池單元31可以設(shè)置在對應(yīng)于黑矩陣的區(qū)域、對應(yīng)于柵線或數(shù)據(jù)線或者對應(yīng)于柵線和數(shù)據(jù)線二者的區(qū)域。
[0028]示例性地，每個太陽能電池單元31可以包括第一摻雜半導(dǎo)體層，薄膜晶體管32可以包括第二摻雜半導(dǎo)體層，而且第一摻雜半導(dǎo)體層和所述第二摻雜半導(dǎo)體層位于同一層中。
[0029]可選地，太陽能電池單元31可以為PN結(jié)構(gòu)，第一摻雜半導(dǎo)體層可以包括P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體，該P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體位于同一層中。需要說明的是，P型半導(dǎo)體即在半導(dǎo)體材料，例如，硅晶體中摻雜三價元素，例如，硼等形成的空穴濃度遠(yuǎn)大于自由電子濃度的摻雜半導(dǎo)體；N型半導(dǎo)體即在半導(dǎo)體材料，例如，硅晶體中摻雜五價元素，例如，磷、砷、銻等而形成的電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度的摻雜半導(dǎo)體。
[0030]可選地，薄膜晶體管32的第二摻雜半導(dǎo)體層可以包括形成在同一層中的中間摻雜部分和位于所述中間摻雜部分兩側(cè)的側(cè)摻雜部分，其中中間摻雜部分和所述側(cè)摻雜部分的摻雜類型相反，也就是，中間摻雜部分為P型則相應(yīng)地，側(cè)摻雜部分為N型，中間摻雜部分為N型則相應(yīng)地，側(cè)摻雜部分為P型。
[0031]圖4示例性地示出了太陽能電池單元31的第一摻雜半導(dǎo)體層和薄膜晶體管32的第二摻雜半導(dǎo)體層在同一層中的陣列基板的截面結(jié)構(gòu)圖，其中(a)示出了太陽能電池單元31所在區(qū)域，(b)示出了薄膜晶體管32所在區(qū)域，這里以頂柵型薄膜晶體管為例。如圖4所示，第一摻雜半導(dǎo)體層12和第二摻雜半導(dǎo)體層13在襯底基板100上設(shè)置在同一層中，第一摻雜半導(dǎo)體層12包括P型半導(dǎo)體121和N型半導(dǎo)體122，第二摻雜半導(dǎo)體層13包括中間摻雜部分132和位于中間摻雜部分132兩側(cè)的側(cè)摻雜部分131，其中側(cè)摻雜部分131示出為P型半導(dǎo)體，中間摻雜部分132為N型半導(dǎo)體，這里僅是示例，當(dāng)然側(cè)摻雜部分131也可以為N型半導(dǎo)體，對應(yīng)地，中間摻雜部分132為P型半導(dǎo)體。
[0032]進(jìn)一步地，在圖4給出的頂柵型薄膜晶體管中，柵極絕緣層14覆蓋形成有第一摻雜半導(dǎo)體層12和第二摻雜半導(dǎo)體層13的襯底基板100，柵極15設(shè)置在柵極絕緣層14上且對應(yīng)于中間摻雜部分132，層間絕緣層16覆蓋柵極15 ;進(jìn)一步地，源電極和漏電極17設(shè)置在層間絕緣層16上，且源電極和漏電極17分別通過柵極絕緣層14和層間絕緣層16中形成的通孔171電連接到側(cè)摻雜部分131。
[0033]進(jìn)一步地，在薄膜晶體管32所在區(qū)域，平坦化層18覆蓋源電極和漏電極17，然后，像素電極19設(shè)置在平坦化層18上且通過平坦化層18中的通孔191電連接到源電極或漏電極17。相對應(yīng)地，在太陽能電池單元31所在區(qū)域，分別通過柵極絕緣層14、層間絕緣層16和平坦化層18中形成的通孔201和202連接到P型半導(dǎo)體121和N型半導(dǎo)體122的兩個電極20設(shè)置在平坦化層18之上。
[0034]為了圖示方便，圖4中將太陽能電池單元所在區(qū)域和薄膜晶體管所在區(qū)域分離地示出，然而在實際中，太陽能電池單元所在區(qū)域和薄膜晶體管所在區(qū)域之間可以設(shè)有其他組件或者沒有其他組件，例如，在太陽能電池單元設(shè)置在周邊區(qū)域時，二者之間會設(shè)置其他部件，這里為了圖示簡潔而沒有示出，但如果二者之間沒有其他組件，則圖4(a)和圖4(b)直接連接起來合成為一個圖，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)實際需要而設(shè)置，本發(fā)明的實施例將不會其進(jìn)行限定。
[0035]進(jìn)一步地，在圖4中，第一摻雜半導(dǎo)體層12上方被示出為設(shè)置有柵極絕緣層14、層間絕緣層16和平坦化層18，這僅是示例，在實際應(yīng)用中，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)實際需要而設(shè)置各層在第一摻雜半導(dǎo)體層12上方，例如，可以僅形成平坦化層，或者可以形成有平坦化層和層間絕緣層而沒有柵極絕緣層。
[0036]還需要注意的是，太陽能電池單元的兩個電極20可以設(shè)置在柵極絕緣層上，或者可以設(shè)置在柵極絕緣層和層間絕緣層上，相應(yīng)地可以僅在柵極絕緣層中形成通孔，或者可以在柵極絕緣層和層間絕緣層中形成通孔，本發(fā)明的實施例并不對此進(jìn)行限定，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)實際需要進(jìn)行選擇。
[0037]此外，本發(fā)明實施例中的薄膜晶體管還可以為底柵型薄膜晶體管，也就是，柵極形成在薄膜晶體管的第二摻雜半導(dǎo)體層下方。圖5示出了包括底柵型薄膜晶體管的陣列基板的示意性截面圖，其中(a)是太陽能電池單元所在區(qū)域的截面圖，(b)是薄膜晶體管所在區(qū)域的截面圖，如圖5所示，柵極15和柵極絕緣層14順次形成在襯底基板100上，第一摻雜半導(dǎo)體層12和第二摻雜半導(dǎo)體層13形成在柵極絕緣層14上，中間摻雜部分對應(yīng)于柵極15，源電極和漏電極17通過層間絕緣層16中的通孔連接到側(cè)摻雜部分131。進(jìn)一步地，薄膜晶體管所在區(qū)域還設(shè)置有像素電極19，其通過平坦化層18中的通孔191連接到源電極或漏電極17，太陽能電池單元所在區(qū)域還設(shè)置有兩個電極20，分別通過平坦化層18和層間絕緣層16中的通孔201和202連接到P型或N型半導(dǎo)體121以及N型或P型半導(dǎo)體122。為了簡潔，這里著重描述了與圖4所示出的不同之處，相同之處便不再進(jìn)行贅述。
[0038]類似地，第一摻雜半導(dǎo)體層12上方可以僅設(shè)置有平坦化層18，相應(yīng)地，電極20僅通過平坦化層中的通孔而連接到第一摻雜半導(dǎo)體層12。
[0039]這里需要注意的是，連接到第一摻雜半導(dǎo)體層12的電極20也可以設(shè)置在其他位置處，例如，設(shè)置在第一摻雜半導(dǎo)體層下方，本發(fā)明的實施例并不對此進(jìn)行限定，只要能實現(xiàn)電連接功能即可。類型地，薄膜晶體管的源電極和漏電極的位置也可以根據(jù)實際需要而進(jìn)行設(shè)置，例如，位于第二摻雜半導(dǎo)體層下方等，本發(fā)明的實施例并不對此進(jìn)行限定。
[0040]示例性地，第一摻雜半導(dǎo)體層和所述第二摻雜半導(dǎo)體層也可以不位于同一層而只是位于襯底基板100的同側(cè)，例如，太陽能電池單元設(shè)置在周邊區(qū)域時，可以與陣列基板的周邊驅(qū)動電路疊置或者與陣列基板的周邊驅(qū)動電路平行設(shè)置。
[0041]可選地，太陽能電池單元31還可以為PIN結(jié)構(gòu)，其所包括的第一摻雜半導(dǎo)體層還可以包括設(shè)置在P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體之間的本征半導(dǎo)體。例如，如圖6所示，本征半導(dǎo)體123位于P型半導(dǎo)體121與N型半導(dǎo)體122之間。
[0042]可選地，太陽能電池單元31還可以為串聯(lián)的PN或PIN結(jié)構(gòu)，第一摻雜半導(dǎo)體層可以包括交替設(shè)置的多個P型半導(dǎo)體和多個N型半導(dǎo)體，且所述多個P型半導(dǎo)體和所述多個N型半導(dǎo)體形成在同一層中；進(jìn)一步地，第一摻雜半導(dǎo)體層還可以包括多個本征半導(dǎo)體，每個本征半導(dǎo)體設(shè)置在相鄰的所述P型半導(dǎo)體與所述N型半導(dǎo)體之間。
[0043]示例性地，襯底基板100可以為可彎曲的柔性基板，例如，各種塑料膜，如聚對苯二甲酸乙二醇醋(PET)、聚釀諷(polyether sulfone，PES)、聚碳酸醋(Polycarbonate，PC)或聚酰亞胺(PI)及其衍生物等制成的基板?；蛘撸r底基板100可以剛性基板，例如，玻璃基板、不鎊鋼基板等。
[0044]示例性地，本發(fā)明實施例的第一和第二摻雜半導(dǎo)體層可以為摻雜多晶硅層、摻雜單晶娃層等。
[0045]可選地，根據(jù)本發(fā)明實施例的陣列基板還可以包括位于襯底基板與其上所形成的各功能層之間的緩沖層。
[0046]根據(jù)第一實施例的陣列基板，通過將太陽能電池單元設(shè)置其中，例如，將太陽能電池單元與薄膜晶體管形成在襯底基板的同側(cè)，這樣，其可以與薄膜晶體管采用相同的工藝形成，從而可以在不增加工藝流程和制作材料的前提下，通過利用光刻工藝精細(xì)化的特點，將太陽能電池單元制作在薄膜晶體管陣列基板中，由此能夠降低制作成本、提高良率且使得產(chǎn)品易于實現(xiàn)
[0047]第二實施例
[0048]本發(fā)明的第二實施例提供了根據(jù)第一實施例的陣列基板的制造方法，包括:步驟SI，準(zhǔn)備襯底基板，其中所述襯底基板包括:顯示區(qū)域以及圍繞所述顯示區(qū)域的周邊區(qū)域；以及步驟S2，在襯底基板的同一側(cè)形成多條柵線、多條數(shù)據(jù)線、由多條柵線和數(shù)據(jù)線限定的多個像素區(qū)域、每個像素區(qū)域中的薄膜晶體管以及位于多個像素區(qū)域和周邊區(qū)域至少之一中的至少一個太陽能電池單元。
[0049]示例性地，每個太陽能電池單元可以包括第一摻雜半導(dǎo)體層，薄膜晶體管可以包括第二摻雜半