光源及背光模組的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及平面顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種光源及背光模組。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(light emitting d1de, LED)作為一種常用的光源，其通過化合物半導體的PN結(jié)構(gòu)成光源，并可以發(fā)出各種顏色的光。LED具有較長的使用壽命，易于制造小尺寸且質(zhì)量輕，具有較強的光方向性，抗沖擊和抗震性能好等優(yōu)點，因而得到了廣泛地應用。現(xiàn)有技術(shù)中，所述光源包括兩個電極，兩個電極之間設置導電層及發(fā)光結(jié)構(gòu)，兩個電極之間的電流不能很好地流入發(fā)光結(jié)構(gòu)，從而導致LED的發(fā)光效率不高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種光源，所述光源包括第一電極支撐體、第一透明導電層、第二透明導電層、第一導電型半導體層、有源層、第二導電型半導體層及第二電極，所述第一電極支撐體加載第一極性電壓，且用于支撐所述第一透明導電層、所述第二透明導電層、所述第一導電型半導體層、所述有源層、所述第二導電型半導體層及所述第二電極，所述第一透明導電層及所述第二透明導電層依次設置于所述第一電極支撐體的同一表面上，所述第一導電型半導體層、所述有源層所述第二導電型半導體層依次設置于所述第二透明導電層的中部，所述第二電極設置于所述第二導電型半導體層的中部，所述第二電極加載第二極性電壓，所述第一透明導電層及所述第二透明導電層的導電率分別為第一電導率及第二電導率，所述第一電導率小于所述第二電導率。
[0004]其中，所述第一透明導電層及所述第二透明導電層長度相同，橫截面積相同，所述第一透明導電層的電阻率大于所述第二透明導電層的電阻率。
[0005]其中，所述第一透明導電層的材料與所述第二透明導電層的材料相同，所述第一透明導電層的等效橫截面積與所述第二透明導電層的等效橫截面積相同，且所述第一透明導電層的長度大于所述第二透明導電層的長度。
[0006]其中，所述第一透明導電層包括第一部分及兩個第二部分，所述第一部分包括第一子表面、第二子表面、第三子表面及第四子表面，所述第一子表面與所述第二子表面相對設置，兩個第二部分分別設置于所述第一子表面的中部及所述第二子表面的中部，所述第一部分的橫截面積大于所述第二部分的橫截面積，所述第三子表面相較于所述第四子表面鄰近所述第一電極支撐體設置，所述第四子表面與所述第一透明導電層相連接，所述第二透明導電層設置在所述第二部分上。
[0007]其中，所述光源還包括反射層，所述反射層設置在所述第一透明導電層與所述第一電極支撐體之間。
[0008]其中，所述反射層包括第一反射部分及兩個第二反射部分，所述第一反射部分為凹槽，用于收容所述第一透明導電層的第一部分，所述第二反射部分與所述連接所述第一反射部分的側(cè)壁，并且設置在所述第二部分與所述第一電極支撐體之間。
[0009]其中，所述第一透明導電層包括第一部分及兩個第二部分，所述第一部分包括第一子表面、第二子表面、第三子表面及第四子表面，所述第一子表面與所述第二子表面相對設置，兩個第二部分分別設置在所述第一子表面鄰近所述第一電極支撐體的端部，且所述第二部分鄰近所述第一電極支撐體的表面與所述第一部分鄰近所述第一電極支撐體的表面在同一平面內(nèi)，所述第一部分的橫截面積大于所述第二部分的橫街面積，所述第三子表面相較于所述第四子表面鄰近所述第一電極支撐體設置，所述第四子表面與所述第一透明導電層相連接，所述第二透明導電層設置在所述第二部分上。
[0010]其中，所述光源還包括反射層，所述反射層設置于所述第一透明導電層與所述第一電極支撐體之間。
[0011]其中，所述第一極性電壓與所述第二極性電壓分別為正電壓以及負電壓，或者所述第一極性電壓與所述第二極性電壓分別為負電壓以及正電壓。
[0012]本發(fā)明的光源包括第一電極支撐體、第一透明導電層、第二透明導電層、第一導電型半導體層、有源層、第二導電層半導體層及第二電極，所述第一電極支撐體加載第一極性電壓，且用于支撐所述第一透明導電層、第二透明導電層、第一導電型半導體層、有源層、第二導電層半導體層及第二電極。所述第一導電型半導體層、所述有源層及所述第二導電型半導體層依次設置于所述第二透明導電層的中部，所述第二電極設置于所述第二導電型半導體層的中部，所述第二電極加載第二極性電壓，所述第一透明導電層及所述第二透明導電層的導電率分別為第一電導率及第二電導率，所述第一電導率小于所述第二電導率。當所述第一電極支撐體與所述第二電極之間加載電壓時，所述第一電極支撐體與所述第二電極的電流的大部分能夠通過所述第二透明導電層流入所述由所述第一導電型半導體層、所述有源層及所述第二導電型半導體層組成的發(fā)光結(jié)構(gòu)，能夠有效提高所述光源的發(fā)光效率。
[0013]本發(fā)明還提供了一種背光模組，所述背光模組包括前述各個實施方式任意一個實施方式所述的光源。
【附圖說明】
[0014]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0015]圖1為本發(fā)明一較佳實施方式提供的光源的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖2為本發(fā)明另一較佳實施方式提供的光源的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖3為本發(fā)明又一較佳實施方式提供的光源的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0018]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0019]請參閱圖1，圖1為本發(fā)明一較佳實施方式提供的光源的結(jié)構(gòu)示意圖。所述光源10為發(fā)光二極管，所述光源10包括第一電極支撐體110、第一透明導電層120、第二透明導電層130、第一導電型半導體層140、有源層150、第二導電型半導體層160及第二電極170。所述第一電極支撐體110加載第一極性電壓，且用于支撐所述第一透明導電層120、所述第二透明導電層130、所述第一導電型半導體層140、所述有源層150、所述第二導電型半導體層160及所述第二電極170。所述第一透明導電層120及所述第二透明導電層130依次設置于所述第一電極支撐體110的同一表面上。所述第一導電型半導體層140、所述有源層150、所述第二導電型半導體層160及所述第二電極170依次層疊設置于所述第二透明導電層130的中部。所述第二電極170設置于所述第二導電型半導體層160的中部，所述第二電極170加載第二極性電壓。所述第一透明導電層120及所述第二透明導電層130的導電率分別為第一導電率及第二導電率，所述第一導電率小于所述第二導電率。
[0020]所述第一透明導電層120的材質(zhì)可以為但不僅限于為銦錫氧化物、銦鋅氧化物等。
[0021 ] 優(yōu)選地，所述光源10還包括反射層180，所述反射層180設置在所述第一透明導電層120與所述第一電極支撐體110之間。所述反射層180用于使得透光所述第一透明導電層120及所述第二透明導電層130的光子反射到所述第一導電型半導體層140、所述有源層150及所述第二導電型半導體層160。
[0022]在本實施方式中，所述第一極性電壓與所述第二極性電壓分別為正電壓以及負電壓?？梢岳斫獾?，在其他實施方式中，所述第一極性電壓與所述第二極性電壓分別為負電壓以及正電壓。
[0023]在本實施方式中，所述第一透明導電層120與所述第二透明導電層130的長度相同，所述第一透明導電層120與所述第二透明導電層130的橫截面積相同，所述第一透明導電層120的電阻率大于所述第二透明導電層130的電