一種可升降陶瓷擋板結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種可以通過升降改變陶瓷環(huán)在反應(yīng)腔的位置，實現(xiàn)設(shè)備在工藝時保證腔室內(nèi)完全由陶瓷材料包裹，工藝結(jié)束后還可以將陶瓷擋住的傳片口暴露出來的一種結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體薄膜沉積應(yīng)用及制備技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]在薄膜的制程中，腔體內(nèi)部的縫隙、臺階、不同材料的導(dǎo)電系數(shù)都會對射頻場和等離子體的分布產(chǎn)生很大的影響。當(dāng)分布不均的情況發(fā)生時，對薄膜制程就會產(chǎn)生重大的影響，使得均勻性指標(biāo)超出產(chǎn)品要求的范圍?，F(xiàn)有的設(shè)備普遍腔內(nèi)結(jié)構(gòu)為不規(guī)則的圓形，傳片口處會多出一塊矩形空間。正是這塊矩形空間嚴(yán)重的影響了上述兩種能量場的分布。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明以解決上述問題為目的，主要解決現(xiàn)有設(shè)備的傳片口對能量場分布有影響的問題，而提供一種能在薄膜制程中保證形成一個對稱、均勻，沒有突兀結(jié)構(gòu)的環(huán)形封閉空間，能適用提高半導(dǎo)體行業(yè)薄膜制程中產(chǎn)品質(zhì)量的新型可升降陶瓷擋板結(jié)構(gòu)。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案:一種可升降陶瓷擋板結(jié)構(gòu)，包括反應(yīng)腔⑵、陶瓷環(huán)(I)、陶瓷環(huán)A(3)、陶瓷環(huán)B(4)。上述陶瓷環(huán)A(3)安裝在反應(yīng)腔(2)內(nèi)，放置于下部，并將反應(yīng)腔(2)下部側(cè)面一半的面積遮擋；上述陶瓷環(huán)B(4)安裝在反應(yīng)腔(2)內(nèi)，放置于上部，將反應(yīng)腔(2)的上部側(cè)面全部的面積遮擋；上述陶瓷環(huán)(I)遮擋住反應(yīng)腔
(2)的其余內(nèi)側(cè)壁表面，且陶瓷環(huán)⑴與連桿(5)連接。
[0005]本發(fā)明的有益效果及特點在于:
[0006]該新型結(jié)構(gòu)為薄膜制程提供一個封閉的、規(guī)則的、材料一致的反應(yīng)環(huán)境，將反應(yīng)腔幾何結(jié)構(gòu)和材料對工藝制程的影響降到最低，保證薄膜產(chǎn)品的質(zhì)量。具有結(jié)構(gòu)簡單、合理，易于在半導(dǎo)體薄膜沉積應(yīng)用及制備技術(shù)領(lǐng)域推廣的特點。
【附圖說明】
[0007]圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0008]圖2是圖1的縱截面剖視圖，也是傳片過程的使用狀態(tài)示意圖。
【具體實施方式】
[0009]實施例
[0010]參照圖1-2，一種可升降陶瓷擋板結(jié)構(gòu)，包括反應(yīng)腔2、陶瓷環(huán)1、陶瓷環(huán)A3、陶瓷環(huán)B4o上述陶瓷環(huán)A3安裝在反應(yīng)腔2內(nèi)，放置于下部，并將反應(yīng)腔2下部側(cè)面一半的面積遮擋；上述陶瓷環(huán)B4安裝在反應(yīng)腔2內(nèi)，放置于上部，將反應(yīng)腔2的上部側(cè)面全部的面積遮擋；上述陶瓷環(huán)I遮擋住反應(yīng)腔2的其余內(nèi)側(cè)壁表面，且陶瓷環(huán)I與連桿5連接。
[0011]本發(fā)明的工作原理:陶瓷環(huán)I由連桿5帶動，可以在反應(yīng)腔2內(nèi)上下移動。當(dāng)反應(yīng)腔開始薄膜制程時，連桿5帶動陶瓷環(huán)I移動到上部位置，反應(yīng)腔2內(nèi)壁面由陶瓷環(huán)I陶瓷環(huán)A3、陶瓷環(huán)B4全部遮蓋。在制程中，設(shè)備始終處于完全由陶瓷組成的完整的封閉圓環(huán)，使能量場均勻分布。當(dāng)制程結(jié)束時，連桿5帶動陶瓷環(huán)I移動到下部位置，反應(yīng)腔2的傳片口暴露出來，晶圓由機(jī)械手將其運出并將新的晶圓運入反應(yīng)腔2內(nèi)，重復(fù)連桿5帶動陶瓷環(huán)I移動到上部位置的動作，完成一個循環(huán)。
【主權(quán)項】
1.一種可升降陶瓷擋板結(jié)構(gòu)，包括反應(yīng)腔(2)，其特征在于:它還包括陶瓷環(huán)(1)、陶瓷環(huán)A(3)及陶瓷環(huán)B(4)，上述陶瓷環(huán)A(3)安裝在反應(yīng)腔(2)內(nèi)，放置于下部，并將反應(yīng)腔(2)下部側(cè)面一半的面積遮擋；上述陶瓷環(huán)B (4)安裝在反應(yīng)腔(2)內(nèi)，放置于上部，將反應(yīng)腔(2)的上部側(cè)面全部的面積遮擋；上述陶瓷環(huán)(I)遮擋住反應(yīng)腔(2)的其余內(nèi)側(cè)壁表面，且陶瓷環(huán)⑴與連桿(5)連接。
【專利摘要】一種可升降陶瓷擋板結(jié)構(gòu)，主要解決現(xiàn)有設(shè)備的傳片口對能量場分布有影響的問題。該結(jié)構(gòu)包括反應(yīng)腔、陶瓷環(huán)、陶瓷環(huán)A及陶瓷環(huán)B。上述陶瓷環(huán)A安裝在反應(yīng)腔內(nèi)，放置于下部，并將反應(yīng)腔下部側(cè)面一半的面積遮擋；上述陶瓷環(huán)B安裝在反應(yīng)腔內(nèi)，放置于上部，將反應(yīng)腔的上部側(cè)面全部的面積遮擋；上述陶瓷環(huán)遮擋住反應(yīng)腔的其余內(nèi)側(cè)壁表面，且陶瓷環(huán)與連桿連接。該新型結(jié)構(gòu)為薄膜制程提供一個封閉的、規(guī)則的、材料一致的反應(yīng)環(huán)境，將反應(yīng)腔幾何結(jié)構(gòu)和材料對工藝制程的影響降到最低，保證薄膜產(chǎn)品的質(zhì)量。具有結(jié)構(gòu)簡單、合理，易于在半導(dǎo)體薄膜沉積應(yīng)用及制備技術(shù)領(lǐng)域推廣的特點。
【IPC分類】H01J37-32
【公開號】CN104851772
【申請?zhí)枴緾N201510157531
【發(fā)明人】吳鳳麗, 鄭旭東, 國建花, 姜崴
【申請人】沈陽拓荊科技有限公司
【公開日】2015年8月19日
【申請日】2015年4月3日