電層120的材料與所述第二透明導(dǎo)電層130的材料相同，即，所述第一透明導(dǎo)電層120的電阻率等于所述第二透明導(dǎo)電層130的電阻率，所述第一透明導(dǎo)電層120的等效橫截面積與所述第二透明導(dǎo)電層130的等效橫截面積相同，所述第一透明導(dǎo)電層120的長(zhǎng)度大于所述第二透明導(dǎo)電層130的長(zhǎng)度，因此，根據(jù)公式
(I)，所述第一透明導(dǎo)電層120的電阻大于所述第二透明導(dǎo)電層130的電阻。由于電導(dǎo)率為電阻的倒數(shù)，因此，所述第一透明導(dǎo)電層120的電導(dǎo)率小于所述第二透明導(dǎo)電層130的電導(dǎo)率，即，所述第一電導(dǎo)率小于所述第二電導(dǎo)率。
[0045]在本實(shí)施方式中，所述第一透明導(dǎo)電層120包括第一部分121及兩個(gè)第二部分122。所述第一部分121包括第一子表面121a、第二子表面121b、第三子表面121c及第四子表面121d。所述第一子表面121a與所述第二子表面121b相對(duì)設(shè)置，兩個(gè)第二部分122分別設(shè)置于所述第一子表面121a鄰近所述第一電極支撐體110的端部，且所述第二部分122鄰近所述第一電極支撐體110的表面與所述第一部分121鄰近所述第一電極支撐體110的表面在同一平面內(nèi)。所述第一部分121的橫截面積大于所述第二部分122的橫截面積，所述第三子表面121c相較于所述第四子表面121d鄰近所述第一電極支撐體110設(shè)置，所述第四子表面121d與所述第一透明導(dǎo)電層120相連接，所述第二透明導(dǎo)電層130設(shè)置在所述第二部分122上。
[0046]所述光源10還包括反射層180，所述反射槽180設(shè)置在所述第一透明導(dǎo)電層120與所述第一電極支撐體110之間。所述反射層180用于使得所述第一透明導(dǎo)電層120及所述第二透明導(dǎo)電層130的光反射到所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層140、所述有源層150及所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層160。
[0047]本發(fā)明的光源10包括第一電極支撐體110、第一透明導(dǎo)電層120、第二透明導(dǎo)電層130、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層140、有源層150、第二導(dǎo)電層半導(dǎo)體層160及第二電極170，所述第一電極支撐體110加載第一極性電壓，且用于支撐所述第一透明導(dǎo)電層120、第二透明導(dǎo)電層130、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層140、有源層150、第二導(dǎo)電層半導(dǎo)體層160及第二電極170。所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層140、所述有源層150及所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層160依次設(shè)置于所述第二透明導(dǎo)電層130的中部，所述第二電極170設(shè)置于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層160的中部，所述第二電極170加載第二極性電壓，所述第一透明導(dǎo)電層120及所述第二透明導(dǎo)電層130的導(dǎo)電率分別為第一電導(dǎo)率及第二電導(dǎo)率，所述第一電導(dǎo)率小于所述第二電導(dǎo)率。當(dāng)所述第一電極支撐體UO與所述第二電極170之間加載電壓時(shí)，所述第一電極支撐體110與所述第二電極170的電流的大部分能夠通過(guò)所述第二透明導(dǎo)電層130流入所述由所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層140、所述有源層150及所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層160組成的發(fā)光結(jié)構(gòu)，能夠有效提尚所述光源10的發(fā)光效率。
[0048]本發(fā)明還提供了一種背光模組，所述背光模組包括光源10，所述光源10請(qǐng)參閱前述對(duì)光源10的描述，在此不再贅述。
[0049]以上所揭露的僅為本發(fā)明一種較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來(lái)限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分流程，并依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于發(fā)明所涵蓋的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種光源，其特征在于，所述光源包括第一電極支撐體、第一透明導(dǎo)電層、第二透明導(dǎo)電層、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及第二電極，所述第一電極支撐體加載第一極性電壓，且用于支撐所述第一透明導(dǎo)電層、所述第二透明導(dǎo)電層、所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、所述有源層、所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及所述第二電極，所述第一透明導(dǎo)電層及所述第二透明導(dǎo)電層依次設(shè)置于所述第一電極支撐體的同一表面上，所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、所述有源層所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層依次設(shè)置于所述第二透明導(dǎo)電層的中部，所述第二電極設(shè)置于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的中部，所述第二電極加載第二極性電壓，所述第一透明導(dǎo)電層及所述第二透明導(dǎo)電層的導(dǎo)電率分別為第一電導(dǎo)率及第二電導(dǎo)率，所述第一電導(dǎo)率小于所述第二電導(dǎo)率。
2.如權(quán)利要求1所述的光源，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電層及所述第二透明導(dǎo)電層長(zhǎng)度相同，橫截面積相同，所述第一透明導(dǎo)電層的電阻率大于所述第二透明導(dǎo)電層的電阻率。
3.如權(quán)利要求1所述的光源，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電層的材料與所述第二透明導(dǎo)電層的材料相同，所述第一透明導(dǎo)電層的等效橫截面積與所述第二透明導(dǎo)電層的等效橫截面積相同，且所述第一透明導(dǎo)電層的長(zhǎng)度大于所述第二透明導(dǎo)電層的長(zhǎng)度。
4.如權(quán)利要求3所述的光源，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電層包括第一部分及兩個(gè)第二部分，所述第一部分包括第一子表面、第二子表面、第三子表面及第四子表面，所述第一子表面與所述第二子表面相對(duì)設(shè)置，兩個(gè)第二部分分別設(shè)置于所述第一子表面的中部及所述第二子表面的中部，所述第一部分的橫截面積大于所述第二部分的橫截面積，所述第三子表面相較于所述第四子表面鄰近所述第一電極支撐體設(shè)置，所述第四子表面與所述第一透明導(dǎo)電層相連接，所述第二透明導(dǎo)電層設(shè)置在所述第二部分上。
5.如權(quán)利要求4所述的光源，其特征在于，所述光源還包括反射層，所述反射層設(shè)置在所述第一透明導(dǎo)電層與所述第一電極支撐體之間。
6.如權(quán)利要求5所述的光源，其特征在于，所述反射層包括第一反射部分及兩個(gè)第二反射部分，所述第一反射部分為凹槽，用于收容所述第一透明導(dǎo)電層的第一部分，所述第二反射部分與所述連接所述第一反射部分的側(cè)壁，并且設(shè)置在所述第二部分與所述第一電極支撐體之間。
7.如權(quán)利要求3所述的光源，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電層包括第一部分及兩個(gè)第二部分，所述第一部分包括第一子表面、第二子表面、第三子表面及第四子表面，所述第一子表面與所述第二子表面相對(duì)設(shè)置，兩個(gè)第二部分分別設(shè)置在所述第一子表面鄰近所述第一電極支撐體的端部，且所述第二部分鄰近所述第一電極支撐體的表面與所述第一部分鄰近所述第一電極支撐體的表面在同一平面內(nèi)，所述第一部分的橫截面積大于所述第二部分的橫街面積，所述第三子表面相較于所述第四子表面鄰近所述第一電極支撐體設(shè)置，所述第四子表面與所述第一透明導(dǎo)電層相連接，所述第二透明導(dǎo)電層設(shè)置在所述第二部分上。
8.如權(quán)利要求7所述的光源，其特征在于，所述光源還包括反射層，所述反射層設(shè)置于所述第一透明導(dǎo)電層與所述第一電極支撐體之間。
9.如權(quán)利要求1所述的光源，其特征在于，所述第一極性電壓與所述第二極性電壓分別為正電壓以及負(fù)電壓，或者所述第一極性電壓與所述第二極性電壓分別為負(fù)電壓以及正電壓。
10.一種背光模組，其特征在于，所述背光模組包括如權(quán)利要求1至9任意一項(xiàng)所述的光源。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種光源及背光模組。光源包括第一電極支撐體、第一透明導(dǎo)電層、第二透明導(dǎo)電層、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及第二電極，第一電極支撐體加載第一極性電壓，且用于支撐第一透明導(dǎo)電層、第二透明導(dǎo)電層、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及第二電極，第一透明導(dǎo)電層及第二透明導(dǎo)電層依次設(shè)置于第一電極支撐體的同一表面上，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層依次設(shè)置于第二透明導(dǎo)電層的中部，第二電極設(shè)置于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的中部，第二電極加載第二極性電壓，第一透明導(dǎo)電層及第二透明導(dǎo)電層的導(dǎo)電率分別為第一電導(dǎo)率及第二電導(dǎo)率，第一電導(dǎo)率小于第二電導(dǎo)率。
【IPC分類(lèi)】H01L33-36, H01L33-42
【公開(kāi)號(hào)】CN104779332
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510174668
【發(fā)明人】程艷, 周革革
【申請(qǐng)人】武漢華星光電技術(shù)有限公司
【公開(kāi)日】2015年7月15日
【申請(qǐng)日】2015年4月14日