半導(dǎo)體封裝件及制法與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)暨半導(dǎo)體基板及制法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體封裝件及制法與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)暨半導(dǎo)體基板及制法，該半導(dǎo)體封裝件包括：封裝基板、以其主動(dòng)面覆晶結(jié)合至該封裝基板上的半導(dǎo)體組件、形成于該半導(dǎo)體組件的邊緣的止擋部、形成于該主動(dòng)面及止擋部上的絕緣層、以及形成于該封裝基板與該絕緣層之間的封裝材，其中，該絕緣層具有位于該止擋部上的凹部，使該絕緣層成為不連續(xù)結(jié)構(gòu)，且該凹部朝向該封裝基板，所以于信賴性測試時(shí)，若發(fā)生分層情況，該絕緣層的裂開部分至多裂至該凹部處，而不會(huì)裂至該主動(dòng)面的主要區(qū)域。
【專利說明】半導(dǎo)體封裝件及制法與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)暨半導(dǎo)體基板及制法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝件，尤指一種覆晶式半導(dǎo)體封裝件及其制法。
[0002]先前技術(shù)
[0003]隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品在型態(tài)上趨于輕薄短小，在功能上則逐漸邁入高性能、高功能、高速度化的研發(fā)方向。為滿足半導(dǎo)體裝置的高積集度(Integrat1n)以及微型化(Miniaturizat1n)需求,除傳統(tǒng)打線式(Wire bonding)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)外，也可藉由覆晶(Flip chip)方式，以提升布線密度。現(xiàn)有覆晶方式的芯片制程中，是將晶圓(由多個(gè)芯片所構(gòu)成)沿切割道切割以獲取多個(gè)芯片，其中，于切割前，于芯片表面上形成聚酰亞胺(Polyimide, PI)材的鈍化層(passivat1n layer),而由于鈍化層不易裁切,所以切割道上不會(huì)形成鈍化層，以避免切刀耗損。
[0004]如圖1A所示，現(xiàn)有覆晶式半導(dǎo)體封裝件I包括:一封裝基板14、一半導(dǎo)體組件10、一絕緣層12、以及形成于該封裝基板14與該絕緣層12之間的封裝材15。該半導(dǎo)體組件10具有相對的主動(dòng)面1a與非主動(dòng)面10b，該主動(dòng)面1a上具有多個(gè)電極墊100及位于邊緣處的密封部(seal ring)101 (如圖1B所示),并以該主動(dòng)面1a覆晶結(jié)合至該封裝基板14上，且該絕緣層12形成于該主動(dòng)面1a上并外露該些電極墊100，使該些電極墊100能藉由多個(gè)導(dǎo)電組件16電性連接該封裝基板14，又該封裝材15覆蓋該半導(dǎo)體組件10與該絕緣層12的側(cè)面。
[0005]然而，現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件I中，當(dāng)該半導(dǎo)體組件10于信賴性測試過程中，在該半導(dǎo)體組件10的四個(gè)角落的應(yīng)力較大，所以該封裝材15與該半導(dǎo)體組件10之間容易發(fā)生分層(delam)，且裂縫沿著該半導(dǎo)體組件10與該絕緣層12之間向內(nèi)延伸至該主動(dòng)面1a的電極墊100，如圖1B所示的絕緣層12’(虛線處)，導(dǎo)致產(chǎn)品良率降低。
[0006]因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的問題，實(shí)已成目前亟欲解決的課題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺失，本發(fā)明的主要目的為提供一種半導(dǎo)體封裝件及其制法與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)暨半導(dǎo)體基板及其制法，能提高產(chǎn)品良率。
[0008]本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的制法，其包括:提供一基板本體，該基板本體由多個(gè)半導(dǎo)體組件與切割部所構(gòu)成，各該半導(dǎo)體組件具有相對的主動(dòng)面與非主動(dòng)面，且各該半導(dǎo)體組件周圍的區(qū)域定義為該切割部；形成絕緣層于該基板本體上，以覆蓋該些半導(dǎo)體組件及該切割部；以及形成多個(gè)凹部于該絕緣層上。
[0009]本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體基板，其包括:一基板本體，其由多個(gè)半導(dǎo)體組件與切割部所構(gòu)成，各該半導(dǎo)體組件具有相對的主動(dòng)面與非主動(dòng)面，且各該半導(dǎo)體組件周圍的區(qū)域定義為該切割部；以及絕緣層，其形成于該基板本體上，以覆蓋該些半導(dǎo)體組件及該切割部，且該絕緣層具有多個(gè)凹部。
[0010]前述半導(dǎo)體基板及其制法中，還包括形成多個(gè)切割槽于對應(yīng)該切割部的絕緣層上，且該切割槽的寬度大于該凹部的寬度。例如，該切割部上具有兩個(gè)該凹部，且該切割槽位于該兩凹部之間。
[0011]前述半導(dǎo)體基板及其制法中，該凹部位于該主動(dòng)面上，例如，該凹部位于該主動(dòng)面上、或者該切割槽位于任二相鄰的該半導(dǎo)體組件上的凹部之間。
[0012]前述半導(dǎo)體基板及其制法中，該凹部位于該切割部上，例如，該凹部外露該切割部、或者該凹部延伸至該切割部中。
[0013]本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體封裝件的制法，其包括:提供一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含半導(dǎo)體組件、止擋部及絕緣層，該半導(dǎo)體組件具有相對的主動(dòng)面與非主動(dòng)面，該主動(dòng)面上具有多個(gè)電極墊，且該止擋部形成于該半導(dǎo)體組件的邊緣，而該絕緣層形成于該主動(dòng)面及止擋部上并外露該些電極墊，又該絕緣層具有至少一凹部；將該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以其主動(dòng)面結(jié)合至一封裝基板上；以及形成封裝材于該封裝基板與該絕緣層之間。
[0014]前述半導(dǎo)體封裝件的制法中，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制程包括:提供一基板本體，該基板本體由該些半導(dǎo)體組件與切割部所構(gòu)成，且各該半導(dǎo)體組件周圍的區(qū)域定義為該切割部；形成該絕緣層于該基板本體上，以覆蓋該些半導(dǎo)體組件及該切割部；形成該些凹部于該絕緣層上，且于該切割部上的絕緣層上具有至少二該凹部；沿該切割部進(jìn)行切割，以分離各該半導(dǎo)體組件，且該半導(dǎo)體組件邊緣上具有部分該切割部，以令該半導(dǎo)體組件邊緣上的切割部作為該止擋部。
[0015]前述的兩種制法中，該些凹部以激光方式形成的或以曝光、顯影方式形成。
[0016]本發(fā)明又提供一種半導(dǎo)體封裝件，包括:封裝基板；半導(dǎo)體組件，其具有相對的主動(dòng)面與非主動(dòng)面，該主動(dòng)面上具有多個(gè)電極墊，并以該主動(dòng)面結(jié)合至該封裝基板上；止擋部，其形成于該半導(dǎo)體組件的邊緣；絕緣層，其形成于該主動(dòng)面及止擋部上并外露該些電極墊，且該絕緣層具有至少一凹部；以及封裝材，其形成于該封裝基板與該絕緣層之間。
[0017]本發(fā)明另提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括:半導(dǎo)體組件，其具有相對的主動(dòng)面與非主動(dòng)面，該主動(dòng)面上具有多個(gè)電極墊；止擋部，其形成于該半導(dǎo)體組件的邊緣；以及絕緣層，其形成于該主動(dòng)面及止擋部上并外露該些電極墊，且該絕緣層具有至少一凹部。
[0018]前述半導(dǎo)體封裝件及其制法中，該凹部朝向該封裝基板。
[0019]前述半導(dǎo)體封裝件及其制法中，該些電極墊藉由導(dǎo)電組件電性連接該封裝基板。
[0020]前述半導(dǎo)體封裝件及其制法與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，該止擋部為半導(dǎo)體材質(zhì)，例如，該止擋部與該半導(dǎo)體組件為一體成形的構(gòu)造。
[0021]前述半導(dǎo)體封裝件及其制法與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，該凹部位于該主動(dòng)面上，例如，該凹部外露該主動(dòng)面。
[0022]前述半導(dǎo)體封裝件及其制法與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，該凹部位于該止擋部上，例如，該凹部外露該止擋部、或者該凹部延伸至該止擋部中。
[0023]另外，前述的構(gòu)造與制法中，該凹部為連續(xù)線形或環(huán)形。
[0024]由上可知，本發(fā)明的構(gòu)造與制法藉由該凹部的設(shè)計(jì)，使該止擋部上的絕緣層部分與該半導(dǎo)體組件上的絕緣層部分互為不連續(xù)結(jié)構(gòu)，所以于信賴性測試時(shí)，若該封裝材與半導(dǎo)體組件之間發(fā)生分層(delam)時(shí)，該絕緣層的裂縫僅會(huì)裂至該凹部，而不會(huì)延伸至該主動(dòng)面布設(shè)電極墊之處，因而能提高產(chǎn)品良率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1A為現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件的剖視示意圖；其中，圖1B為圖1A的局部放大圖；
[0026]圖2A至圖2D為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法的剖視示意圖；其中，圖2B’為圖2B的另一實(shí)施例，圖2B”為本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的底視不意圖，圖2E為圖2D的局部放大圖，圖2E’及圖2E”為圖2E的其它實(shí)施例；以及
[0027]圖3A及圖3B為圖2B”的其它實(shí)施例。
[0028]符號(hào)說明
[0029]I, 2半導(dǎo)體封裝件
[0030]10, 20半導(dǎo)體組件
[0031]10a, 20a主動(dòng)面
[0032]10b, 20b非主動(dòng)面
[0033]100, 200電極墊
[0034]101, 201密封部
[0035]12，12，，22，22，，22a, 22b 絕緣層
[0036]14，24封裝基板
[0037]15，25封裝材
[0038]16, 26導(dǎo)電組件
[0039]2a基板本體
[0040]2a’半導(dǎo)體基板
[0041]2b半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
[0042]20c側(cè)面
[0043]21切割部
[0044]220，220，，220”，320，320，凹部
[0045]221切割槽
[0046]222開孔
[0047]23止擋部
[0048]r, w寬度
[0049]S切割路徑。

【具體實(shí)施方式】
[0050]以下藉由特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0051]須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說明書中所引用的如“上”、“頂面”、“第一”、“第二”及“一”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。
[0052]圖2A至圖2C為本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2b的制法的剖面示意圖。
[0053]圖2B”為本發(fā)明的半導(dǎo)體基板2a’的底視示意圖。
[0054]圖2A至圖2D為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件2的制法的剖面示意圖。
[0055]如圖2A所示，提供一基板本體2a，該基板本體2a由多個(gè)半導(dǎo)體組件20與切割部21所構(gòu)成，且各該半導(dǎo)體組件20周圍的區(qū)域定義為該切割部21。
[0056]于本實(shí)施例中，該基板本體2a例如為硅晶圓，且各該半導(dǎo)體組件20具有相對的主動(dòng)面20a與非主動(dòng)面20b，該主動(dòng)面20a上具有多個(gè)電極墊200。
[0057]此外，該半導(dǎo)體組件20的主動(dòng)面20a于近邊緣處形成有一密封部(seal ring)201，如圖2B”所示。
[0058]又，該切割部21未電性連接該半導(dǎo)體組件20。
[0059]如圖2B所示，形成一絕緣層22于該基板本體2a上，以覆蓋該些半導(dǎo)體組件20的主動(dòng)面20a及該切割部21。接著，形成多個(gè)凹部220于該絕緣層22上，具體地，于該切割部21上的絕緣層22具有至少二該凹部220，且該凹部220外露該切割部21的部分表面。
[0060]于本實(shí)施例中，該絕緣層22為鈍化層(passivat1n layer),其材質(zhì)例如為聚酰亞胺(Polyimide, PI)、苯并環(huán)丁烯(Benezocy-clobutene, BCB)或聚對二唑苯(Polybenzoxazole, ΡΒ0)，且藉由多個(gè)開孔222外露該些電極墊200。
[0061]此外，該些凹部220以激光方式或以曝光、顯影方式形成，且該凹部220可為連續(xù)線形(如圖3A所示的直線形凹部320)或環(huán)形(如圖3B所示的沿該主動(dòng)面20a內(nèi)側(cè)的環(huán)形凹部320’)。
[0062]又，于另一實(shí)施例中，該凹部220’也可位于該主動(dòng)面20a上，以外露部分該主動(dòng)面20a，如圖2B，所示。
[0063]另外，如圖2B所示，于進(jìn)行切割作業(yè)時(shí)，沿該兩凹部220之間的切割路徑S進(jìn)行切害I]?；蛘?，如圖2B”所示，于該兩凹部220之間可選擇性形成一寬度r大于該凹部220的寬度w的切割槽221 (r > W)，以制成本發(fā)明所述的半導(dǎo)體基板2a’，所以于切割時(shí)，沿該切割槽221切割該基板本體2a，以分離各該半導(dǎo)體組件20。在此需說明，于圖2B”、圖3A、圖3B中，省略該主動(dòng)面20a上的絕緣層22，以顯示該密封部201，且以斜線表示該切割槽221與該凹部220。
[0064]于本發(fā)明的半導(dǎo)體基板2a’的其它實(shí)施例中，當(dāng)該凹部220’位于該主動(dòng)面20a上時(shí)，該切割槽221位于任二相鄰的該半導(dǎo)體組件20上的凹部220’之間。
[0065]如圖2C所示，其為接續(xù)圖2B的制程，進(jìn)行切單制程，沿該切割路徑S (或切割槽221)切割該切割部21，以分離各該半導(dǎo)體組件20，且該半導(dǎo)體組件20邊緣上具有部分該切割部21，以令該半導(dǎo)體組件20邊緣上的切割部21作為止擋部23，使該凹部220位于該止擋部23上。
[0066]于本實(shí)施例中，該半導(dǎo)體組件20、止擋部23及絕緣層22構(gòu)成一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2b，且該半導(dǎo)體組件20定義有接合該主動(dòng)面20a與非主動(dòng)面20b的側(cè)面20c，使該止擋部23定義為形成于該半導(dǎo)體組件20的側(cè)面20c上。
[0067]此外，該止擋部23為半導(dǎo)體材質(zhì)，且該止擋部23與該半導(dǎo)體組件20為一體成形的構(gòu)造，也就是該止擋部23為由該半導(dǎo)體組件20的側(cè)面20c向外延伸的結(jié)構(gòu)。
[0068]又，該凹部220外露該止擋部23。
[0069]如圖2D所示，將該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2b以其主動(dòng)面20a覆晶結(jié)合至一封裝基板24上，令該絕緣層22的凹部220朝向該封裝基板24。接著，形成封裝材25于該封裝基板24與該絕緣層22之間。
[0070]于本實(shí)施例中，該些電極墊200藉由多個(gè)導(dǎo)電組件26電性連接該封裝基板24，其中，該導(dǎo)電組件26的制程步驟可依需求作安排，例如，切單制程前或切單制程后。
[0071]此外,該封裝材25為底膠(underfill)或封裝膠體(molding compound)。
[0072]又，如圖2E所示，該凹部220位于該密封部201的外圍，例如，位于該止擋部23上。于其它實(shí)施例中，該凹部220’也可位于該密封部201的內(nèi)側(cè)，如圖2E’所示的位于該主動(dòng)面20a上。
[0073]另外，如圖2E”所示，該凹部220”延伸至該止擋部23中。具體地，若以激光方式燒灼該絕緣層22，該凹部220”將燒灼至該硅板內(nèi)部而產(chǎn)生粗糙面，所以將提升該封裝材25與該止擋部23的結(jié)合力。因此，若以激光方式形成凹部220”，該凹部220”的較佳深度為延伸至該止擋部23中。
[0074]本發(fā)明的制法藉由該凹部220，220’的設(shè)計(jì)，以于切單后，每一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2b表面的絕緣層22具有凹部220，220’，且該凹部220，220’位于該止擋部23上或該主動(dòng)面20a上(或該密封部201之外或之內(nèi))，使該止擋部23上的絕緣層22a部分與該半導(dǎo)體組件20上的絕緣層22b部分互為不連續(xù)結(jié)構(gòu)(如圖2E及圖2E’所示)，所以于進(jìn)行覆晶封裝制程時(shí)，能使該封裝材25包覆該半導(dǎo)體組件20上的絕緣層22b的側(cè)面。因此，于信賴性測試時(shí)，若該封裝材25與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2b之間發(fā)生分層(delam)時(shí)，如圖2E所示的絕緣層22’(虛線處)，裂縫將裂至該凹部220，220’即停止，而不會(huì)向內(nèi)延伸至該半導(dǎo)體組件20的主動(dòng)面20a的主要區(qū)域(如該電極墊200的位置)。
[0075]本發(fā)明的半導(dǎo)體基板2a’包括:由多個(gè)半導(dǎo)體組件20所構(gòu)成的一基板本體2a、以及形成于該基板本體2a上的一絕緣層22。
[0076]所述的基板本體2a的各該半導(dǎo)體組件20具有相對的主動(dòng)面20a與非主動(dòng)面20b，且各該半導(dǎo)體組件20周圍的區(qū)域定義為切割部21。
[0077]所述的絕緣層22覆蓋該些半導(dǎo)體組件20及該些切割部21，且具有多個(gè)凹部220。
[0078]于一實(shí)施例中，該絕緣層22還具有對應(yīng)該切割部21的多個(gè)切割槽221，且該切割槽221的寬度r大于該凹部220的寬度W。例如，該切割部21上具有兩個(gè)該凹部220，且該切割槽221位于該兩凹部220之間?；蛘撸摪疾?20’，320，320’位于該主動(dòng)面20a上，該切割槽221位于任二相鄰的該半導(dǎo)體組件20上的凹部220’之間。
[0079]本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2b包括:一半導(dǎo)體組件20、一止擋部23以及一絕緣層22。
[0080]此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件2包括:一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2b、一封裝基板24以及一封裝材25。
[0081]所述的半導(dǎo)體組件20具有相對的主動(dòng)面20a與非主動(dòng)面20b,該主動(dòng)面20a上具有多個(gè)電極墊200，并以該主動(dòng)面20a覆晶結(jié)合至該封裝基板24上，且該些電極墊200藉由多個(gè)導(dǎo)電組件26電性連接該封裝基板24。
[0082]所述的止擋部23形成于該半導(dǎo)體組件20的邊緣上，且該止擋部23為半導(dǎo)體材質(zhì)并與該半導(dǎo)體組件20為一體成形的構(gòu)造。
[0083]所述的絕緣層22形成于該主動(dòng)面20a及止擋部23上并外露該些電極墊200，該絕緣層22具有至少一凹部220，220’，且該凹部220，220’朝向該封裝基板24。
[0084]所述的封裝材25形成于該封裝基板24與該主動(dòng)面20a (或該絕緣層22)之間。
[0085]于一實(shí)施例中，該凹部220，220”位于該止擋部23上，例如，該凹部220外露該止擋部23、或者該凹部220”延伸至該止擋部23中。
[0086]于一實(shí)施例中，該凹部220’，320，320’位于該主動(dòng)面20a上，例如，該凹部220’外露該主動(dòng)面20a。
[0087]于一實(shí)施例中，該凹部320，320’可為連續(xù)線形或環(huán)形。
[0088]綜上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件及其制法，主要藉由該凹部的設(shè)計(jì)，使該絕緣層成為不連續(xù)結(jié)構(gòu)，所以于信賴性測試時(shí)，若發(fā)生分層情況，該絕緣層的裂縫至多裂至該凹部的位置，而不會(huì)向內(nèi)延伸至該半導(dǎo)體組件的主動(dòng)面的電極墊，以達(dá)到提高產(chǎn)品良率的目的。
[0089]上述實(shí)施例僅用以例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書所列。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體基板，其包括: 一基板本體，其由多個(gè)半導(dǎo)體組件與切割部所構(gòu)成，各該半導(dǎo)體組件具有相對的主動(dòng)面與非主動(dòng)面，且各該半導(dǎo)體組件周圍的區(qū)域定義為該切割部；以及 絕緣層，其形成于該基板本體上，以覆蓋該些半導(dǎo)體組件及該切割部，且該絕緣層具有多個(gè)凹部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該絕緣層還具有對應(yīng)該切割部的多個(gè)切割槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該切割槽的寬度大于該凹部的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該切割部上具有兩個(gè)該凹部，且該切割槽位于該兩凹部之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該凹部為連續(xù)線形或環(huán)形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該凹部位于該主動(dòng)面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該絕緣層還具有對應(yīng)該切割部的多個(gè)切割槽，且該切割槽位于任二相鄰的該半導(dǎo)體組件上的凹部之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該凹部外露該主動(dòng)面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該凹部位于該切割部上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該凹部外露該切割部。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該凹部延伸至該切割部中。
12.—種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其包括: 半導(dǎo)體組件，其具有相對的主動(dòng)面與非主動(dòng)面，該主動(dòng)面上具有多個(gè)電極墊； 止擋部，其形成于該半導(dǎo)體組件的邊緣；以及 絕緣層，其形成于該主動(dòng)面及止擋部上并外露該些電極墊，且該絕緣層具有至少一凹部。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該止擋部與該半導(dǎo)體組件為一體成形的構(gòu)造。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該止擋部為半導(dǎo)體材質(zhì)。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該凹部為連續(xù)線形或環(huán)形。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該凹部位于該主動(dòng)面上。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該凹部外露該主動(dòng)面。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該凹部位于該止擋部上。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該凹部外露該止擋部。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該凹部延伸至該止擋部中。
21.一種半導(dǎo)體封裝件，其包括: 封裝基板； 半導(dǎo)體組件，其具有相對的主動(dòng)面與非主動(dòng)面，該主動(dòng)面上具有多個(gè)電極墊，并以該主動(dòng)面結(jié)合至該封裝基板上； 止擋部，其形成于該半導(dǎo)體組件的邊緣； 絕緣層，其形成于該主動(dòng)面及止擋部上并外露該些電極墊，且該絕緣層具有至少一凹部；以及 封裝材，其形成于該封裝基板與該絕緣層之間。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該些電極墊藉由導(dǎo)電組件電性連接該封裝基板。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該止擋部與該半導(dǎo)體組件為一體成形的構(gòu)造。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該止擋部為半導(dǎo)體材質(zhì)。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該凹部朝向該封裝基板。
26.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該凹部為連續(xù)線形或環(huán)形。
27.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該凹部位于該主動(dòng)面上。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該凹部外露該主動(dòng)面。
29.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該凹部位于該止擋部上。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該凹部外露該止擋部。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該凹部延伸至該止擋部中。
32.—種半導(dǎo)體基板的制法，其包括: 提供一基板本體，該基板本體由多個(gè)半導(dǎo)體組件與切割部所構(gòu)成，各該半導(dǎo)體組件具有相對的主動(dòng)面與非主動(dòng)面，且各該半導(dǎo)體組件周圍的區(qū)域定義為該切割部； 形成絕緣層于該基板本體上，以覆蓋該些半導(dǎo)體組件及該切割部；以及 形成多個(gè)凹部于該絕緣層上。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的半導(dǎo)體基板的制法，其特征在于，該制法還包括形成多個(gè)切割槽于對應(yīng)該切割部的絕緣層上。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的半導(dǎo)體基板的制法，其特征在于，該切割槽的寬度大于該凹部的寬度。
35.根據(jù)權(quán)利要求33所述的半導(dǎo)體基板的制法，其特征在于，該切割部上具有兩個(gè)該凹部，且該切割槽位于該兩凹部之間。
36.根據(jù)權(quán)利要求32所述的半導(dǎo)體基板的制法，其特征在于，該凹部為連續(xù)線形或環(huán)形。
37.根據(jù)權(quán)利要求32所述的半導(dǎo)體基板的制法，其特征在于，該凹部位于該主動(dòng)面上。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的半導(dǎo)體基板的制法，其特征在于，該絕緣層還具有對應(yīng)該切割部的多個(gè)切割槽，且該切割槽位于任二相鄰的該半導(dǎo)體組件上的凹部之間。
39.根據(jù)權(quán)利要求37所述的半導(dǎo)體基板的制法，其特征在于，該凹部外露該主動(dòng)面。
40.根據(jù)權(quán)利要求32所述的半導(dǎo)體基板的制法，其特征在于，該凹部位于該切割部上。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的半導(dǎo)體基板的制法，其特征在于，該凹部外露該切割部。
42.根據(jù)權(quán)利要求40所述的半導(dǎo)體基板的制法，其特征在于，該凹部延伸至該切割部中。
43.根據(jù)權(quán)利要求32所述的半導(dǎo)體基板的制法，其特征在于，該些凹部以激光方式形成。
44.根據(jù)權(quán)利要求32所述的半導(dǎo)體基板的制法，其特征在于，該些凹部以曝光、顯影方式形成。
45.一種半導(dǎo)體封裝件的制法，其包括: 提供一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含半導(dǎo)體組件、止擋部及絕緣層，該半導(dǎo)體組件具有相對的主動(dòng)面與非主動(dòng)面，該主動(dòng)面上具有多個(gè)電極墊，且該止擋部形成于該半導(dǎo)體組件的邊緣，而該絕緣層形成于該主動(dòng)面及止擋部上并外露該些電極墊，又該絕緣層具有至少一凹部； 將該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以其主動(dòng)面結(jié)合至一封裝基板上；以及 形成封裝材于該封裝基板與該絕緣層之間。
46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制程包括: 提供一基板本體，該基板本體由該些半導(dǎo)體組件與切割部所構(gòu)成，且各該半導(dǎo)體組件周圍的區(qū)域定義為該切割部； 形成該絕緣層于該基板本體上，以覆蓋該些半導(dǎo)體組件及該切割部； 形成該些凹部于該絕緣層上； 沿該切割部進(jìn)行切割，以分離各該半導(dǎo)體組件，且該半導(dǎo)體組件邊緣上具有部分該切割部，以令該半導(dǎo)體組件邊緣上的切割部作為該止擋部。
47.根據(jù)權(quán)利要求45所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該止擋部與該半導(dǎo)體組件為一體成形的構(gòu)造。
48.根據(jù)權(quán)利要求45所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該止擋部為半導(dǎo)體材質(zhì)。
49.根據(jù)權(quán)利要求45所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該凹部朝向該封裝基板。
50.根據(jù)權(quán)利要求45所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該凹部為連續(xù)線形或環(huán)形。
51.根據(jù)權(quán)利要求45所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該凹部位于該主動(dòng)面上。
52.根據(jù)權(quán)利要求51所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該凹部外露該主動(dòng)面。
53.根據(jù)權(quán)利要求45所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該凹部位于該止擋部上。
54.根據(jù)權(quán)利要求53所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該凹部外露該止擋部。
55.根據(jù)權(quán)利要求53所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該凹部延伸至該止擋部中。
56.根據(jù)權(quán)利要求45所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該些凹部以激光方式形成。
57.根據(jù)權(quán)利要求45所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該些凹部以曝光、顯影方式形成。
58.根據(jù)權(quán)利要求45所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該些電極墊藉由導(dǎo)電組件電性連接該封裝基板。
【文檔編號(hào)】H01L21/56GK104282633SQ201310308308
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2013年7月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月1日
【發(fā)明者】林長甫, 姚進(jìn)財(cái), 莊旻錦, 劉科宏, 黃富堂 申請人:矽品精密工業(yè)股份有限公司