2a與第四側(cè)22b、及連通該第三側(cè)22a與第四側(cè)22b的多個(gè)第二導(dǎo)電穿孔220，且該第一半導(dǎo)體基板20的第一側(cè)20a結(jié)合至該第二半導(dǎo)體基板22的第三側(cè)22a，使該第一導(dǎo)電穿孔200與該第二導(dǎo)電穿孔220相互電性導(dǎo)通。
[0109]于一實(shí)施例中，該第一半導(dǎo)體基板20的第一側(cè)20a具有第一氧化層201，以結(jié)合該第二半導(dǎo)體基板22的第三側(cè)22a。
[0110]于一實(shí)施例中，該第二半導(dǎo)體基板22的第三側(cè)22a具有第二氧化層221,以結(jié)合該第一半導(dǎo)體基板20的第一側(cè)20a。
[0111]于一實(shí)施例中，該第一半導(dǎo)體基板20的第一側(cè)20a具有第一氧化層201，且該第二半導(dǎo)體基板22的第三側(cè)22a具有第二氧化層221，令該第一氧化層201結(jié)合該第二氧化層221，以結(jié)合該第一與第二半導(dǎo)體基板20，22。
[0112]于一實(shí)施例中，該第一半導(dǎo)體基板20的第一側(cè)20a具有一線路重布層202，以結(jié)合該第二半導(dǎo)體基板22的第三側(cè)22a與該第二導(dǎo)電穿孔220。較佳地，該第二半導(dǎo)體基板22的第三側(cè)22a具有第二氧化層221，以結(jié)合該線路重布層202。
[0113]所述的電子元件23為半導(dǎo)體元件并設(shè)于該第一半導(dǎo)體基板20的第二側(cè)20b上，且電性連接該第一導(dǎo)電穿孔200。
[0114]于一實(shí)施例中，所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2，2’，2”，3，3’還包括一封裝層24，24’，其設(shè)于該第一半導(dǎo)體基板20的第二側(cè)20b上以包覆該電子元件23，且外露或不外露該電子元件23的頂面(即該非作用面23b)。于其中一實(shí)施例中，所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2”還包括底膠27，其設(shè)于該第一半導(dǎo)體基板20的第二側(cè)20b與該電子元件23之間，使該封裝層24’還包覆該底膠27。
[0115]于一實(shí)施例中，所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2，2’，2”，3，3’還包括多個(gè)導(dǎo)電元件25，其設(shè)于該第二半導(dǎo)體基板22的第四側(cè)22b上且電性連接該第二導(dǎo)電穿孔220。
[0116]于一實(shí)施例中，所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2，2’，2”還包括第一線路重布結(jié)構(gòu)21,其設(shè)于該第一半導(dǎo)體基板20的第二側(cè)20b且電性連接該第一導(dǎo)電穿孔200，使該電子元件23設(shè)于該第一線路重布結(jié)構(gòu)21上且電性連接該第一線路重布結(jié)構(gòu)21。
[0117]于一實(shí)施例中，所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2”，3’還包括第二線路重布結(jié)構(gòu)26，其設(shè)于該第二半導(dǎo)體基板22的第四側(cè)22b上且電性連接該第二導(dǎo)電穿孔220。
[0118]綜上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制法，藉由第二半導(dǎo)體基板作為承載件與封裝基板，因而無(wú)需移除該第二半導(dǎo)體基板，也無(wú)需增設(shè)如現(xiàn)有封裝基板，所以不需反復(fù)進(jìn)行結(jié)合/移除承載件的制程，因而能大幅減少制程步驟與材料成本。
[0119]此外，該第一與第二半導(dǎo)體基板利用氧化層作結(jié)合元件，且使導(dǎo)電穿孔對(duì)接，所以能形成融合對(duì)接，以提升兩者的結(jié)合性。
[0120]上述該些實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本發(fā)明的功效，而非用于限制本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述該些實(shí)施實(shí)施例進(jìn)行修飾與改變。此外，在上述該些實(shí)施實(shí)施例中的元件的數(shù)量?jī)H為例示性說(shuō)明，也非用于限制本發(fā)明。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書所列。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),包括: 第一半導(dǎo)體基板，其具有相對(duì)的第一側(cè)與第二側(cè)、及連通該第一側(cè)與第二側(cè)的多個(gè)第一導(dǎo)電穿孔； 第二半導(dǎo)體基板，其具有相對(duì)的第三側(cè)與第四側(cè)、及連通該第三側(cè)與第四側(cè)的多個(gè)第二導(dǎo)電穿孔，且該第一半導(dǎo)體基板的第一側(cè)結(jié)合至該第二半導(dǎo)體基板的第三側(cè)，使該第一導(dǎo)電穿孔與該第二導(dǎo)電穿孔相互電性導(dǎo)通；以及 至少一電子元件，其設(shè)于該第一半導(dǎo)體基板的第二側(cè)且電性連接該第一導(dǎo)電穿孔。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一半導(dǎo)體基板的第一側(cè)具有氧化層，以結(jié)合該第二半導(dǎo)體基板的第三側(cè)。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二半導(dǎo)體基板的第三側(cè)具有氧化層，以結(jié)合該第一半導(dǎo)體基板的第一側(cè)。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一半導(dǎo)體基板的第一側(cè)具有第一氧化層，且該第二半導(dǎo)體基板的第三側(cè)具有第二氧化層，令該第一氧化層結(jié)合該第二氧化層，以結(jié)合該第一與第二半導(dǎo)體基板。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一半導(dǎo)體基板的第一側(cè)具有線路重布層，以結(jié)合該第二半導(dǎo)體基板的第三側(cè)與該第二導(dǎo)電穿孔。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二半導(dǎo)體基板的第三側(cè)具有氧化層，以結(jié)合該線路重布層。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電子元件為半導(dǎo)體元件。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)還包括封裝層，其設(shè)于該第一半導(dǎo)體基板的第二側(cè)上以包覆該電子元件。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)還包括底膠，其設(shè)于該第一半導(dǎo)體基板的第二側(cè)與該電子元件之間。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該封裝層外露該電子元件的部分表面。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)還包括多個(gè)導(dǎo)電元件，其設(shè)于該第二半導(dǎo)體基板的第四側(cè)上且電性連接該第二導(dǎo)電穿孔。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)還包括第一線路重布結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該第一半導(dǎo)體基板的第二側(cè)且電性連接該第一導(dǎo)電穿孔，使該電子元件設(shè)于該第一線路重布結(jié)構(gòu)上且電性連接該第一線路重布結(jié)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)還包括第二線路重布結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該第二半導(dǎo)體基板的第四側(cè)上且電性連接該第二導(dǎo)電穿孔。
14.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其包括: 提供一第一半導(dǎo)體基板與一第二半導(dǎo)體基板，該第一半導(dǎo)體基板具有相對(duì)的第一側(cè)與第二側(cè)、及位于其中并外露于該第一側(cè)的多個(gè)第一導(dǎo)電穿孔，且該第二半導(dǎo)體基板具有相對(duì)的第三側(cè)與第四側(cè)、及位于其中并外露于該第三側(cè)的多個(gè)第二導(dǎo)電穿孔； 結(jié)合該第一半導(dǎo)體基板的第一側(cè)與該第二半導(dǎo)體基板的第三側(cè)，使該第一導(dǎo)電穿孔與該第二導(dǎo)電穿孔相互電性導(dǎo)通；以及 設(shè)置至少一電子元件于該第一半導(dǎo)體基板的第二側(cè)上，且該電子元件電性連接該該第一導(dǎo)電穿孔。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該第一半導(dǎo)體基板的第一側(cè)具有氧化層，以結(jié)合該第二半導(dǎo)體基板的第三側(cè)。
16.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該第二半導(dǎo)體基板的第三側(cè)具有氧化層，以結(jié)合該第一半導(dǎo)體基板的第一側(cè)。
17.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該第一半導(dǎo)體基板的第一側(cè)具有第一氧化層，且該第二半導(dǎo)體基板的第三側(cè)具有第二氧化層，令該第一氧化層結(jié)合該第二氧化層，以結(jié)合該第一與第二半導(dǎo)體基板。
18.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該第一半導(dǎo)體基板的第一側(cè)具有線路重布層，以結(jié)合該第二半導(dǎo)體基板的第三側(cè)與該第二導(dǎo)電穿孔。
19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該第二半導(dǎo)體基板的第三側(cè)具有氧化層，以結(jié)合該線路重布層。
20.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該電子元件為半導(dǎo)體元件。
21.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該制法還包括形成封裝層于該第一半導(dǎo)體基板的第二側(cè)上以包覆該電子元件。
22.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該制法還包括于形成該封裝層之前，形成底膠于該第一半導(dǎo)體基板的第二側(cè)與該電子元件之間。
23.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該封裝層外露該電子元件的部分表面。
24.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該制法還包括于設(shè)置該電子元件后，進(jìn)行切割制程。
25.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該制法還包括形成多個(gè)導(dǎo)電元件于該第二半導(dǎo)體基板的第四側(cè)上，且該些導(dǎo)電元件電性連接該第二導(dǎo)電穿孔。
26.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該制法還包括于設(shè)置該電子元件之前，形成第一線路重布結(jié)構(gòu)于該第一半導(dǎo)體基板的第二側(cè)上，且該第一線路重布結(jié)構(gòu)電性連接該第一導(dǎo)電穿孔，使該電子元件設(shè)于該第一線路重布結(jié)構(gòu)上且電性連接該第一線路重布結(jié)構(gòu)。
27.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該制法還包括形成第二線路重布結(jié)構(gòu)于該第二半導(dǎo)體基板的第四側(cè)上，且該第二線路重布結(jié)構(gòu)電性連接該第二導(dǎo)電穿孔。
【專利摘要】一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制法，該制法先將具有多個(gè)第一導(dǎo)電穿孔的第一半導(dǎo)體基板與具有多個(gè)第二導(dǎo)電穿孔的第二半導(dǎo)體基板相結(jié)合，使該第一與第二導(dǎo)電穿孔相互電性導(dǎo)通，再設(shè)置至少一電子元件于該第一半導(dǎo)體基板上以電性連接該第一導(dǎo)電穿孔。因此，藉由該第二半導(dǎo)體基板同時(shí)作為承載件與封裝基板，因而無(wú)需移除該第二半導(dǎo)體基板，且于后續(xù)制程中無(wú)需增設(shè)封裝基板，所以不需反復(fù)進(jìn)行結(jié)合/移除承載件的制程，因而能簡(jiǎn)化制程及降低制作成本。
【IPC分類】H01L27-04, H01L21-60, H01L23-482
【公開號(hào)】CN104779230
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410040307
【發(fā)明人】蔣靜雯, 張瑋仁, 陳光欣, 陳賢文, 朱育德
【申請(qǐng)人】矽品精密工業(yè)股份有限公司
【公開日】2015年7月15日
【申請(qǐng)日】2014年1月27日