技術(shù)編號：8519665
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在薄膜的制程中，腔體內(nèi)部的縫隙、臺(tái)階、不同材料的導(dǎo)電系數(shù)都會(huì)對射頻場和等離子體的分布產(chǎn)生很大的影響。當(dāng)分布不均的情況發(fā)生時(shí)，對薄膜制程就會(huì)產(chǎn)生重大的影響，使得均勻性指標(biāo)超出產(chǎn)品要求的范圍?，F(xiàn)有的設(shè)備普遍腔內(nèi)結(jié)構(gòu)為不規(guī)則的圓形，傳片口處會(huì)多出一塊矩形空間。正是這塊矩形空間嚴(yán)重的影響了上述兩種能量場的分布。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明以解決上述問題為目的，主要解決現(xiàn)有設(shè)備的傳片口對能量場分布有影響的問題，而提供一種能在薄膜制程中保證形成一個(gè)對稱、均勻，沒有突兀結(jié)構(gòu)的環(huán)形封閉...
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