102、第一圖案的凸起部；200、第二圖案；201、第二圖案的凹槽部；202、第二圖案的凸起部。
【具體實施方式】
[0037]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0038]實施例1:
[0039]結(jié)合圖1、3所示，本實施例提供一種OLED基板，其中，由于本實施例的OLED基板的平面示意圖與現(xiàn)有技術(shù)相同，因此均用圖1表示，將該OLED基板劃分成顯示區(qū)域I和圍繞顯示區(qū)域I的周邊區(qū)域2，其中，在周邊區(qū)域2具有多個陰極接觸區(qū)21。本實施例的OLED基板具體包括:基底10 ;源漏金屬延伸部11，其設(shè)置在基底10上方，且所述源漏金屬延伸部11從所述顯示區(qū)域I延伸至所述周邊區(qū)域2的陰極接觸區(qū)21 ;鈍化層12，其設(shè)置在源漏金屬延伸部11所在層上方，且在所述鈍化層12與所述陰極接觸區(qū)21對應(yīng)的位置具有多個過孔；陽極金屬延伸部13，其設(shè)置在所述鈍化層12上方，且所述陽極金屬延伸部13從所述顯示區(qū)域I延伸至所述周邊區(qū)域2的陰極接觸區(qū)21，并通過過孔與所述源漏金屬延伸部11電性連接；像素限定層14，其設(shè)置在所述陽極金屬延伸部13所在層上方，且所述像素限定層14在與所述顯示區(qū)域I對應(yīng)的位置具有多個連續(xù)設(shè)置的第一圖案100，每個所述第一圖案100具有一個凸起部102和一個凹槽部101 ;在與所述周邊區(qū)域2的陰極接觸區(qū)21對應(yīng)的位置具有多個連續(xù)設(shè)置的第二圖案200，每個所述第二圖案200具有一個凸起部202和一個凹槽部201 ;其中，所述第一圖案的凸起部102與所述第二圖案的凹槽部201對應(yīng)，所述第一圖案的凹槽部101與所述第二圖案的凸起部202對應(yīng)。
[0040]在本實施例中，由于像素限定層14在與顯示區(qū)域I對應(yīng)的位置具有多個連續(xù)設(shè)置的第一圖案100，在與周邊區(qū)域2的陰極接觸區(qū)21對應(yīng)的位置具有多個連續(xù)設(shè)置的第二圖案200，且第一圖案的凸起部102與第二圖案的凹槽部201對應(yīng)，第一圖案的凹槽部101與第二圖案的凸起部202對應(yīng)；或者說第一圖案100和第二圖案200相反的圖案。因此，采用連續(xù)打印的方式印刷發(fā)光材料，以形成OLED器件的發(fā)光材料層15時，發(fā)光材料不會印刷至第二圖案200的凹槽部中，只是留在了第二圖案的凸起部202上，此時避免了發(fā)光材料落入第二圖案的凹槽部201下方與鈍化層12過孔位置對應(yīng)的地方Q，導(dǎo)致在清理發(fā)光材料時困難的問題。需要說明的是，連續(xù)打印的方式是指，沿第一圖案的凹槽部101所在行方向或者列方向逐次印刷。由于本實施例中第一圖案100和第二圖案200的凹槽部和凸起部位置恰恰相反，因此當(dāng)印刷到第二圖案200時，發(fā)光材料只能被印刷至第二圖案200的凸起部位置。圖3中顯示區(qū)域I的第一圖案的凹槽部101中對應(yīng)大約2-6個Q位置的大小，而圖3也只是示意性的表示。
[0041]其中，在基底10上還設(shè)置有薄膜晶體管的各層結(jié)構(gòu)，例如柵極層、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極等，源漏金屬延伸部11與源極和漏極是同層設(shè)置的。
[0042]優(yōu)選的，在實施例OLED基板中，所述第一圖案的凸起部102的寬度與所述第二圖案的凹槽部201的寬度相同，所述第一圖案的凹槽部101的寬度與所述第二圖案的凸起部202的寬度相同。之所以如此設(shè)置是為了，盡可能避免在形成有機發(fā)光材料層時，發(fā)光材料落入第二圖案的凹槽部201中，導(dǎo)致清潔困難的問題。
[0043]如圖4所示，優(yōu)選的，本實施例的OLED基板還包括發(fā)光材料層15 ;其中，所述發(fā)光材料層15設(shè)置在所述第一圖案的凹槽部101，以及設(shè)置在所述第二圖案的凸起部202上方。也就是說，在連續(xù)打印發(fā)光材料以形成發(fā)光材料層15時，在顯示區(qū)域I發(fā)光材料落入每個第一圖案的凹槽部101，以形成每一個OLED發(fā)光單元的發(fā)光材料層15 ;在周邊區(qū)域2的陰極接觸區(qū)21的發(fā)光材料落在第二圖案的凸起部202，此時發(fā)光材料可以保持在第二圖案的凸起部202上，無需對發(fā)光材料的清潔工作，提高生產(chǎn)效率；當(dāng)然也可以將第二圖案的凸起部202上發(fā)光材料清理干凈，較現(xiàn)有的OLED基板結(jié)構(gòu)而言，此時的清理工作的難度大大降低。而且像素限定層14的材料為疏水性材料，因此發(fā)光材料被印刷至第二圖案的凸起部202上時，也不會流入第二圖案的凹槽部201中。
[0044]如圖5所示，進(jìn)一步優(yōu)選的，本實施例的OLED基板還包括陰極，以及與陰極連接的陰極金屬延伸部16 ;其中，所述陰極和陰極金屬延伸部16設(shè)置在發(fā)光材料層15上方，且所述陰極設(shè)置在顯示區(qū)域1，所述陰極金屬延伸部16從所述顯示區(qū)域I延伸至所述周邊區(qū)域2的陰極接觸區(qū)21，并通過第二圖案的凹槽部201與所述陽極金屬延伸部13連接。此時，可以通過在陰極接觸區(qū)21位置輸入陰極所需要的信號。
[0045]優(yōu)選的，本實施例的OLED基板還包括設(shè)置顯示區(qū)域I的陽極，所述陽極與所述陽極金屬延伸部13同層且斷開設(shè)置?？梢岳斫獾氖牵琌LED基板上所形成的每一個OLED發(fā)光單元均具有一個單獨的陽極，每個陽極則通過相應(yīng)的像素單元中的薄膜晶體管進(jìn)行驅(qū)動。
[0046]本實施例所提供的OLED基板的結(jié)構(gòu)，解決了現(xiàn)有的OLED基板在清理發(fā)光材料時困難的問題。
[0047]實施例2:
[0048]本實施例提供一種OLED基板的制備方法，其可用于制備實施例1中的OLED基板。該制備方法具體包括:
[0049]步驟一、在基底10上，通過構(gòu)圖工藝形成包括源漏金屬延伸部11的圖形；其中，所述源漏金屬延伸部11從所述顯示區(qū)域I延伸至所述周邊區(qū)域2的陰極接觸區(qū)21。
[0050]需要說明的是，在基底10上形成源漏金屬延伸部11之前，還包括在基底10上形成薄膜晶體管的各層結(jié)構(gòu)，其中，源漏金屬延伸部11可以與薄膜晶體管的源極和漏極采用一次構(gòu)圖工藝形成，此時可以簡化工藝步驟。
[0051]具體的，在該步驟中基底10采用玻璃、樹脂、藍(lán)寶石、石英等透明材料制成、且經(jīng)過預(yù)先清洗。具體的，在基底10上采用濺射方式、熱蒸發(fā)方式、化學(xué)氣相沉積(ChemicalVapor Deposit1n:簡稱CVD)方式形成源漏金屬薄膜，對該源漏金屬薄膜進(jìn)行光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離形成包括源漏金屬延伸部11的圖形。
[0052]其中，源漏金屬薄膜(源極I)的材料采用鉬(Mo)、鉬鈮合金(MoNb)、鋁(Al)、鋁釹合金(AlNd)、鈦(Ti)和銅(Cu)中的一種或它們中多種材料形成的單層或多層復(fù)合疊層，優(yōu)選為Mo、Al或含Mo、Al的合金組成的單層或多層復(fù)合膜。
[0053]步驟二、在完成上述步驟的基底10上，形成鈍化層12，并通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層12與所述陰極接觸區(qū)21對應(yīng)的位置形成多個過孔。
[0054]具體的，在該步驟中采用熱生長、常壓化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積、等離子輔助體化學(xué)氣相淀積、濺射等制備方法，形成鈍化層12 ;然后在鈍化層12上涂覆光刻膠、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離形成貫穿鈍化層12的多個過孔。
[0055]其中，鈍化層12的材料可以為硅的氧化物(S1x)、硅的氮化物(SiNx)、鉿的氧化物(HfOx)、硅的氮氧化物(S1N)、鋁的氧化物(AlOx)等或由其中兩種或三種組成的多層膜組成。
[0056]步驟三、在完成上述步驟的基底10上，通過構(gòu)圖工藝形成包括陽極金屬延伸部13的圖形；其中，所述陽極金屬延伸部13從所述顯示區(qū)域I延伸至所述周邊區(qū)域2的陰極接觸區(qū)21，并通過過孔與所述源漏金屬延伸部11電性連接。
[0057]優(yōu)選的，與此同時在顯示區(qū)域I還形成有陽極的圖形，其中陽極與陽極金屬延伸部13斷開設(shè)置。
[0058]具體的，在該步驟中采用濺射方式、熱蒸發(fā)方式或化學(xué)氣相沉積方式沉積導(dǎo)電膜，并通過構(gòu)圖工藝形成陽極和陽極金屬延伸部13的圖形，陽極是與薄膜晶體管的漏極電性連接，陽極金屬延伸部13的圖形通過過孔與源漏金屬延伸部11電性連接
[0059]其中，導(dǎo)電膜為ITO (氧化銦錫)/Ag (銀)/ITO (氧化銦錫)或者Ag (銀)/ITO (氧化銦錫)結(jié)構(gòu)；或者，把上述結(jié)構(gòu)中的ITO換成IZO (氧化銦鋅)、IGZO (氧化銦鎵鋅)或InGaSnO (氧化銦鎵錫)。當(dāng)然，也可以采用具有導(dǎo)電性能及高功函數(shù)值的無機金屬氧化物、有機導(dǎo)電聚合物或金屬材料形成，無機金屬氧化物包括氧化銦錫或氧化鋅，有機導(dǎo)電聚合物包括PEDOT: SS、PANI，金屬材料包括金、銅、銀或鉑。
[0060]步驟四、在完成上述步驟的基底10上，形成像素限定層14，并通過構(gòu)圖在所述像素限定層1