發(fā)光層的形成基本相同。因而，省 略重復的描述。