確。因此，在此，以通過形成切口部Ix而從圖5A及圖5B的構(gòu)造體上除去的部分為總線31B、32B及33B，以在基板10上殘留的部分為配線31、32及33 (配線30)。
[0087]切口部Ix的平面形狀并不限定于矩形，也可以為半圓形、半橢圓形或其他更復(fù)雜的形狀?；?0等的切斷及切口部Ix的形成例如可通過沖壓加工、NC加工、激光加工等來進行。需要說明的是，在此步驟中，在俯視觀察時(平面視圖中)，配線30上的沿切口部Ix的內(nèi)壁面的區(qū)域從絕緣層60露出。具體來說，在配線30上所形成的電鍍膜40的沿切口部Ix的內(nèi)壁面的區(qū)域從絕緣層60露出。
[0088]在圖7A所示的步驟中，將在圖6A及圖6B所示的步驟中進行分割化的構(gòu)造體的基板10側(cè)，經(jīng)由粘結(jié)層70，固定在散熱板80上。由此，配線基板I完成。具體來說，例如在散熱板80上粘貼含有氧化鋁等填充劑的熱硬化性的環(huán)氧類粘結(jié)薄膜等而形成粘結(jié)層70，在粘結(jié)層70上配置被分割化的構(gòu)造體。接著，一邊加熱至預(yù)定的溫度一邊對所分割化的構(gòu)造體向散熱板80側(cè)加壓，使粘結(jié)層70硬化。粘結(jié)層70例如可以通過旋涂法，在散熱板80上涂布含有氧化鋁等填充劑的液狀或膏狀的熱硬化性的環(huán)氧類樹脂來形成。
[0089]需要說明的是，在自加壓到硬化的過程中，在切口部Ix內(nèi)粘結(jié)層70的一部分攀附上來，覆蓋切口部Ix的內(nèi)壁面的至少一部分。在圖7A中，粘結(jié)層70覆蓋從切口部Ix的內(nèi)壁面露出的基板10的端面，但也可以如圖7B的E部分所示，粘結(jié)層70連續(xù)地覆蓋從切口部Ix的內(nèi)壁面露出的基板10的端面和粘結(jié)層20的端面和配線30的端面?；蛘?，可以連續(xù)地覆蓋到電鍍膜40的端面。另外，如圖8A、8B的F部分所示，粘結(jié)層70可以連續(xù)地覆蓋從切口部Ix的內(nèi)壁面露出的基板10的端面和粘結(jié)層20的端面和配線30的端面和電鍍膜40的端面，并且在切口部Ix的周圍的未形成絕緣層60的粘結(jié)層20上延伸。此時，可以在配線30上(此時為電鍍膜40的上表面)延伸。需要說明的是，圖SB為俯視圖，圖8A為沿圖8B的A-A線的剖視圖。
[0090]關(guān)于粘結(jié)層70覆蓋切口部Ix的內(nèi)壁面的至少一部分的效果，如上所述。需要說明的是，粘結(jié)層70的攀附量可通過在散熱板80上形成的粘結(jié)層70的厚度和加壓條件來控制。所謂的加壓條件，例如是加壓時的溫度、壓力、以及加壓時間。
[0091]這樣一來，在第I實施方式的配線基板I中，粘結(jié)層70覆蓋切口部Ix的內(nèi)壁面的至少一部分。由此，與粘結(jié)層70僅與基板10的另一個面粘結(jié)的情況相比，能夠提高散熱板80與配線基板I的配線部之間的緊密性，能夠降低兩者剝離的可能性。當配線基板I在高溫環(huán)境和低溫環(huán)境中反復(fù)使用時，特別有效果。
[0092]另外，配線30的端面在切口部Ix的底部(在切口部Ix的內(nèi)壁面上最遠離配線基板I的外周側(cè)面的面)露出。由此，由于獲得配線30的端面與散熱板80之間的距離，因此能夠降低發(fā)生漏電的可能性。
[0093]但是，在圖6A、6B所示的步驟中，如圖9A所示，以殘留總線3IB、32B、及33B的一部分的方式設(shè)置切口部lx。然而，如圖9B所示，更優(yōu)選不殘留總線31B、32B、及33B而將其全部除去，使切口部Ix的底部(在切口部Ix的內(nèi)壁面上最遠離配線基板I的外周側(cè)面的面)與配線31、32及33的端面齊平。通過這樣，當使從切口部Ix的內(nèi)壁面露出的配線30(31、32及33)的端面不由粘結(jié)層70覆蓋而露出，將配線30的端面作為測試端子來使用時，從切口部Ix的內(nèi)壁面露出的配線30的角部變少，能夠降低發(fā)生漏電的風(fēng)險。
[0094]另外，如圖9C所示，也可以不殘留總線31B、32B及33B而將其全部除去，使切口部Ix的底部為曲面狀，并進一步以比配線30的端面更向內(nèi)側(cè)挖進的方式來形成。通過這樣，與圖9B的情況同樣，從切口部Ix的內(nèi)壁面露出的配線30的角部變少，能夠降低發(fā)生漏電的風(fēng)險。
[0095]需要說明的是，在圖9A?圖9C中，為了表示配線30與切口部Ix的位置關(guān)系，省略了其他結(jié)構(gòu)要素的圖示。另外，當僅將配線31及32作為測試端子使用時，不論配線33部分的切口部Ix的平面形狀為圖9A?圖9C任意一個均不影響效果。
[0096]另外，當粘結(jié)層70覆蓋配線30的端面時，由于能夠避免配線30的導(dǎo)電部分從配線部露出，因此能夠進一步降低發(fā)生漏電的風(fēng)險。
[0097]需要說明的是，當粘結(jié)層70未覆蓋從切口部Ix的內(nèi)壁面露出的配線30的端面時，可以將配線30的端面作為測試端子來使用。例如，如果在配線基板I上裝配發(fā)光元件并將發(fā)光元件的兩端子與配線31及32 (電鍍膜41及42)連接，使引腳接觸配線30的端面并施加預(yù)定電壓，則能夠?qū)Πl(fā)光元件的兩端子提供預(yù)定的電位差而執(zhí)行發(fā)光測試。另外，此時，由于不使引腳接觸作為外部連接端子的電鍍膜44及45即可完成，因此能夠排除損傷電鍍膜44及45的風(fēng)險。
[0098]<第I實施方式的變形例1>
[0099]在第I實施方式的變形例I中，表示出絕緣層的形狀與第I實施方式不同的配線基板的例子。需要說明的是，在第I實施方式的變形例I中，省略與已經(jīng)說明的實施方式相同結(jié)構(gòu)零件的說明。
[0100]圖10A、10B是表示第I實施方式的變形例I的配線基板的圖，圖1OB為平面圖，圖1OA為沿圖1OB的A-A線的剖視圖。如圖10AU0B所示，配線基板IA在將絕緣層60換成絕緣層61—點上與配線基板I (參見圖1A、1B)不同。絕緣層61以填充切口部Ix的方式，形成在除了電鍍膜40的形成部及粘結(jié)部20的外緣部以外的大致全部區(qū)域。需要說明的是，絕緣層61與絕緣層60僅其形狀不同，絕緣層61的材料可以設(shè)為與絕緣層60相同。絕緣層61例如可通過以下步驟來形成。
[0101]圖1lA?圖13B是表示第I實施方式的變形例I的配線基板的制造步驟的圖。需要說明的是，在第I實施方式的變形例I的配線基板的制造步驟的說明中所使用的剖視圖全部是對應(yīng)于圖1OA的剖視圖。
[0102]首先，在圖1lA所示的步驟中，與圖3A及圖3B所示的步驟相同，對金屬層30A進行圖案化，形成配線31?33、與配線31?33連接的總線31B?33B。
[0103]接著，在圖1lB所示的步驟中，用電鍍法在配線30上形成電鍍膜40。具體來說，例如在粘結(jié)層20上形成選擇性地露出配線30的上表面的預(yù)定部分(在圖1OA及1B中形成有電鍍膜40的部分)的抗蝕劑膜510。另外，將遮蔽膠帶520粘貼在基板10的另一個面?zhèn)蒛。接著，通過包括總線31B、32B及33B的供電路徑來進行電鍍，在從配線30的抗蝕劑膜510露出的部分的上表面上形成電鍍膜40。需要說明的是，電鍍膜40的材料及厚度等如上所述。接著，在圖1lC的步驟中，除去抗蝕劑膜510及遮蔽膠帶520。
[0104]接著，在圖12A及圖12B所示的步驟中(圖12B為俯視圖，圖12A為沿圖12B的A-A線的剖視圖)，在預(yù)定位置對基板10等進行切斷而分割化。此時，與圖6A、6B相同，設(shè)置貫穿基板10及粘結(jié)層20的切口部Ix并除去總線31B、32B及33B。配線30的端面在切口部Ix的底部(在切口部Ix的內(nèi)壁面上最遠離配線基板I的外周側(cè)面的面)露出。由此，由于可獲得配線30的端面與散熱板80之間的距離，因此能夠降低發(fā)生漏電的風(fēng)險。需要說明的是，切口部Ix的平面形狀并不限定于矩形，還可以為半圓形、半橢圓形或其他更復(fù)雜的形狀。
[0105]接著，在圖13A及圖13B所示的步驟(圖13B為俯視圖，圖13A為沿圖13B的A-A線的剖視圖)中，將圖12A及圖12B所示的步驟中所分割化的構(gòu)造體的基板10側(cè)，經(jīng)由粘結(jié)層70，固定在散熱板80上。此時，與圖7A所示的步驟相同，在切口部Ix內(nèi)攀附粘結(jié)層70的一部分，該粘結(jié)層70的一部分覆蓋切口部Ix的內(nèi)壁面的至少一部分。需要說明的是，在圖13A中，粘結(jié)層70覆蓋從切口部Ix的內(nèi)壁面露出的基板10的端面，但也可以以與圖7B及圖8A、8B相同的形態(tài)覆蓋。
[0106]之后，通過以填充切口部Ix的方式，在除了電鍍膜40的形成部及粘結(jié)層20的外緣部以外的大致全體區(qū)域上，利用絲網(wǎng)印刷法等來形成絕緣層61，從而制作圖10AU0B所示的配線基板1A。在第I實施方式的變形例I的配線基板IA的情況中，除了第I實施方式的配線基板I所起到的效果以外，還進一步起到以下效果。換言之，通過以填充切口部Ix的方式，在除了電鍍膜40的形成部及粘結(jié)層20的外緣部以外的大致全體區(qū)域上形成絕緣層61，從而能夠擴大反射發(fā)光元件所照射光的部分的面積，并能夠提高發(fā)光元件所照射光的利用效率。
[0107]<第I實施方式的變形例2>
[0108]在第I實施方式的變形例2中，表示出形成電鍍膜的區(qū)域與第I實施方式一部分不同的配線基板。需要說明的是，在第I實施方式的變形例2中，省略與已經(jīng)說明的實施方式相同的結(jié)構(gòu)零件的說明。
[0109]圖14A、14B是表示第I實施方式的變形例2的配線基板的剖視圖。如圖14A及圖14B所示的配線基板IB及IC所示，也可以將電鍍膜43分割成以預(yù)定距離排列的條狀(strip shape)的2個電鍍膜43a及43b (也參見圖18B)。在電鍍膜43a與電鍍膜43b之間形成絕緣層60或61，將兩者分割。但是，由于電鍍膜43a及電鍍膜43b均形成在配線33上，因此兩者電連接。
[0110]需要說明的是，配線基板IB例如可通過第I實施方式所示的方法來制造，配線基板IC例如可通過第I實施方式的變形例I所示的方法來制造。
[0111]通過這樣，也可以對應(yīng)于搭載在配線基板上的半導(dǎo)體元件(發(fā)光元件)，將電鍍膜43分割成2個電鍍膜43a及43b。
[0112]〈第I實施方式的變形例3>
[0113]在第I實施方式的變形例3的配線基板ID中，在配線30的端面及貫穿配線50的端面上形成絕緣膜39。需要說明的是，在第I實施方式的變形例3中，省略與已經(jīng)說明的實施方式相同的結(jié)構(gòu)零件的說明。