的過程中采用的前驅(qū)體為三溴甲基鉈[Tl(CH2Br)3]和水蒸氣，三溴甲 基物和水蒸氣的注入時間為15ms，兩者之間間隔7s注入氮?dú)?；三溴甲基物、水蒸氣和氮?dú)?的流量均為llsccm，無機(jī)阻擋層的厚度為15nm;
[0107] b)有機(jī)阻擋層的制備：采用磁控濺射的方法在無機(jī)阻擋層的表面制備有機(jī)阻擋 層，材質(zhì)為二（3-甲基丁基）鈹，結(jié)構(gòu)式如P5所示：
[0108]
;有機(jī)阻擋層的厚度為220nm;采用的磁 控濺射的真空度為lXlO^Pa，加速電壓為600V，磁場為200G，功率密度為20W/cm2 ;
[0109] 交替重復(fù)步驟（4)中的步驟a)和步驟b) 5次，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0110] 本實(shí)施例制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率（WVTR，g/m2 ?day)為 8. 26Xl(T6g/m2 ?day，壽命為 9920 小時。
[0111] 實(shí)施例6:
[0112] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：
[0113] (1)、（2)、（3)同實(shí)施例 1 ;
[0114](4)封裝層的制備：
[0115]a)無機(jī)阻擋層的制備：采用原子層沉積法（ALD)在陰極表面制備無機(jī)阻擋層，工 作壓強(qiáng)為50Pa，沉積溫度為45°C;材質(zhì)為溴摻雜的氧化鉈（Tl203:Br)，溴摻雜的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 19%，沉積無機(jī)阻擋層的過程中采用的前驅(qū)體為三溴甲基鉈[Tl(CH2Br)3]和水蒸氣，三溴甲 基物和水蒸氣的注入時間為l〇ms，兩者之間間隔10s注入氮?dú)?；三溴甲基物、水蒸氣和氮?dú)?的流量均為15sccm，無機(jī)阻擋層的厚度為15nm;
[0116]b)有機(jī)阻擋層的制備：采用磁控濺射的方法在無機(jī)阻擋層的表面制備有機(jī)阻擋 層，材質(zhì)為二（3, 7-二甲基辛基）鈹，結(jié)構(gòu)式如Pfi所示：
[0117] ;有機(jī)阻擋層的厚度為210nm;采 2 ? 用的磁控濺射的真空度為IX1(T3Pa，加速電壓為500V，磁場為150G，功率密度為30W/cm2 ;
[0118] 交替重復(fù)步驟（4)中的步驟a)和步驟b) 4次，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0119] 本實(shí)施例制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率（WVTR，g/m2 ?day)為 8. 29Xl(T6g/m2 ?day，壽命為 9900 小時。
[0120] 效果實(shí)施例
[0121] 為有效證明本發(fā)明有機(jī)電致器件及其制備方法的有益效果，測量實(shí)施例1~6制 備的有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率和在起始亮度同為l〇〇〇cd/m2下的使用壽命。
[0122] 表1.實(shí)施例1~6中的有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率和使用壽命情況表
[0123]
[0124] 表1是實(shí)施例1~6中的有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率和使用壽命情況 表。從表1可以看出，本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率(WVTR)最高值為 8. 29Xl(T6g/m2 .day，壽命均達(dá)到了 9900小時以上（T70@1000cd/m2 :即起始亮度為lOOOcd/ m2,亮度衰減到70%所用的時間)，說明本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件通過設(shè)置封裝層，有 效地減少了外部的氧氣、水汽等活性物質(zhì)對有機(jī)電致發(fā)光器件內(nèi)的有機(jī)化合物及電極的侵 蝕，從而對有機(jī)電致發(fā)光器件形成了有效的保護(hù)，提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。
[0125] 封裝膜層致密性至關(guān)重要，根據(jù)器件測試結(jié)果可選擇合適的工藝條件。當(dāng)然，以上 所述僅僅為本發(fā)明的個別實(shí)例而已，凡依本發(fā)明申請專利范圍所述的構(gòu)造、原理及相似的 變化，均應(yīng)包含于本發(fā)明申請專利的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括陽極導(dǎo)電基底以及在所述陽極導(dǎo)電基底的表面依次層 疊設(shè)置的有機(jī)發(fā)光功能層、陰極和封裝層，其特征在于，所述封裝層包括在所述陰極的表面 依次層疊設(shè)置的無機(jī)阻擋層和有機(jī)阻擋層；所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為溴摻雜的氧化硼、溴 摻雜的氧化鋁、溴摻雜的氧化鎵、溴摻雜的氧化銦或溴摻雜的氧化鉈，所述溴摻雜的質(zhì)量分 數(shù)為9%~20% ;所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為直鏈烷基鈹，所述直鏈烷基鈹?shù)慕Y(jié)構(gòu)式如P所示：，其中K是1~4的整數(shù)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述無機(jī)阻擋層的厚度為 15nm ~20nm〇3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)阻擋層的厚度為 200nm ~；BOOnm。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述無機(jī)阻擋層和所述有 機(jī)阻擋層形成一個封裝單元，所述封裝層由4~6個所述封裝單元層疊而成。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極導(dǎo)電基底為導(dǎo)電 玻璃基底、導(dǎo)電金屬基底或?qū)щ娝芰匣住?. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光功能層包括 發(fā)光層，以及包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一種。7. -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： (1) 首先在潔凈的導(dǎo)電基底的表面制備有機(jī)電致發(fā)光器件的陽極圖形形成陽極導(dǎo)電基 底，然后采用真空蒸鍍的方法在所述陽極導(dǎo)電基底的表面依次層疊制備有機(jī)發(fā)光功能層和 陰極； (2) 在所述陰極的表面制備封裝層，所述封裝層包括在所述陰極的表面依次層疊設(shè)置 的無機(jī)阻擋層和有機(jī)阻擋層，制備方法如下： a) 無機(jī)阻擋層的制備：采用原子層沉積法在所述陰極的表面制備無機(jī)阻擋層，所述原 子層沉積的工作壓強(qiáng)為IOPa~50Pa，溫度為40°C~60°C;所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為溴摻雜 的氧化硼、溴摻雜的氧化鋁、溴摻雜的氧化鎵、溴摻雜的氧化銦或溴摻雜的氧化鉈，所述溴 摻雜的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為9%~20%，所述沉積無機(jī)阻擋層的過程中采用的前驅(qū)體相應(yīng)地為三溴甲 基硼、三溴甲基鋁、三溴甲基鎵、三溴甲基銦和三溴甲基鉈中的一種三溴甲基物和水蒸氣； 所述三溴甲基物和所述水蒸氣的注入時間均為IOms~20ms，注入所述三溴甲基物與注入 所述水蒸氣之間間隔5s~IOs注入氮?dú)庾鳛閮艋瘹怏w；所述三溴甲基物、所述水蒸氣和所 述氮?dú)獾牧髁烤鶠镮Osccm~20sccm ; b) 有機(jī)阻擋層的制備：采用磁控濺射的方法在所述無機(jī)阻擋層的表面制備有機(jī)阻擋 層，所述磁控濺射的真空度為1X10 ^5Pa~1X10 -3Pa,加速電壓為300V~800V，磁場為 50G~200G，功率密度為lOW/cm2~40W/cm 2 ;所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為直鏈烷基鈹，所述直 鏈烷基鈹?shù)慕Y(jié)構(gòu)式如P所示，其中K是1~4的整 數(shù)。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述無機(jī)阻擋 層的厚度為15nm~20nm。9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述有機(jī)阻擋 層的厚度為200nm~300nm。10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述無機(jī)阻擋 層和所述有機(jī)阻擋層形成一個封裝單元，依次按步驟（a)、（b)順序交替重復(fù)步驟（2) 4~6 次，制備得到由4~6個所述封裝單元重復(fù)形成的封裝層。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊設(shè)置的陽極導(dǎo)電基底、有機(jī)發(fā)光功能層、陰極和封裝層；封裝層包括在陰極表面依次層疊設(shè)置的無機(jī)阻擋層和有機(jī)阻擋層；無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為B2O3:Br，Al2O3:Br，Ga2O3:Br，In2O3:Br或Tl2O3:Br；有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為直鏈烷基鈹，結(jié)構(gòu)式為P：K是1～4的整數(shù)。本發(fā)明公開的封裝層具有很高的致密性，有效地減少了氧氣、水汽等物質(zhì)對有機(jī)電致發(fā)光器件內(nèi)的有機(jī)化合物及電極的侵蝕，從而提高了有機(jī)電致發(fā)光器件尤其是柔性有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命，使其壽命達(dá)到了9900小時以上；本發(fā)明第二方面還提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【IPC分類】H01L51/54, H01L51/56, H01L51/52
【公開號】CN104882559
【申請?zhí)枴緾N201410072248
【發(fā)明人】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 陳吉星
【申請人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公開日】2015年9月2日
【申請日】2014年2月28日