接觸焊盤109W形成一層材料（未示出），并 且然后可W通過合適的工藝（諸如光刻掩模和蝕刻）去除部分該層材料W形成第一接觸焊 盤109。然而，可W利用任何其他合適的工藝W形成第一接觸焊盤109。可W形成厚度在約 0. 5ym和約4ym之間的第一接觸焊盤109,諸如約1.45ym。
[0040] 第一密封劑111可W用于密封并保護(hù)第一半導(dǎo)體器件101和第一襯底103。在實 施例中，第一密封劑111可W是模塑料并且可W使用模塑器件（未在圖1中示出）設(shè)置。例 女口，第一襯底103和第一半導(dǎo)體器件101可W設(shè)置在模塑器件的腔室內(nèi)，并且腔室可W是密 封的。在密封腔室之前，可W將第一密封劑111設(shè)置在腔室內(nèi)，或可W通過注射口將第一密 封劑111注射到腔室內(nèi)。在實施例中，第一密封劑111可W是模塑料樹脂，注入聚醜亞胺、 PPS、P邸K、陽S、耐熱晶體樹脂、它們的組合等。
[0041] 在第一密封劑111被設(shè)置到腔室內(nèi)之后，使得第一密封劑111密封圍繞第一襯底 103和第一半導(dǎo)體器件101的區(qū)域，則可W固化第一密封劑111，從而硬化第一密封劑111 w進(jìn)行適宜的保護(hù)。精確的固化工藝至少部分取決于對于第一密封劑111的特定材料的選 擇，在將模塑料選擇為第一密封劑111的實施例中，可W通過諸如將第一密封劑111加熱至 約100°C和約130°C之間的溫度的工藝來實施固化，諸如在約125°C的溫度下加熱60sec至 約3000sec(諸如約600sec)。此外，第一密封劑111內(nèi)可W包括引發(fā)劑和/或催化劑W更 好的控制固化工藝。
[0042] 然而，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，上文描述的固化工藝僅僅是示例性工藝且并 不表示僅限于本實施例。也可W可選的使用其他固化工藝，諸如福射或甚至允許在環(huán)境溫 度條件下硬化第一密封劑111?？蒞使用任何合適的固化工藝，并且全部該些工藝均完全包 括在本文描述的實施例的范圍內(nèi)。
[0043] 在實施例中，可W形成第一外部連接件113 W在第一襯底103和例如第二接觸焊 盤217(未在圖1中示出，但在下文中結(jié)合圖2A和圖2B進(jìn)行了示出和描述）之間提供外部 連接。第一外部連接件113可W是接觸凸塊，諸如微凸塊或控制烙融芯片連接（C4)凸塊， 并且可W包括諸如錫的材料或其他合適的材料，諸如銀或銅。在第一外部連接件113是錫 焊料凸塊的實施例中，可W通過任何合適的方法W初始形成錫層形成第一外部連接件113， 合適的方法諸如蒸發(fā)、電鍛、印刷、焊料轉(zhuǎn)移、植球等，且第一外部連接件的厚度例如為約 100ym。在將錫層形成于結(jié)構(gòu)上之后，實施回流W將材料塑形為期望的凸塊形狀。
[0044] 圖2A示出了形成例如第二封裝件200的工藝中的中間產(chǎn)物，諸如集成的扇出 (InFO)封裝件。如圖2A所示，中間結(jié)構(gòu)包括載體襯底201、粘合層202、聚合物層205、晶種 層207、通孔209、第二半導(dǎo)體器件211、第二密封劑213、第一重分布層215、第二接觸焊盤 217和第一純化層219。載體襯底201包括例如諸如玻璃或氧化娃的娃基材料，或諸如氧化 鉛的其他材料，該些材料的組合等。載體襯底201是平面的，從而適應(yīng)諸如第二半導(dǎo)體器件 211的半導(dǎo)體器件的附接。
[0045] 粘合層202設(shè)置在載體襯底201上W幫助粘合覆蓋的結(jié)構(gòu)（例如，聚合物層205)。 在實施例中，粘合層202可W包括紫外線膠，當(dāng)其暴露于紫外線光時其失去粘附能力。然 而，也可W使用其他類型的粘合劑，諸如壓敏粘合劑、可福射固化的粘合劑、環(huán)氧化物、它們 的組合等。粘合劑層202可容易在壓力下成型的半液態(tài)或膠的形式設(shè)置在在載體襯底 201 上。
[0046] 聚合物層205設(shè)置在粘合層202上方，并且在附接第二半導(dǎo)體器件211之后，利用 聚合物層205對諸如第二半導(dǎo)體器件211提供保護(hù)。在實施例中，聚合物層205可W是聚苯 并惡哇（PB0)，然而也可W可選地利用任何合適的材料，諸如聚醜亞胺或聚醜亞胺衍生物。 可W使用例如旋涂工藝設(shè)置聚合物層，使其厚度在約2ym至約15ym之間，諸如約5ym，然 而也可W可選地使用任何合適的方法和厚度。
[0047]晶種層207是導(dǎo)電材料的薄層，其在隨后的工藝步驟形成較厚的層中提供幫助。 晶種層207可W包括厚度約1000A的鐵層和隨后的厚度為5000A的銅層?？蒞根據(jù)期 望的材料使用諸如姍射、蒸發(fā)或PECVD工藝的工藝產(chǎn)生晶種層207。晶種層207可W形成為 具有介于約0. 3ym和約1ym之間的厚度，諸如約0. 5ym。
[0048] 在形成了晶種層207之后，可W將光刻膠（未在圖2A中示出）設(shè)置在晶種層207 上方，并圖案化光刻膠。在實施例中，可W使用例如旋涂技術(shù)將光刻膠設(shè)置在晶種層207上 使其高度介于約50ym和約250ym之間，諸如約120ym。在設(shè)置了光刻膠之后，可W通過 將光刻膠暴露于圖案化的能源（例如，圖案化的光源）下來圖案化光刻膠w引起化學(xué)反應(yīng)， 從而在暴露于圖案化光源的光刻膠的該些部分中引起物理變化。然后對曝光的光刻膠實施 顯影W利用該些物理變化，并且根據(jù)期望的圖案選擇性去除光刻膠的曝光部分或光刻膠的 未曝光部分。
[0049] 在實施例中，光刻膠內(nèi)形成的圖案是用于通孔209的圖案。通孔209形成在隨后 附接的諸如第二半導(dǎo)體器件211的器件的不同側(cè)上。然而，可W可選的利用用于通孔209 的圖案的任何合適的布置。
[0050] 在圖案化了光刻膠之后，通孔209形成在光刻膠內(nèi)。在實施例中，通孔209包括一 種或多種導(dǎo)電材料，諸如銅、鶴、其他導(dǎo)電金屬等，并且可W通過例如電鍛、化學(xué)鍛等形成。 在實施例中，使用電鍛工藝，其中晶種層和光刻膠浸沒或浸入電鍛液中。晶種層207的表面 電連接至外部DC電源的負(fù)極側(cè)，使得晶種層207作為電鍛工藝的陰極。諸如銅陽極的固體 導(dǎo)電性陽極也浸入溶液中，并且附接至電源的正極側(cè)。陽極的原子溶解到溶液內(nèi)，例如晶種 層207的陰極從溶液中獲得溶解的原子，從而電鍛光刻膠開口內(nèi)的晶種層207的暴露的導(dǎo) 電區(qū)域。
[0051] 當(dāng)使用光刻膠和晶種層207形成通孔209之后，可W使用合適的去除工藝去除光 亥IJ膠。在實施例中，可W使用等離子體灰化工藝W去除光刻膠，從而可W增大光刻膠的溫度 直到光刻膠經(jīng)歷熱降解并且可W被去除。然而，可W可選地利用任何其他合適的工藝，諸如 濕剝離。光刻膠的去除可W暴露出下面的部分晶種層207。
[0052] 在去除光刻膠暴露了下面的晶種層207之后，去除該些部分。在實施例中，可W通 過例如濕蝕刻工藝或干蝕刻工藝去除晶種層207的暴露部分（例如，未由通孔209覆蓋的 該部分）。例如，在干蝕刻工藝中，將通孔209作為掩模，反應(yīng)物可W直接朝向晶種層207。 可選地，可W噴射或設(shè)置蝕刻劑使其與晶種層207接觸W去除晶種層207的暴露部分。在 蝕刻掉晶種層207的暴露部分之后，在通孔209之間暴露出聚合物層205的一部分。
[0053] 在形成通孔209之后，可W將第二半導(dǎo)體器件211設(shè)置在暴露的聚合物層205上。 在實施例中，第二半導(dǎo)體器件211可W類似于第一半導(dǎo)體器件101，諸如作為邏輯管芯、存 儲器管芯、CPU管芯、它們的組合等。在實施例中，第二半導(dǎo)體器件211設(shè)計并制造為與第 一半導(dǎo)體器件101 -起工作或與第一半導(dǎo)體器件101同時工作。第二半導(dǎo)體器件211可W 使用例如粘合材料附接至聚合物層205,也可W可選的利用任何合適的附接方法。
[0054] 在實施例中，第二半導(dǎo)體器件211包括第二襯底221、有源器件（未單獨(dú)示出）、第 二金屬化層223、第二純化層225和第二接觸焊盤227。第二襯底221可W包括慘雜或未慘 雜的塊狀娃，或絕緣體上娃（SOI)襯底的有源層。通常，SOI襯底包括諸如娃、錯、娃錯、SOI、 絕緣體上娃錯（SG0I)或它們的組合的一層半導(dǎo)體材料。也可W使用包括多層襯底、梯度襯 底或混合取向襯底的其他襯底。
[00巧]第二半導(dǎo)體器件211內(nèi)的器件包括可W用于產(chǎn)生期望的結(jié)構(gòu)和用于第二半導(dǎo)體 器件211的設(shè)計的功能期望的諸如電容器、電阻器、電感器等的各種有源器件和無源器件。 可W使用任何合適的方法在第二襯底221內(nèi)或上形成第二半導(dǎo)體器件211內(nèi)的有源器件。
[0056]第二金屬化層223形成于第二襯底221和第二半導(dǎo)體器件211內(nèi)的有源器件上 方，并且第二金屬化層223設(shè)計為連接第二半導(dǎo)體器件211內(nèi)的各個有源器件W形成功能 電路。在實施例中，第二金屬