三苯胺（TCTA)，厚度為30nm， 采用的真空蒸鍍的真空度為1Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度為〇.丨A/S;
[0063] 發(fā)光層（23)，主體材料為1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)，客 體材料為三（2-苯基吡啶）合銥[Ir(ppy) 3]，客體材料的摻雜質(zhì)量分數(shù)為5%，厚度為20nm， 采用的真空蒸鍍的真空度為1Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度為0.2A/S;
[0064] 電子傳輸層（24)，材料為4,7-二苯基-1，1〇-菲羅啉（8口1^11)，厚度為1〇11111，采用 的真空蒸鍍的真空度為1Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度為〇.丨A/S;
[0065] 電子注入層（25)，材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)和摻雜在4, 7-二苯 基-1，10-菲羅啉（Bphen)中的疊氮化銫（CsN3)，疊氮化銫（CsN3)的摻雜質(zhì)量分數(shù)為30%，厚 度為20nm，采用的真空蒸鍍的真空度為lXl(T5Pa，蒸發(fā)速度為〇. 2A/S;
[0066] (3)陰極（30)的制備：采用真空蒸鍍的方法在有機發(fā)光功能層表面制備陰極，材 料為鋁（A1)，厚度為lOOnm，采用的真空蒸鍍的真空度為lXl(T5Pa，蒸發(fā)速度為5A/S;
[0067] (4)封裝層（40)的制備：
[0068] a)無機阻擋層（41)的制備：采用原子層沉積法(ALD)在陰極表面制備無機阻擋 層，工作壓強為40Pa，沉積溫度為50°C;材質(zhì)為溴摻雜的氧化硼（B203:Br)，溴摻雜的質(zhì)量分 數(shù)為9%，沉積無機阻擋層的過程中采用的前驅(qū)體為三溴甲基硼[B(CH2Br)3]和水蒸氣，三溴 甲基物和水蒸氣的注入時間均為15ms，兩者之間間隔7s注入氮氣；三溴甲基物、水蒸氣和 氮氣的流量均為15sccm，無機阻擋層的厚度為20nm;
[0069]b)有機阻擋層（42)的制備：采用磁控濺射的方法在無機阻擋層的表面制備有機 阻擋層，材質(zhì)為二（3-甲基丁基）鈹，結(jié)構(gòu)式如匕所示：
[0070]
;有機阻擋層的厚度為300nm;采用的磁 控濺射的真空度為lX10^5Pa，加速電壓為500V，磁場為100G，功率密度為20W/cm2 ;
[0071] 交替重復(fù)步驟（4)中的步驟a)和步驟b) 6次，得到有機電致發(fā)光器件。
[0072] 本實施例制得的有機電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率（WVTR，g/m2*day)為 8. 20Xl(T6g/m2 ?day，壽命為 9992 小時。
[0073] 采用Ca膜電學(xué)測試方法測試本實施例有機電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率，具 體方法為：在玻璃基板上沉積鈣膜，然后在鈣膜上制備本實施例的封裝層，通過玻璃基板 和封裝層將鈣膜密封，然后通過測試Ca膜的電學(xué)參數(shù)來計算出水蒸氣滲透率（WVTR，g/ m2 ?day),公式為：
[0074]
;其中，S為Ca的密度，M代表摩 爾質(zhì)量，Ri和hi分別為測試前Ca的電阻和厚度初始值，t為測試時間，R和h分別為測試 后Ca的電阻和厚度；R和Ri采用吉時利2400測試，h和hi采用臺階儀測試。通過數(shù)字源 表2400和亮度計CS-100A測試本發(fā)明有機電致發(fā)光器件亮度衰減到初始亮度(初始亮度為 1000cd/m2) 70%所用的時間，得到有機電致發(fā)光器件的壽命值。
[0075] 實施例2 :
[0076] -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：
[0077] (1)、（2)、（3)同實施例 1;
[0078] (4)封裝層的制備：
[0079]a)無機阻擋層的制備：采用原子層沉積法（ALD)在陰極表面制備無機阻擋層，工 作壓強為l〇Pa,沉積溫度為40°C;材質(zhì)為溴摻雜的氧化錯（Al203:Br),溴摻雜的質(zhì)量分數(shù)為 20%，沉積無機阻擋層的過程中采用的前驅(qū)體為三溴甲基鋁[Al(CH2Br)3]和水蒸氣，三溴甲 基物和水蒸氣的注入時間為20ms，兩者之間間隔10s注入氮氣；三溴甲基物、水蒸氣和氮氣 的流量均為20sccm，無機阻擋層的厚度為19nm;
[0080]b)有機阻擋層的制備：采用磁控濺射的方法在無機阻擋層的表面制備有機阻擋 層，材質(zhì)為二（3, 7-二甲基辛基）鈹，結(jié)構(gòu)式如P2所示：
[0081]
;有機阻擋層的厚度為250nm;采用的 磁控濺射的真空度為lX10^5Pa，加速電壓為300V，磁場為50G，功率密度為lOW/cm2;
[0082] 交替重復(fù)步驟（4)中的步驟a)和步驟b) 6次，得到有機電致發(fā)光器件。
[0083] 本實施例制得的有機電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率（WVTR，g/m2*day)為 8. 23Xl(T6g/m2 ?day，壽命為 9961 小時。
[0084] 實施例3:
[0085] 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：
[0086] (1)、（2)、（3)同實施例1 ;
[0087] (4)封裝層的制備：
[0088]a)無機阻擋層的制備：采用原子層沉積法（ALD)在陰極表面制備無機阻擋層，工 作壓強為50Pa，沉積溫度為60°C;材質(zhì)為溴摻雜的氧化鎵（Ga203:Br)，溴摻雜的質(zhì)量分數(shù)為 13%，沉積無機阻擋層的過程中采用的前驅(qū)體為三溴甲基鎵[Ga(CH2Br)3]和水蒸氣，三溴甲 基物和水蒸氣的注入時間為l〇ms，兩者之間間隔5s注入氮氣；三溴甲基物、水蒸氣和氮氣 的流量均為lOsccm，無機阻擋層的厚度為18nm;
[0089]b)有機阻擋層的制備：采用磁控濺射的方法在無機阻擋層的表面制備有機阻擋 層，材質(zhì)為二（3, 7, 11-三甲基十二烷基）鈹，結(jié)構(gòu)式如P3所示：
[0090]
;有機阻擋層的厚度 為200nm;采用的磁控濺射的真空度為1X10^ 4Pa，加速電壓為800V，磁場為200G，功率密 度為 40W/cm2 ;
[0091] 交替重復(fù)步驟（4)中的步驟a)和步驟b) 6次，得到有機電致發(fā)光器件。
[0092] 本實施例制得的有機電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率（WVTR，g/m2*day)為 8. 24Xl(T6g/m2 ?day，壽命為 9945 小時。
[0093] 實施例4 :
[0094] 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：
[0095] (1)、（2)、（3)同實施例1 ;
[0096](4)封裝層的制備：
[0097]a)無機阻擋層的制備：采用原子層沉積法（ALD)在陰極表面制備無機阻擋層，工 作壓強為30Pa，沉積溫度為45°C;材質(zhì)為溴摻雜的氧化銦（In203:Br)，溴摻雜的質(zhì)量分數(shù)為 15%，沉積無機阻擋層的過程中采用的前驅(qū)體為三溴甲基銦[In(CH2Br)3]和水蒸氣，三溴甲 基物和水蒸氣的注入時間為15ms，兩者之間間隔7s注入氮氣；三溴甲基物、水蒸氣和氮氣 的流量均為17sccm，無機阻擋層的厚度為16nm;
[0098] b)有機阻擋層的制備：采用磁控濺射的方法在無機阻擋層的表面制備有機阻擋 層，材質(zhì)為二（3, 7, 11，15-四甲基十六烷基）鈹，結(jié)構(gòu)式如P4所示：
[0099]
;有機阻擋層的厚度 為250nm;采用的磁控濺射的真空度為1X10 -4Pa，加速電壓為400V，磁場為150G，功率密 度為 30W/cm2;
[0100] 交替重復(fù)步驟（4)中的步驟a)和步驟b) 5次，得到有機電致發(fā)光器件。
[0101] 本實施例制得的有機電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率（WVTR，g/m2 ?day)為 8. 25Xl(T6g/m2 ?day，壽命為 9931 小時。
[0102] 實施例5 :
[0103] 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：
[0104] (1)、（2)、（3)同實施例 1 ;
[0105](4)封裝層的制備：
[0106]a)無機阻擋層的制備：采用原子層沉積法（ALD)在陰極表面制備無機阻擋層，工 作壓強為20Pa，沉積溫度為50°C;材質(zhì)為溴摻雜的氧化鉈（Tl203:Br)，溴摻雜的質(zhì)量分數(shù)為 17%，沉積無機阻擋層