配線基板及其制造方法、以及半導體封裝的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種配線基板及其制造方法、以及半導體封裝。
【背景技術】
[0002]近些年，提出了一種用于搭載發(fā)光元件等半導體元件的配線基板。例如，可舉出一種具有配線部的配線基板，該配線部具備在基板上進行了圖案化的配線、以及將該配線選擇性地露出的絕緣層。在該配線基板中，由絕緣層露出的配線為與半導體元件電連接的端子。
[0003]專利文獻1:(日本)特開2013-65621號公報
[0004]然而，由于發(fā)光元件等半導體元件在操作時發(fā)熱，因此為了防止半導體元件的溫度達到一定溫度以上，有時在上述配線基板中經(jīng)由粘結層將配線部配置在散熱板上。但是，由于粘結層只與構成配線部的基板的下表面(散熱板側的面)粘合，因此存在如果由于半導體元件的發(fā)熱而達到高溫的情況、或在非操作時保存在低溫的環(huán)境下的情況反復，則散熱板與配線部之間的緊密性降低、散熱板與配線部剝離的問題。
[0005]鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種提高散熱板與配線部之間的緊密性的配線基板等。

【發(fā)明內容】

[0006]本發(fā)明提供一種配線基板，其包括:散熱板；基板，其經(jīng)由粘結層而設在所述散熱板上，所述基板具有第一表面、和所述第一表面的相反側的第二表面，所述粘結層設在所述第一表面上；配線，其設在所述基板的所述第二表面上；以及切口部，其沿所述基板的厚度方向貫穿所述基板，在平面視圖中，所述切口部通過從所述基板的外緣部向內部切入所述配線基板而形成。所述粘結層覆蓋所述基板的在所述切口部的內壁面上露出的端面。
[0007]根據(jù)所公開的技術，能夠提供一種提高散熱板與配線部之間的緊密性的配線基板等。
【附圖說明】
[0008]圖1A、1B是表示第I實施方式的配線基板的圖。
[0009]圖2A?2C是表示第I實施方式的配線基板的制造步驟的圖(其I)。
[0010]圖3A、3B是表示第I實施方式的配線基板的制造步驟的圖(其2)。
[0011]圖4A、4B是表示第I實施方式的配線基板的制造步驟的圖(其3)。
[0012]圖5A、5B是表示第I實施方式的配線基板的制造步驟的圖(其4)。
[0013]圖6A、6B是表示第I實施方式的配線基板的制造步驟的圖(其5)。
[0014]圖7A、7B是表示第I實施方式的配線基板的制造步驟的圖(其6)。
[0015]圖8A、8B是表示第I實施方式的配線基板的制造步驟的圖(其7)。
[0016]圖9A?9C是對除去總線進行說明的圖。
[0017]圖10A、10B是表示第I實施方式的變形例I的配線基板的圖。
[0018]圖1lA?IlC是表示第I實施方式的變形例I的配線基板的制造步驟的圖(其1)0
[0019]圖12A、12B是表示第I實施方式的變形例I的配線基板的制造步驟的圖(其2)。
[0020]圖13A、13B是表示第I實施方式的變形例I的配線基板的制造步驟的圖(其3)。
[0021]圖14A、14B是表示第I實施方式的變形例2的配線基板的剖視圖。
[0022]圖15A、15B是表示第I實施方式的變形例3的配線基板的圖。
[0023]圖16A?16C表示變形例3的配線基板的制造步驟的圖。
[0024]圖17A、17B是表示第2實施方式的半導體封裝的圖。
[0025]圖18A、18B是表示第2實施方式的變形例I的半導體封裝的圖。
[0026]圖19A、19B是表示第2實施方式的變形例2的半導體封裝的圖。
[0027]圖20A、20B是表示第2實施方式的變形例3的半導體封裝的圖。
[0028]其中，附圖標記說明如下:
[0029]1、1A、1B、1C、1D 配線基板
[0030]Ix 切口部
[0031]10、150 基板
[0032]1x貫穿孔
[0033]20,70,190 粘結層
[0034]30A金屬層
[0035]31 ?33 配線
[0036]3IB ?33B 總線
[0037]39絕緣膜
[0038]41 ?45、43a、43b 電鍍膜
[0039]50貫穿配線
[0040]60,61 絕緣層
[0041]80散熱板
[0042]100、100A、100B、100C 半導體封裝
[0043]110半導體模塊
[0044]120半導體元件
[0045]130 焊錫
[0046]140密封樹脂
[0047]160 配線
[0048]170反射器
[0049]180接合線
【具體實施方式】
[0050]以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。需要說明的是，在各附圖中，對相同構成部分賦予相同符號，并有時省略重復的說明。
[0051]〈第I實施方式〉
[0052][第I實施方式的配線基板的構造]
[0053]首先，對第I實施方式的配線基板的構造進行說明。圖1A、IB是表示第I實施方式的配線基板的圖，圖1B是俯視圖，圖1A是沿圖1B的A-A線的剖視圖。
[0054]如圖1A、IB所示，配線基板I大體上具有基板10、粘結層20、配線31?33、電鍍膜41?45、貫穿配線50、絕緣層60、粘結層70、以及散熱板80。在配線基板I中，有時將包含基板10、粘結層20、配線31?33、電鍍膜41?45、及貫穿配線50的部分稱為配線部。換言之，配線基板I具有經(jīng)由粘結層70將配線部配置在散熱板80上的構造。但是，粘結層20為附加的要素，并不是必須的結構要素。
[0055]需要說明的是，在本實施方式中，為便于說明，以配線基板I的絕緣層60側為上側或一側，以散熱板80側為下側或另一側。另外，以各部位的絕緣層60側的面為上表面或一個面，以散熱板80側的面為下表面或另一個面。但是，配線基板I也可以在上下顛倒的狀態(tài)下使用，還可以以任意的角度來配置。另外，俯視觀察(平面視圖)是指從基板10的一個面的法線方向來觀察對象，俯視形狀(平面形狀)是指從基板10的一個面的法線方向來觀察對象的形狀。
[0056]在配線基板I中，作為基板10，例如可使用具有可撓性的絕緣樹脂薄膜。作為絕緣樹脂薄膜，例如可使用聚酰亞胺系樹脂制的薄膜(聚酰亞胺帶)、環(huán)氧系樹脂制的薄膜、或聚酯系樹脂制的薄膜等。但是，基板10并不限定于具有可撓性的絕緣樹脂薄膜，例如可使用FR4(Flame Retardant 4:阻燃劑4)規(guī)格的玻璃環(huán)氧樹脂制的基板等。基板10的厚度例如可設為25?75 μ m左右。
[0057]粘結層20被粘在基板10的一個面上，將配線31?33粘結在基板10上。作為粘結層20，例如可使用環(huán)氧系粘結劑或聚酰亞胺系粘結劑等絕緣性樹脂制的耐熱性粘結劑。粘結層20的厚度例如可設為5?15 μ m左右。
[0058]配線31?33是經(jīng)由粘結層20而設在基板10的一個面上的、電氣上相互獨立的配線。配線31及32是與發(fā)光元件等半導體元件的端子連接的配線。配線33是無助于發(fā)光元件等半導體元件的操作的散熱用的配線。配線33與貫穿基板10及粘結層20的貫穿配線50的一端連接。
[0059]對于在配線31?33上搭載半導體元件的方式后面將敘述。需要說明的是，對于配線31?33，為便于說明而賦予了不同符號，但如下所述，使用相同材料在相同步驟中形成。當無須特別地區(qū)別配線31?33時，將其稱為配線30。作為配線30的材料，例如可使用銅(Cu)等。配線30的厚度例如可設為12?35 μ m左右。
[0060]電鍍膜41?43分別設在配線31?33的上表面的從絕緣層60露出的部分上。需要說明的是，盡管在圖1A的剖面中未示出，但在配線31上存在作為一個外部連接端子的區(qū)域，在該區(qū)域上設有電鍍膜44。換言之，電鍍膜41與電鍍膜44導通。同樣地，在配線32上存在作為另一個外部連接端子的區(qū)域，在該區(qū)域上設有電鍍膜45。換言之，電鍍膜42與電鍍膜45導通。電鍍膜41?45例如可形成為細長形狀，并隔開預定的間隔排列設置。需要說明的是，對于電鍍膜41?45，為便于說明而賦予了不同符號，但如下所述，使用相同材料在相同步驟中形成。當無須特別地區(qū)別電鍍膜41?45時，將其稱為電鍍膜40。
[0061]作為電鍍膜40的材料，例如可使用Ni或Ni合金/Au或Au合金膜、Ni或Ni合金/Pd或Pd合金/Au或Au合金膜、Ni或Ni合金/Pd或Pd合金/Ag或Ag合金/Au或Au合金膜等。作為電鍍膜40的材料，例如可使用Ag或Ag合金膜、Ni或Ni合金/Ag或Ag合金膜、Ni或Ni合金/Pd或Pd合金/Ag或Ag合金膜等。需要說明的是，“AA/BB膜”意味著AA膜和BB膜在對象部分上以該順序層疊形成(3層以上的情況也同樣)。
[0062]電鍍膜40之中的Au或Au合金膜、Ag或Ag合金膜的膜厚優(yōu)選設為大于等于0.1 Um0電鍍膜40之中的Pd或Pd合金膜的膜厚優(yōu)選設為大于等于0.005 μ m。電鍍膜40之中的Ni或Ni合金膜的膜厚優(yōu)選設為大于等于0.5 μπι。
[0063]貫穿配線50是散熱用的配線，也被稱為熱過孔。換言之，貫穿配線50是在配線基板I上搭載有當發(fā)光元件等動作時發(fā)熱的元件時，作為使在動作時所發(fā)出的熱逃脫到散熱板80側的路徑的一部分的部分。在配線33的基板10側的面上，設有多個貫穿配線50，以填充沿厚度方向貫穿基板10和粘結層20的貫穿孔。通過在配線33的正下方設置多個貫穿配線50(在圖1Α、1Β的情況中，作為一個例子為12個)，從而能夠提高散熱性。
[0064]貫穿配線與配線33—體地形成。貫穿配線50的一端與配