提供的制備方法工藝簡單，自動(dòng)化程度高，易大面積制備和量產(chǎn)化。
【附圖說明】
[0034] 圖1是實(shí)施例1中有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035] 圖2是圖1中封裝層的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036] 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對 本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并 不用于限定本發(fā)明。
[0037] 實(shí)施例1
[0038] 圖1是本實(shí)施例提供的一種有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該有 機(jī)電致發(fā)光器件，包括由下往上依次層疊設(shè)置的導(dǎo)電玻璃基板10、有機(jī)發(fā)光功能層20、陰 極層30以及封裝層40。其中，所述有機(jī)發(fā)光功能層20包括自下而上依次層疊設(shè)置的空穴 注入層21、空穴傳輸層22、發(fā)光層23、電子傳輸層24以及電子注入層25。圖2是圖1中封 裝層的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，所述封裝層40包括依次層疊設(shè)置的有機(jī)阻擋層41和無機(jī) 阻擋層42,所述有機(jī)阻擋層41和無機(jī)阻擋層42形成一個(gè)結(jié)構(gòu)單元，所述封裝層40為由5 個(gè)結(jié)構(gòu)單元層疊而成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0039] (1)IT0玻璃基板10前處理：IT0玻璃基板依次經(jīng)過丙酮、乙醇、去離子水、乙醇清 洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，單項(xiàng)洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，烘箱烤干待用；?洗凈后的IT0玻璃還需進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面 的功函數(shù)；IT0厚度為lOOnm;
[0040] (2)通過真空蒸鍍的方式在導(dǎo)電玻璃基板10表面依次制備有機(jī)發(fā)光功能層20和 陰極層30 :
[0041]空穴注入層21的制備：材質(zhì)為Mo(U參雜在N，N'_二苯基-N，N'_二（1-萘 基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)中形成的混合材料，M〇03在所述混合材料中所占的質(zhì)量 分?jǐn)?shù)為30%，厚度為10nm，真空度1Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度0.丨A/s;
[0042]空穴傳輸層22的制備：材質(zhì)為4, 4'，4' '-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)，蒸發(fā)厚 度30nm，真空度1X10_5Pa，蒸發(fā)速度〇. 1A/S;
[0043] 發(fā)光層23的制備：主體材料采用1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯 (TPBI)，客體材料采用三（2-苯基吡啶）合銥（Ir(ppy) 3)，客體材料占發(fā)光層材料總質(zhì)量的 5%，蒸發(fā)厚度20nm，真空度1X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S;
[0044] 電子傳輸層24的制備：材質(zhì)為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)，厚度為10nm， 真空度1Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度0.1A/S;
[0045]電子注入層25的制備：材質(zhì)為CsN3摻雜在Bphen中形成的混合材料，CsN3在所述 混合材料中所占的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，厚度為20nm，真空度1Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度0. 2A/S;
[0046] 陰極層30的制備：陰極層采用鋁（A1)，A1層厚度為100nm，真空度為lXl(T5Pa，蒸 發(fā)速度5A/S。
[0047] (3)封裝層40的制備：
[0048] (a)有機(jī)阻擋層41的制備：采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的方法在陰極層30表面 制備有機(jī)阻擋層41;采用CH4和N2作為反應(yīng)氣體，控制CH4流量為lOsccm，N2流量為8SCCm， 工作壓強(qiáng)為50Pa，射頻功率為0. 2W/cm2,沉積厚度為600nm;
[0049] (b)無機(jī)阻擋層42的制備：通過原子層沉積的方式在有機(jī)阻擋層41表面制備無 機(jī)阻擋層42,控制工作壓強(qiáng)為40Pa，沉積溫度為50°C;所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為Be3N2 ;采 用雙（乙基環(huán)戊二烯）鈹（Be(CpEt)2)和NH3作為前驅(qū)物，N2作為載送氣體；控制Be(CpEt)2 和NH3的注入時(shí)間均為15ms，兩者之間間隔7s的N2，流量均為15sccm，厚度為20nm。
[0050] (4)依次按所述（a)、（b)順序交替重復(fù)步驟（3) 5次。
[0051] 本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝層40為5個(gè)結(jié)構(gòu)單元層疊而成，所述結(jié) 構(gòu)單元包括依次層疊設(shè)置的厚度為600nm的氫化碳氮化合物層41和厚度為20nm的Be3N2層 42,所述封裝層40為氫化碳氮化合物層/Be3N2層交替重復(fù)的復(fù)合結(jié)構(gòu)，總體厚度為3. 1iim。
[0052] 在充滿N2手套箱內(nèi)，20~25°C溫度，水含量和氧含量小于lppm的條件下測試本 實(shí)施例封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率(WVTR)，結(jié)果顯示本實(shí)施例封裝后的有 機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率為4. 50Xl(T6g/m2 ?day，壽命為14, 890小時(shí)。
[0053] 實(shí)施例2
[0054] -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0055](1)、（2)同實(shí)施例1 ;
[0056] (3)封裝層的制備：
[0057] (a)有機(jī)阻擋層的制備：采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的方法在陰極層表面制備 有機(jī)阻擋層；采用CH4和N2作為反應(yīng)氣體，控制CH4流量為12SCCm，N2流量為lOsccm，工作 壓強(qiáng)為20Pa，射頻功率為0. 3W/cm2,沉積厚度為550nm;
[0058] (b)無機(jī)阻擋層的制備：通過原子層沉積的方式在有機(jī)阻擋層表面制備無機(jī)阻擋 層，控制工作壓強(qiáng)為l〇Pa，沉積溫度為40°C;所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為Mg3N2 ;采用雙（乙基 環(huán)戊二烯）鈹（Mg(CpEt)2)和NH3作為前驅(qū)物，N2作為載送氣體；控制Be(CpEt)2和NH3的注 入時(shí)間均為20ms，兩者之間間隔10s的N2,流量均為20sccm，厚度為19nm。
[0059] (4)依次按所述（a)、（b)順序交替重復(fù)步驟（3) 4次。
[0060] 本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝層為4個(gè)結(jié)構(gòu)單元層疊而成，所述結(jié)構(gòu) 單元包括依次層疊設(shè)置的厚度為550nm的氫化碳氮化合物層和厚度為19nm的Mg3N2層，所 述封裝層為氫化碳氮化合物層/Mg3N2層交替重復(fù)的復(fù)合結(jié)構(gòu)，總體厚度為2. 276iim。
[0061] 在充滿N2手套箱內(nèi)，20~25°C溫度，水含量和氧含量小于lppm的條件下測試本 實(shí)施例封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率(WVTR)，結(jié)果顯示本實(shí)施例封裝后的有 機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率為4. 53Xl(T6g/m2 ?day，壽命為14, 860小時(shí)。
[0062] 實(shí)施例3
[0063] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0064] (1)、（2)同實(shí)施例1 ;
[0065] (3)封裝層的制備：
[0066] (a)有機(jī)阻擋層的制備：采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的方法在陰極層表面制備 有機(jī)阻擋層；采用〇14和隊(duì)作為反應(yīng)氣體，控制CIV流量為8sCCm，N2流量為lOsccm，工作壓 強(qiáng)為60Pa，射頻功率為0. 4W/cm2,沉積厚度為450nm;
[0067] (b)無機(jī)阻擋層的制備：通過原子層沉積的方式在有機(jī)阻擋層表面制備無機(jī)阻擋 層，控制工作壓強(qiáng)為50Pa，沉積溫度為60°C;所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為Ca3N2;采用雙（乙基 環(huán)戊二烯）鈣（Ca(CpEt)2)和NH3作為前驅(qū)物，N2作為載送氣體；控制Ca(CpEt)2和NH3的注 入時(shí)間均為l〇ms，兩者之間間隔5s的N2，流量均為lOsccm，厚度為18nm。
[0068] (4)依次按所述（a)、（b)順序交替重復(fù)步驟（3) 3次。
[0069] 本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝層為3個(gè)結(jié)構(gòu)單元層疊而成，所述結(jié)構(gòu) 單元包括依次層疊設(shè)置的厚度為450nm的氫化碳氮化合物層和厚度為18nm的Ca3N2層，所 述封裝層為氫化碳氮化合物層/Ca3N2層交替重復(fù)的復(fù)合結(jié)構(gòu)，總體厚度為1. 4iim。
[0070] 在充滿N2手套箱內(nèi)，20~25°C溫度，水含量和氧含量小于lppm的條件下測試本 實(shí)施例封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率(WVTR)，結(jié)果顯示本實(shí)施例封裝后的有 機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率為4. 54Xl(T6g/m2 ?day，壽命為14, 847小時(shí)。
[0071] 實(shí)施例4
[0072] -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0073] (1)、（2)同實(shí)施例1 ;
[0074] (3)封裝層的制備：
[0075] (a)有機(jī)阻擋層的制備：采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的方法在陰極層表面制備 有機(jī)阻擋層；采用CH4和N2作為反應(yīng)氣體，控制CH4流量為15SCCm，N2流量為15SCCm，工作 壓強(qiáng)為80Pa，射頻功率為0. 5W/cm2,沉積厚度為500nm;
[0076] (b)無機(jī)阻擋層的制備：通過原子層沉積的方式在有機(jī)阻擋層表面制備無機(jī)阻擋 層，控制工作壓強(qiáng)為20Pa，沉積溫度為50°C;所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為Sr3N2;采用雙（乙基 環(huán)戊二烯）鍶（Sr(CpEt)2)和NH3作為前驅(qū)物，N2作為載送氣體；控制Sr(CpEt) 2和NH3的注 入時(shí)間均為15ms，兩者之間間隔7s的N2，流量均為17sccm，厚度為16nm。
[0077] (4)依次按所述（a)、（b)順序交替重復(fù)步驟（3) 3次。
[0078] 本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝層為3個(gè)結(jié)構(gòu)單元層疊而成，所述結(jié)構(gòu) 單元包括依次層疊設(shè)置的厚度為500nm的氫化碳氮化合物層和厚度為16nm的Sr3N2層，所 述封裝層為氫化碳氮化合物層/Sr3N2層交替重復(fù)的復(fù)合