一種半導(dǎo)體塑封工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體塑封工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有塑封模具根據(jù)外觀設(shè)計了凹槽，但是排氣口無法在指定時間內(nèi)排除模具的空氣，導(dǎo)致塑封底填料無法完全填充模具，造成塑封的大量不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對現(xiàn)有塑封工藝中塑封模具的局限導(dǎo)致塑封不良品等問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體塑封工藝，為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:一種半導(dǎo)體塑封工藝，包括以下步驟:步驟一:將芯片安裝到基板上，芯片電極區(qū)通過金屬凸點(diǎn)與基板上的電極區(qū)連接；步驟二:用金屬線將元件與金屬框架上的引腳連接，步驟三:用塑封底填料將基板塑封起來，形成凹槽兩側(cè)帶有外延開槽的塑封殼體。
[0004]優(yōu)選地，步驟四中采用的塑封填料為環(huán)氧樹脂。
[0005]本發(fā)明的有益效果:通過增加塑封模具凹槽兩側(cè)的外延開槽，增加了凹槽區(qū)域氣體的流通能力，降低了不良產(chǎn)品，節(jié)約了設(shè)備的維護(hù)成本。
【具體實(shí)施方式】
[0006]一種半導(dǎo)體塑封工藝，包括以下步驟:步驟一:將芯片安裝到基板上，芯片電極區(qū)通過金屬凸點(diǎn)與基板上的電極區(qū)連接；步驟二:用金屬線將元件與金屬框架上的引腳連接，步驟三:用塑封底填料將基板塑封起來，形成凹槽兩側(cè)帶有外延開槽的塑封殼體。
[0007]優(yōu)選的，步驟四中采用的塑封填料為環(huán)氧樹脂。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體塑封工藝，其特征在于:包括以下步驟:步驟一:將芯片安裝到基板上，芯片電極區(qū)通過金屬凸點(diǎn)與基板上的電極區(qū)連接；步驟二:用金屬線將元件與金屬框架上的引腳連接，步驟三:用塑封底填料將基板塑封起來，形成凹槽兩側(cè)帶有外延開槽的塑封殼體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體塑封工藝，其特征在于:步驟四中采用的塑封填料為環(huán)氧樹脂。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體塑封工藝，包括以下步驟：步驟一：將芯片安裝到基板上，芯片電極區(qū)通過金屬凸點(diǎn)與基板上的電極區(qū)連接；步驟二：用金屬線將元件與金屬框架上的引腳連接，步驟三：用塑封底填料將基板塑封起來，形成凹槽兩側(cè)帶有外延開槽的塑封殼體，增加了凹槽區(qū)域氣體的流通能力，降低了不良產(chǎn)品，節(jié)約了設(shè)備的維護(hù)成本。
【IPC分類】H01L21-56, H01L21-52, H01L21-50
【公開號】CN104795336
【申請?zhí)枴緾N201510210631
【發(fā)明人】包增利
【申請人】海太半導(dǎo)體（無錫）有限公司
【公開日】2015年7月22日
【申請日】2015年4月29日