半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)及制法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)及制法，該制法包括將半導(dǎo)體組件接置于承載件上；再形成封裝膠體于該承載件上；之后形成貫通該封裝膠體的至少一穿孔；接著形成空心的導(dǎo)電通孔于該穿孔中，且同時(shí)形成線路層于該半導(dǎo)體組件的主動(dòng)面與該封裝膠體上；再形成第一絕緣保護(hù)層于該線路層上；最后移除該承載件。借由一次性地形成導(dǎo)電通孔與線路層，省略傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝件中的重布線路工藝以及化學(xué)機(jī)械研磨工藝，能大幅提升封裝件的生產(chǎn)效率。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)及制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝件及其制法，特別是關(guān)于一種可應(yīng)用于立體封裝的晶圓級(jí)半導(dǎo)體封裝件及其制法。
【背景技術(shù)】
[0002]晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Packaging, WLP)為一種半導(dǎo)體封裝方式,其于整片晶圓生產(chǎn)完成后，直接在晶圓上進(jìn)行封裝測(cè)試，完成之后才切割制成單顆尺寸與半導(dǎo)體芯片相仿的WLP封裝件，不須經(jīng)過(guò)打線或填膠，具有較小的封裝尺寸與良好的電性表現(xiàn)，更可符合現(xiàn)今電子組件的微小化(miniaturization)的需求。
[0003]傳統(tǒng)的WLP封裝件多采用扇入(Fan in)型態(tài)，但伴隨著半導(dǎo)體組件信號(hào)輸入/輸出的接腳數(shù)目增加，對(duì)球距要求趨于嚴(yán)格，加上部分組件對(duì)于封裝后尺寸以及信號(hào)輸出腳位元位置的調(diào)整需求，因此變化衍生出扇出(Fan out)，或是扇入及扇出相互運(yùn)用等各式新型WLP封裝型態(tài)，此外，為了因應(yīng)半導(dǎo)體組件的電路密度持續(xù)增加，且封裝體積逐漸縮小的趨勢(shì)，更借由結(jié)合導(dǎo)電娃穿孔(Through Silicon Via, TSV)或?qū)щ娡?Pin ThroughHole, PTH)的設(shè)計(jì)，以完成積集度更高的立體晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)(3D WLP)。
[0004]如圖1A所示，現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件I的制法中，先于包含有半導(dǎo)體組件10的封裝膠體12中形成穿孔120。
[0005]再如圖1B所示，于穿孔120中電鍍形成導(dǎo)電通孔15。
[0006]然后如圖1C所示，依序形成介電層16、線路層17以及絕緣保護(hù)層18。
[0007]然而,在形成導(dǎo)電通孔時(shí)，上下表面會(huì)有過(guò)載(overburden)的情況發(fā)生，同時(shí)在半導(dǎo)體組件所外露的電性接觸墊上也會(huì)形成有金屬，因此必須以化學(xué)機(jī)械研磨(ChemicalMechanical Polishing，CMP)將突出的金屬磨平，并移除電性接觸墊上的金屬層，以避免電性接觸墊之間短路，此種利用CMP工藝的半導(dǎo)體封裝件的制法成本較高。再者，后續(xù)工藝還需要形成介電層之后才能形成線路層，也提高制作成本。
[0008]因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的種種問(wèn)題，實(shí)已成目前亟欲解決的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)及制法，可省略傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝件中的重布線路工藝以及化學(xué)機(jī)械研磨工藝，能大幅提升封裝件的生產(chǎn)效率。
[0010]本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法包括:將具有主動(dòng)面與非主動(dòng)面的半導(dǎo)體組件以該非主動(dòng)面接置于承載件上；形成封裝膠體于該承載件上，以包覆該半導(dǎo)體組件的側(cè)面，其中，該封裝膠體具有第一表面與相對(duì)的第二表面；形成貫通該封裝膠體的至少一穿孔；形成空心的導(dǎo)電通孔于該穿孔中，且同時(shí)形成線路層于該外露的半導(dǎo)體組件的主動(dòng)面與該封裝膠體的第一表面上；形成第一絕緣保護(hù)層于該線路層上，且該第一絕緣保護(hù)層填入該空心的導(dǎo)電通孔內(nèi)；以及移除該承載件。[0011]前述的半導(dǎo)體封裝件的制法中，該封裝膠體的第一表面可與該半導(dǎo)體組件的主動(dòng)面齊平。
[0012]前述的半導(dǎo)體封裝件的制法中，于形成貫通該封裝膠體的至少一穿孔后，還包括形成圖案化阻層于該半導(dǎo)體組件的主動(dòng)面與該封裝膠體的第一表面上，并外露出部分該半導(dǎo)體組件的主動(dòng)面與該封裝膠體的第一表面，再于形成空心的導(dǎo)電通孔于該穿孔中及形成線路層于該外露的半導(dǎo)體組件的主動(dòng)面與該封裝膠體的第一表面上之后，移除該圖案化阻層。
[0013]前述的半導(dǎo)體封裝件的制法中，于形成貫通該封裝膠體的至少一穿孔后，還包括于形成圖案化阻層之前，先于該半導(dǎo)體組件的主動(dòng)面與該封裝膠體的第一表面上及該穿孔中形成晶種層，且形成該晶種層與該線路層的材料可為銅。
[0014]前述的半導(dǎo)體封裝件的制法中，形成該穿孔的方式可為激光鉆孔，且該第一絕緣保護(hù)層可為干膜，再以壓合的方式將該干膜壓入該空心的導(dǎo)電通孔內(nèi)。
[0015]前述的半導(dǎo)體封裝件的制法中，于形成該第一絕緣保護(hù)層于該線路層上之后，在移除該承載件之前，還包括于該第一絕緣保護(hù)層上形成多個(gè)第一開孔，以外露部分的該線路層，之后，于該開孔中形成導(dǎo)電組件，其中，該導(dǎo)電組件可為焊錫凸塊或銅柱。
[0016]前述的半導(dǎo)體封裝件的制法中，于該第一絕緣保護(hù)層上形成該多個(gè)第一開孔之后，還包括于該封裝膠體的第二表面上形成線路重布層；以及于該線路重布層上形成具有多個(gè)第二開孔的第二絕緣保護(hù)層。
[0017]本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體封裝件結(jié)構(gòu)，其包括:半導(dǎo)體組件，其具有相對(duì)的主動(dòng)面與非主動(dòng)面；封裝膠體，其包覆該半導(dǎo)體組件的側(cè)面，且該封裝膠體具有第一表面與相對(duì)的第二表面；至少一穿孔，其形成于該封裝膠體中且貫通該封裝膠體；空心的導(dǎo)電通孔，其形成于該穿孔中；線路層，其形成于該半導(dǎo)體組件的主動(dòng)面與該封裝膠體的第一表面上，且該線路層電性連接該空心的導(dǎo)電通孔；以及第一絕緣保護(hù)層，其形成于該線路層上，且該第一絕緣保護(hù)層填入該空心的導(dǎo)電通孔內(nèi)。
[0018]前述的半導(dǎo)體封裝件結(jié)構(gòu)中，該封裝膠體的第一表面可與該半導(dǎo)體組件的主動(dòng)面齊平，且該封裝膠體的第二表面可與該半導(dǎo)體組件的非主動(dòng)面齊平。
[0019]前述的半導(dǎo)體封裝件結(jié)構(gòu)中，還包括形成于該線路層與封裝膠體之間、線路層與半導(dǎo)體組件之間及空心的導(dǎo)電通孔與封裝膠體之間的晶種層。
[0020]前述的半導(dǎo)體封裝件結(jié)構(gòu)中，該第一絕緣保護(hù)層可為干膜，且該第一絕緣保護(hù)層具有外露部分該線路層的多個(gè)第一開孔，又該半導(dǎo)體封裝件還包括導(dǎo)電組件，可形成于該第一開孔中，以電性連接該線路層。
[0021]前述的半導(dǎo)體封裝件結(jié)構(gòu)中，還可包括線路重布層，其形成于該封裝膠體的第二表面上；以及具有多個(gè)第二開孔的第二絕緣層，其形成于該線路重布層上。
[0022]由上可知，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件結(jié)構(gòu)及其制法，其借由先于封裝膠體中形成穿孔，再一次性的形成導(dǎo)電通孔與線路層，省略傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝件中先形成絕緣保護(hù)層的重布線路工藝以及CMP工藝，故相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法能有效節(jié)省工藝步驟，以大幅提升封裝件的生產(chǎn)效率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】[0023]圖1A至圖1C為現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件的制法的剖面示意圖；以及
[0024]圖2A至圖21’為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法的剖面示意圖；其中，圖2A至圖2H為第一實(shí)施例，圖2H’至圖21’為另一實(shí)施例。
[0025]主要組件符號(hào)說(shuō)明
[0026]1,2，2’半導(dǎo)體封裝件
[0027]10, 20 半導(dǎo)體組件
[0028]12，22 封裝膠體
[0029]120，220 穿孔
[0030]15導(dǎo)電通孔
[0031]16介電層
[0032]17線路層
[0033]18絕緣保護(hù)層
[0034]20a主動(dòng)面
[0035]20b非主動(dòng)面
[0036]201電性接觸墊
[0037]21承載件`
[0038]21’ 第二承載件
[0039]22a 第一表面
[0040]22b第二表面
[0041]23晶種層
[0042]24圖案化阻層
[0043]25空心的導(dǎo)電通孔
[0044]26線路層
[0045]27第一絕緣保護(hù)層
[0046]270第一開孔
[0047]27’ 第二絕緣保護(hù)層
[0048]270’ 第二開孔
[0049]28 導(dǎo)電組件
[0050]29 線路重布層
[0051]290 介電層
[0052]291 導(dǎo)電盲孔
[0053]292 第二線路層。
【具體實(shí)施方式】
[0054]以下借由特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，熟知本領(lǐng)域技術(shù)的人員可由本說(shuō)明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0055]須知，本說(shuō)明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說(shuō)明書所揭示的內(nèi)容，以供熟知本領(lǐng)域技術(shù)的人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說(shuō)明書中所引用的如“上”、“下”及“一”等用語(yǔ)，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無(wú)實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。
[0056]請(qǐng)參閱圖2A至圖2H，其為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件2的制法的剖面示意圖。
[0057]如圖2A所示，將具有主動(dòng)面20a與非主動(dòng)面20b的半導(dǎo)體組件20以該非主動(dòng)面20b接置于承載件21上，其中，該主動(dòng)面上可具有電性接觸墊201。
[0058]于本實(shí)施例中，該半導(dǎo)體組件20為半導(dǎo)體芯片，且該承載件21的材質(zhì)為玻璃纖維板(FR4)、玻璃或金屬。
[0059]如圖2B所示，形成封裝膠體22于該承載件21上，以包覆該半導(dǎo)體組件20的側(cè)面，其中，該封裝膠體22具有與該半導(dǎo)體組件20的主動(dòng)面20a齊平的第一表面22a與相對(duì)的第二表面22b。
[0060]于本實(shí)施例中，該封裝膠體22可為環(huán)氧樹脂，其可利用壓合(lamination)或模壓(molding)方式形成。又有關(guān)該封裝膠體22的材料并不限于上述。
[0061]如圖2C所示，形成貫通該封裝膠體22的至少一穿孔220。
[0062]于本實(shí)施例中，形成該穿孔220的方法可為激光鉆孔。
[0063]如圖2D所示，于該半導(dǎo)體組件20的主動(dòng)面20a與該封裝膠體22的第一表面22a上及該穿孔220中形成晶種層23。
[0064]于本實(shí)施例中，形成該晶種層23的材料可為銅，該晶種層23作為后續(xù)電鍍工藝時(shí)的電流路徑。
[0065]如圖2E所示，形成圖案化阻層24于該半導(dǎo)體組件20的主動(dòng)面20a與該封裝膠體22的第一表面22a上，并外露出部分該半導(dǎo)體組件的主動(dòng)面與該封裝膠體的第一表面。
[0066]如圖2F所示，電鍍形成空心的導(dǎo)電通孔25于該穿孔220中，且同時(shí)形成線路層26于該外露的半導(dǎo)體組件20的主動(dòng)面20a與該封裝膠體22的第一表面22a上。
[0067]于本實(shí)施例中，形成該線路層的材料可為銅。
[0068]如圖2G所示，移除該圖案化阻層24，再形成第一絕緣保護(hù)層27于該線路層26上，接著于該第一絕緣保護(hù)層27上形成多個(gè)第一開孔270，以外露部分的該線路層26。
[0069]于本實(shí)施例中，該第一絕緣保護(hù)層27可為干膜，并以壓合的方式將該干膜壓入該該空心的導(dǎo)電通孔25內(nèi)。
[0070]如圖2H所示，于該第一開孔270中形成導(dǎo)電組件28，從而使該半導(dǎo)體封裝件2能借由該些導(dǎo)電組件28接置于如電路板的電子裝置上，再移除該承載件21。
[0071]于本實(shí)施例中，該導(dǎo)電組件28可為焊錫凸塊或銅柱。
[0072]于另一實(shí)施例中，如圖2H’所示的半導(dǎo)體封裝件2’，于形成第一絕緣保護(hù)層27于該線路層26上，且于該第一絕緣保護(hù)層27上形成該多個(gè)第一開孔270之后，先于該第一絕緣保護(hù)層27上接置第二承載件21’，再移除承載件21。
[0073]接著，于該封裝膠體22的第二表面22b上形成線路重布層29，其中，該線路重布層29由介電層290、導(dǎo)電盲孔291與第二線路層292所組成，再于該線路重布層29上形成具有多個(gè)第二開孔270’的第二絕緣保護(hù)層27’，以外露出部份的該第二線路層292。
[0074]如圖21’所示，移除該第二承載件21’，再于該第一開孔270中形成導(dǎo)電組件28，以使半導(dǎo)體封裝件2’能借由該些導(dǎo)電組件28相互堆棧以形成立體封裝結(jié)構(gòu)或接置于如電路板的電子裝置上。
[0075]本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝件2，2’，其包括:半導(dǎo)體組件20，其具有相對(duì)的主動(dòng)面20a與非主動(dòng)面20b，其中，該主動(dòng)面上具有電性接觸墊201 ;封裝膠體22，其包覆該半導(dǎo)體組件20的側(cè)面，且該封裝膠體22具有與該半導(dǎo)體組件20的主動(dòng)面20a齊平的第一表面22a以及與該半導(dǎo)體組件20的非主動(dòng)面22b齊平的第二表面22b ;至少一穿孔220，其形成于該封裝膠體22中且貫通該封裝膠體22 ;空心的導(dǎo)電通孔25，其形成于該穿孔220中；線路層26，其形成于該半導(dǎo)體組件20的主動(dòng)面20a與該封裝膠體22的第一表面22a上，且該線路層26電性連接該空心的導(dǎo)電通孔25 ;以及第一絕緣保護(hù)層27，其形成于該線路層26上，且該第一絕緣保護(hù)層27填入該空心的導(dǎo)電通孔25內(nèi)。
[0076]所述的半導(dǎo)體封裝件2，2’，還包括晶種層23，其形成于該線路層26與封裝膠體22之間、線路層26與半導(dǎo)體組件20之間及空心的導(dǎo)電通孔25與封裝膠體22之間。
[0077]于本實(shí)施例中，該第一絕緣保護(hù)層27可為干膜，且該第一絕緣保護(hù)層27具有外露部分該線路層26的多個(gè)第一開孔270，且該半導(dǎo)體封裝件2，2’還包括導(dǎo)電組件28，其形成于該第一開孔270中，以電性連接該線路層26。
[0078]所述的半導(dǎo)體封裝件2’，還包括由介電層290、導(dǎo)電盲孔291與第二線路層292所組成的線路重布層29，其形成于該封裝膠體22的第二表面22b上；以及具有多個(gè)第二開孔270’的第二絕緣層27’，其形成于該線路重布層29上，以外露出部份的該第二線路層292，以使該半導(dǎo)體封裝件2’可借由該導(dǎo)電組件28電性連接外露的該線路層26與該第二線路層292，以形成3D立體封裝件(如圖21’所示)。
[0079]綜上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件及其制法，主要借由先于封裝膠體中形成穿孔，然后一次性地形成導(dǎo)電通孔與線路層，省略傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝件中先形成絕緣保護(hù)層的重布線路工藝，此外，本發(fā)明能避免形成過(guò)載，因此可省略CMP工藝，故能有效節(jié)省工藝步驟，以大幅提升能應(yīng)用于立體封裝的晶圓級(jí)封裝件的生產(chǎn)效率及節(jié)省成本。
[0080]上述實(shí)施例僅用以例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟知本領(lǐng)域技術(shù)的人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書所列。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體封裝件的制法，其包括: 將具有主動(dòng)面與非主動(dòng)面的半導(dǎo)體組件以該非主動(dòng)面接置于承載件上； 形成封裝膠體于該承載件上，以包覆該半導(dǎo)體組件的側(cè)面，其中，該封裝膠體具有第一表面與相對(duì)的第二表面； 形成貫通該封裝膠體的至少一穿孔； 形成空心的導(dǎo)電通孔于該穿孔中，且同時(shí)形成線路層于該外露的半導(dǎo)體組件的主動(dòng)面與該封裝膠體的第一表面上； 形成第一絕緣保護(hù)層于該線路層上，且該第一絕緣保護(hù)層填入該空心的導(dǎo)電通孔內(nèi)；以及 移除該承載件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該封裝膠體的第一表面與該半導(dǎo)體組件的主動(dòng)面齊平。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，于形成貫通該封裝膠體的至少一穿孔后，還包括形成圖案化阻層于該半導(dǎo)體組件的主動(dòng)面與該封裝膠體的第一表面上，并外露出部分該半導(dǎo)體組件的主動(dòng)面與該封裝膠體的第一表面，再于形成空心的導(dǎo)電通孔于該穿孔中及形成線路層于該外露的半導(dǎo)體組件的主動(dòng)面與該封裝膠體的第一表面上之后，移除該圖案化阻層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，于形成貫通該封裝膠體的至少一穿孔后，還包括于形成圖案化阻層之前，先于該半導(dǎo)體組件的主動(dòng)面與該封裝膠體的第一表面上及該穿孔中形成晶種層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，形成該晶種層的材料為銅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，形成該穿孔的方式為激光鉆孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，形成該線路層的材料為銅。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該第一絕緣保護(hù)層為干膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，是以壓合的方式將該干膜壓入該空心的導(dǎo)電通孔內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，于形成該第一絕緣保護(hù)層于該線路層上之后，在移除該承載件之前，還包括于該絕緣保護(hù)層上形成多個(gè)第一開孔，以外露部分的該線路層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，于該絕緣保護(hù)層上形成該多個(gè)第一開孔之后，還包括于該第一開孔中形成導(dǎo)電組件。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該導(dǎo)電組件為焊錫凸塊或銅柱。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，于該絕緣保護(hù)層上形成多個(gè)第一開孔之后，還包括:于該封裝膠體的第二表面上形成線路重布層；以及 于該線路重布層上形成具有多個(gè)第二開孔的第二絕緣保護(hù)層。
14.一種半導(dǎo)體封裝件結(jié)構(gòu)，其包括: 半導(dǎo)體組件，其具有相對(duì)的主動(dòng)面與非主動(dòng)面； 封裝膠體，其包覆該半導(dǎo)體組件的側(cè)面，且該封裝膠體具有第一表面以及相對(duì)的第二表面； 至少一穿孔，其形成于該封裝膠體中且貫通該封裝膠體； 空心的導(dǎo)電通孔，其形成于該穿孔中； 線路層，其形成于該半導(dǎo)體組件的主動(dòng)面與該封裝膠體的第一表面上，且該線路層電性連接該空心的導(dǎo)電通孔；以及 第一絕緣保護(hù)層，其形成于該線路層上，且該第一絕緣保護(hù)層填入該空心的導(dǎo)電通孔內(nèi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該封裝膠體的第一表面與該半導(dǎo)體組件的主動(dòng)面 齊平。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該封裝膠體的第二表面與該半導(dǎo)體組件的非主動(dòng)面齊平。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)還包括晶種層，其形成于該線路層與封裝膠體之間、線路層與半導(dǎo)體組件之間及空心的導(dǎo)電通孔與封裝膠體之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一絕緣保護(hù)層為干膜。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一絕緣保護(hù)層具有外露部分該線路層的多個(gè)第一開孔，且該半導(dǎo)體封裝件還包括導(dǎo)電組件，其形成于該第一開孔中，以電性連接該線路層。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)還包括線路重布層，其形成于該封裝膠體的第二表面上；以及具有多個(gè)第二開孔的第二絕緣層，其形成于該線路重布層上。
【文檔編號(hào)】H01L21/56GK103579022SQ201210298753
【公開日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2012年8月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月3日
【發(fā)明者】許習(xí)彰, 周信宏, 劉鴻汶, 廖信一, 張江城 申請(qǐng)人:矽品精密工業(yè)股份有限公司