專利名稱：一種三合一電容結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種三合一電容結(jié)構(gòu)，特別是一種應(yīng)用在橋式逆變回路上的三合
一電容器。
背景技術(shù)：
商用電磁爐通常采用半橋或全橋逆變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在高頻逆變過程中為了實(shí)現(xiàn)開關(guān)器件的軟開關(guān)，通常需要增加吸收電容做緩沖電路，以降低關(guān)斷時刻的開關(guān)損耗?，F(xiàn)在的大功率高頻電磁感應(yīng)加熱器常用的一種做法是基于IGBT的全橋設(shè)計，采用雙路驅(qū)動技術(shù)。全橋設(shè)計雖然能輸出很高的功率，但是控制電路設(shè)計復(fù)雜、故障率高，而且成本也高，故一些廠家很多采用單管調(diào)諧電路，雖然故障率降低了，但是加熱功率和效率也隨之降低。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于通過一種將吸收電容與高頻濾波電容封裝為一體化，裝配方便，易于生產(chǎn)的三合一電容結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型在吸收電容的直流端，直接跨接高頻濾波電容，吸收直流母線上的尖峰電壓，降低吸收電容與IGBT的溫度。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是本實(shí)用新型的三合一電容結(jié)構(gòu)，包括有電容Cl、電容C2、電容C3，電容Cl與電容C2組成的串聯(lián)電路與電容C3并聯(lián)，且電容Cl與電容C2的公共連接點(diǎn)引出第二引腳，并聯(lián)電路的兩端分別引出第一引腳及第三引腳，其中電容Cl為單芯子結(jié)構(gòu)，包括有上橋臂吸收電容芯子，電容C2為單芯子結(jié)構(gòu)，包括有下橋臂電容芯子，電容C3為雙芯子結(jié)構(gòu)，包括有第一高頻濾波電容芯子及第二高頻濾波電容芯子，所述第一引腳與上橋臂吸收電容芯子的一端焊接，第一引腳與第一高頻濾波電容芯子及第二高頻濾波電容芯子的一端焊接；第二引腳與下橋臂吸收電容芯子的一端焊接，第二引腳與第一高頻濾波電容芯子及第二高頻濾波電容芯子的另一端焊接；第三引腳與下橋臂電容芯子的另一端焊接，第三引腳與上橋臂吸收電容芯子的另一端焊接，電容Cl、電容C2、電容C3再整體灌封在外殼中，形成一體化電容。上述第一引腳與上橋臂吸收電容芯子的一端面通過焊點(diǎn)焊接，第一引腳與第一高頻濾波電容芯子及第二高頻濾波電容芯子的一端分別通過焊點(diǎn)焊接相連；第二引腳與下橋臂吸收電容芯子的一端通過焊點(diǎn)焊接相連，第二引腳與第一高頻濾波電容芯子及第二高頻濾波電容芯子的另一端通過焊點(diǎn)焊接相連；第三引腳與下橋臂電容芯子的另一端通過焊點(diǎn)焊接相連，第三引腳與上橋臂吸收電容芯子的另一端通過焊點(diǎn)焊接相連。上述電容Cl、電容C2為吸收電容，電容C3為高頻濾波電容。上述第一引腳、第二引腳、第三引腳與IGBT的管腳一一對應(yīng)，第一引腳、第二引腳、第三引腳直接并聯(lián)在IGBT的模塊上。本實(shí)用新型由于采用將吸收電容與高頻濾波電容封裝為一體化的結(jié)構(gòu)，通過內(nèi)部封裝，引出與IGBT管腳一一對應(yīng)的三根端子，直接并聯(lián)在IGBT的模塊上，具有裝配方便，易于生產(chǎn)。同時，本實(shí)用新型在吸收電容的直流端，直接跨接高頻濾波電容，高頻濾波電容可以有效的吸收直流母線的尖峰電壓，有效的降低吸收電容與IGBT的溫度。

圖1為本實(shí)用新型的電氣原理圖；圖2為本實(shí)用新型的具體結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型各引腳焊接的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例和附圖對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。本實(shí)用新型的三合一電容結(jié)構(gòu)的原理圖及結(jié)構(gòu)圖如圖1、2、3所示，包括有電容Cl、電容C2、電容C3，電容Cl與電容C2組成的串聯(lián)電路與電容C3并聯(lián)，且電容Cl與電容C2的公共連接點(diǎn)引出第二引腳2，并聯(lián)電路的兩端分別引出第一引腳I及第三引腳3，其中電容Cl為單芯子結(jié)構(gòu)，包括有上橋臂吸收電容芯子4，電容C2為單芯子結(jié)構(gòu)，包括有下橋臂電容芯子5，電容C3為雙芯子結(jié)構(gòu)，包括有第一高頻濾波電容芯子6及第二高頻濾波電容芯子7，所述第一引腳I與上橋臂吸收電容芯子4的一端面焊接，第一引腳I與第一高頻濾波電容芯子6及第二高頻濾波電容芯子7的一端焊接；第二引腳2與下橋臂吸收電容芯子5的一端焊接，第二引腳2與第一高頻濾波電容芯子6及第二高頻濾波電容芯子7的另一端焊接；第三引腳3與下橋臂電容芯子5的另一端焊接，第三引腳3與上橋臂吸收電容芯子4的另一端焊接，電容Cl、電容C2、電容C3再整體灌封在外殼18中，形成一體化電容。本實(shí)施例中，上述第一引腳I與上橋臂吸收電容芯子4的一端面通過焊點(diǎn)8焊接，第一引腳I與第一高頻濾波電容芯子6及第二高頻濾波電容芯子7的一端分別通過焊點(diǎn)IOUl焊接相連；第二引腳2與下橋臂吸收電容芯子5的一端通過焊點(diǎn)9焊接相連，第二引腳2與第一高頻濾波電容芯子6及第二高頻濾波電容芯子7的另一端通過焊點(diǎn)16、17焊接相連；第三引腳3與下橋臂電容芯子5的另一端通過焊點(diǎn)15、14焊接相連，第三引腳3與上橋臂吸收電容芯子4的另一端通過焊點(diǎn)13、12焊接相連。本實(shí)施例中，上述電容Cl、電容C2為吸收電容，電容C3為高頻濾波電容。本實(shí)施例中，上述第一引腳1、第二引腳2、第三引腳3與IGBT的管腳一一對應(yīng)，第一引腳1、第二引腳2、第三引腳3直接并聯(lián)在IGBT的模塊上。本實(shí)用新型將吸收電容、高頻濾波電容做一體化設(shè)計，通過內(nèi)部封裝，引出與IGBT管腳 對應(yīng)的三根端子，直接并聯(lián)在IGBT的模塊上,裝配方便,易于生產(chǎn)，同時，本實(shí)用新型高頻濾波電容可以有效的吸收直流母線的尖峰電壓，有效的降低吸收電容與IGBT的溫度。
權(quán)利要求1.一種三合一電容結(jié)構(gòu)，其特征在于包括有電容Cl、電容C2、電容C3，電容Cl與電容C2組成的串聯(lián)電路與電容C3并聯(lián)，且電容Cl與電容C2的公共連接點(diǎn)引出第二引腳(2)，并聯(lián)電路的兩端分別引出第一引腳(I)及第三引腳(3)，其中電容Cl為單芯子結(jié)構(gòu)，包括有上橋臂吸收電容芯子(4)，電容C2為單芯子結(jié)構(gòu)，包括有下橋臂電容芯子(5)，電容C3為雙芯子結(jié)構(gòu)，包括有第一高頻濾波電容芯子(6)及第二高頻濾波電容芯子(7)，所述第一引腳(I)與上橋臂吸收電容芯子(4)的一端焊接，第一引腳(I)與第一高頻濾波電容芯子(6)及第二高頻濾波電容芯子(7)的一端焊接；第二引腳(2)與下橋臂吸收電容芯子(5)的一端焊接，第二引腳(2)與第一高頻濾波電容芯子(6)及第二高頻濾波電容芯子(7)的另一端焊接；第三引腳(3)與下橋臂電容芯子(5)的另一端焊接，第三引腳(3)與上橋臂吸收電容芯子(4)的另一端焊接，電容Cl、電容C2、電容C3再整體灌封在外殼(18)中，形成一體化電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容結(jié)構(gòu)，其特征在于上述第一引腳(I)與上橋臂吸收電容芯子(4)的一端面通過焊點(diǎn)(8)焊接，第一引腳(I)與第一高頻濾波電容芯子(6)及第二高頻濾波電容芯子(7)的一端分別通過焊點(diǎn)(10、11)焊接相連；第二引腳(2)與下橋臂吸收電容芯子(5)的一端通過焊點(diǎn)(9)焊接相連，第二引腳(2)與第一高頻濾波電容芯子(6)及第二高頻濾波電容芯子(7)的另一端通過焊點(diǎn)(16、17)焊接相連；第三引腳(3)與下橋臂電容芯子(5)的另一端通過焊點(diǎn)(15、14)焊接相連，第三引腳(3)與上橋臂吸收電容芯子(4)的另一端通過焊點(diǎn)(13、12)焊接相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容結(jié)構(gòu)，其特征在于上述電容Cl、電容C2為吸收電容，電容C3為高頻濾波電容。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的電容結(jié)構(gòu)，其特征在于上述第一引腳(I)、第二引腳(2)、第三引腳(3)與IGBT的管腳一一對應(yīng)，第一引腳(I)、第二引腳(2)、第三引腳(3)直接并聯(lián)在IGBT的模塊上。
專利摘要本實(shí)用新型是一種三合一電容結(jié)構(gòu)。電容C1、C2串聯(lián)后與電容C3并聯(lián)，電容C1、C2的公共連接點(diǎn)引出第二引腳，并聯(lián)電路的兩端分別引出第一引腳及第三引腳，電容C1包括上橋臂吸收電容芯子，電容C2包括下橋臂電容芯子，電容C3包括第一高頻濾波電容芯子及第二高頻濾波電容芯子，第一引腳與上橋臂吸收電容芯子的一端焊接、與第一高頻濾波電容芯子及第二高頻濾波電容芯子的一端焊接；第二引腳與下橋臂吸收電容芯子的一端焊接、與第一高頻濾波電容芯子及第二高頻濾波電容芯子的另一端焊接；第三引腳與下橋臂電容芯子的另一端焊接及與上橋臂吸收電容芯子的另一端焊接，電容C1、C2、C3整體灌封在外殼中。本實(shí)用新型裝配可靠，生產(chǎn)方便。
文檔編號H02M1/32GK202840931SQ20122049198
公開日2013年3月27日 申請日期2012年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月25日
發(fā)明者金紅旗, 李彥棟 申請人:美的集團(tuán)股份有限公司