有機(jī)發(fā)光一極管的光效率，并延長(zhǎng)有機(jī)發(fā)光一極管的壽命。
[0071]圖5是示出了本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)射層內(nèi)的復(fù)合區(qū)的擴(kuò)張?jiān)淼慕孛鎴D。圖6和圖7是示出了本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式的復(fù)合區(qū)的擴(kuò)張方向的圖表，該擴(kuò)張緣于有機(jī)發(fā)光二極管的空穴和電子傳輸層的空穴和電子迀移率之間的差異。
[0072]參考圖5?7，本公開(kāi)的第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置利用空穴傳輸層HTL的空穴迀移率與電子傳輸層ETL的電子迀移率之間的差異，并使有機(jī)發(fā)射層EML內(nèi)的電荷分布區(qū)的中心位置(或軸)(或峰值電荷密度位置(或軸))能夠不與空穴-電子復(fù)合區(qū)的中心位置(或軸)(或峰值復(fù)合位置(或軸))重疊。
[0073]如圖5所示，空穴傳輸層HTL的空穴迀移率(例如為3X10_4cm2/Vs)大于電子傳輸層ETL的電子迀移率(例如為6.6X10_8cm2/Vs)。在該實(shí)施方式中，如圖6所示，空穴-電子復(fù)合區(qū)RZ以下述方式形成在電荷分布區(qū)內(nèi):使空穴-電子復(fù)合區(qū)的對(duì)應(yīng)于峰值復(fù)合密度區(qū)(或軸)的中心區(qū)域(或軸)從峰值電荷密度區(qū)(或軸)向電子傳輸層ETL偏移。
[0074]如果電子傳輸層ETL的電子迀移率大于空穴傳輸層HTL的空穴迀移率，那么有機(jī)發(fā)射層EML的空穴-電子復(fù)合區(qū)以下述方式形成在電荷分布區(qū)內(nèi):使峰值復(fù)合密度區(qū)(或軸)從峰值電荷密度區(qū)(或軸)向空穴傳輸層HTL偏移。
[0075]如此，空穴-電子復(fù)合區(qū)的中心區(qū)域內(nèi)的電子和空穴彼此復(fù)合并發(fā)光。此外，空穴-電子復(fù)合區(qū)其余部分內(nèi)的電子和空穴向峰值電荷密度區(qū)(或軸)漂移，并以與空穴-電子復(fù)合區(qū)中心區(qū)域(或軸)的空穴-電子復(fù)合比相似的復(fù)合比彼此復(fù)合。據(jù)此，有機(jī)發(fā)射層EML的空穴-電子復(fù)合比可以變高。
[0076]換言之，本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置使空穴-電子復(fù)合區(qū)的中心區(qū)域(或軸)和空穴-電子復(fù)合區(qū)的其他部分內(nèi)的電子和空穴均能夠向峰值電荷密度區(qū)(或軸)漂移。如此，空穴-電子復(fù)合區(qū)可以擴(kuò)大。因此，可以提高有機(jī)發(fā)光二極管的光效率，并可以延長(zhǎng)有機(jī)發(fā)光二極管的壽命。
[0077]如圖6和圖7所示，根據(jù)圖5示出的原理，空穴-電子復(fù)合區(qū)RZ的中心區(qū)域(或軸)和電荷分布區(qū)的峰值電荷密度區(qū)可以以彼此不重疊的形式在有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)發(fā)射層內(nèi)形成。
[0078]當(dāng)具有上述結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光二極管受驅(qū)動(dòng)時(shí)，空穴-電子復(fù)合區(qū)RZ向峰值電荷密度區(qū)(或軸)擴(kuò)張。如此，可以無(wú)任何損耗地提高有機(jī)發(fā)光二極管的光效率。據(jù)此，可以延長(zhǎng)有機(jī)發(fā)光二極管的壽命，并且有機(jī)發(fā)光二極管的亮度在高溫可靠性檢測(cè)后不劣化。
[0079]如圖6所示，空穴-電子復(fù)合區(qū)RZ可以鄰接電子傳輸層ETL而形成，并向空穴傳輸層HTL擴(kuò)張。為此，在有機(jī)發(fā)光二極管的制造過(guò)程中，可以將空穴傳輸層HTL形成為使其空穴迀移率大于電子傳輸層ETL的電子迀移率。
[0080]在該實(shí)施方式中，空穴傳輸層HTL由空穴迀移率大于電子傳輸層ETL的電子迀移率的材料形成。電子傳輸層ETL由電子迀移率小于空穴傳輸層HTL的空穴迀移率的另一材料形成。
[0081]相反，如圖7所示，空穴-電子復(fù)合區(qū)RZ可以鄰接空穴傳輸層HTL而形成，并向電子傳輸層ETL擴(kuò)張。為此，在有機(jī)發(fā)光二極管的制造過(guò)程中，可以將空穴傳輸層HTL形成為使其空穴迀移率小于電子傳輸層ETL的電子迀移率。
[0082]因此，根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光二極管中所包括的各層可以由多種材料形成，從而將空穴傳輸層HTL的空穴迀移率設(shè)定為與電子傳輸層ETL的電子迀移率不同。
[0083]圖8是示出了本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管的壽命特性的圖表。圖9是示出了本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管在高溫可靠性檢測(cè)后的亮度特性的圖表。圖10是示出了本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管的量子效率特性的表。圖11是示出了本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管的電流密度特性的圖表。
[0084]參考圖8?11，本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管使得其間布置有有機(jī)發(fā)射層EML的空穴傳輸層HTL和電子傳輸層ETL能夠具有彼此不同的空穴迀移率和電子迀移率。如此，峰值電荷密度區(qū)(或軸)和空穴-電子復(fù)合區(qū)中心區(qū)域(或軸)可以以彼此不重疊的形式在有機(jī)發(fā)射層EML內(nèi)形成。
[0085]當(dāng)有機(jī)發(fā)光二極管受驅(qū)動(dòng)時(shí)，空穴-電子復(fù)合區(qū)向迀移率相對(duì)較大的空穴傳輸層(HTL)或電子傳輸層(ETL)擴(kuò)張。換言之，空穴-電子復(fù)合區(qū)可以擴(kuò)張至峰值電荷密度區(qū)(或軸)。
[0086]據(jù)此，如附圖所示，有機(jī)發(fā)光二極管的壽命隨時(shí)間T的推移而有所延長(zhǎng)。而且，在高溫下驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管的亮度特性曲線與在室溫下驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管的亮度特性曲線幾乎相同。換言之，本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管的亮度在高溫可靠性檢測(cè)后不會(huì)劣化，這與現(xiàn)有技術(shù)的情況不同。
[0087]如圖10和11可見(jiàn)，本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管包括空穴-電子復(fù)合區(qū)和峰值電荷密度區(qū)不重疊的結(jié)構(gòu)，且具有與現(xiàn)有技術(shù)幾乎相同的量子效率。
[0088]此外，在相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電壓的電流密度方面，本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管表現(xiàn)出與參考例(或現(xiàn)有技術(shù))幾乎相同的特性。不過(guò)，與參考例(或現(xiàn)有技術(shù))相比，本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管提供了陡度(或傾斜度)更為緩和的電流密度特性。清楚的是，該電流密度特性歸因于空穴傳輸層HTL的空穴迀移率和電子傳輸層ETL的電子迀移率之間的差異。
[0089]圖12是顯示了本公開(kāi)的第二實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖13A和13B是顯示了圖12中的空穴傳輸層和電子傳輸層的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0090]第二實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有與第一實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)，不過(guò)使鄰接有機(jī)發(fā)射層的空穴傳輸層和電子傳輸層各自形成為多層結(jié)構(gòu)。如此，將主要描述第二實(shí)施方式中與第一實(shí)施方式不同的組件。
[0091]參考圖12、13A和13B，本公開(kāi)的第二實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置使第一電極210形成在被界定為紅色、綠色和藍(lán)色區(qū)域的基板的整個(gè)表面上。第一電極210可以形成為第一金屬層210a和第二金屬層210b的層疊結(jié)構(gòu)。各自對(duì)應(yīng)于全部紅色、綠色和藍(lán)色區(qū)域的空穴注入層(HIL) 220和第一空穴傳輸層(HTL) 225層疊在第一電極210上。
[0092]空穴注入層220可以由選自以下材料組的一種材料形成，該材料組包括芳基胺類化合物(例如NATA、2T-NATA和NPNPB)和p摻雜型材料(例如F4-TCNQ和PTON)，但是并不限于此。
[0093]第一空穴傳輸層(HTL)225可以由選自以下材料組的一種材料形成，該材料組具有芳基胺類化合物、放射狀芳香族胺類材料、螺旋梯型材料、NPD (N, N- 二萘基-N，N’ - 二苯基聯(lián)苯胺)、s-TAD和MTDATA (4，4’，4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)_三苯基胺)，不過(guò)并不限于此。芳基胺類化合物可以包括TPD (N，N’ -雙(3-甲基苯基)-N，N’-雙(苯基)-聯(lián)苯胺)、PH)、TTBND、FFD、p-dmDPS和TAPC。放射狀芳香族胺類材料可以包括TCTA、PTDATA, TDAPB, TDBA、4_a和TCTA。螺旋梯型材料可以包括螺-TPD、螺-mTTB和螺-2。
[0094]可以在第一空穴傳輸層(HTL) 225上形成第二空穴傳輸層(R’HTL)、第三空穴傳輸層(G’HTL)和第四空穴傳輸層(B’HTL)，以對(duì)應(yīng)于相應(yīng)的紅色、綠色和藍(lán)色亞像素區(qū)域。第二、第三和第四空穴傳輸層(R’ HTL、G’ HTL和B’ HTL)可以以厚度彼此不同的方式形成。
[0095]對(duì)應(yīng)于紅色亞像素區(qū)域的第二空穴傳輸層(R’ HTL)可以形成為第一、第二和第三紅色空穴傳輸層310、311和312的層疊結(jié)構(gòu)。相似地，對(duì)應(yīng)于綠色亞像素區(qū)域的第三空穴傳輸層(G’HTL)可以形成為第一、第二和第三綠色空穴傳輸層320、321和322的層疊結(jié)構(gòu)，第四空穴傳輸層(B’ HTL)可以形成為第一、第二和第三藍(lán)色空穴傳輸層330、331和332的層疊結(jié)構(gòu)。
[0096]第一、第二和第三紅色空穴傳輸層310、311和312、第一、第二和第三綠色空穴傳輸層320、321和322以及第一、第二和第三藍(lán)色空穴傳輸層330、331和332可以由與第一空穴傳輸層225相同的材料形成。作為另一選擇，第一、第二和第三紅色空穴傳輸層310、311和312、第一、第二和第三綠色空穴傳輸層320、321和322以及第一、第二和第三藍(lán)色空穴傳輸層330、331和332可以由彼此不同的材料形成。
[0097]如圖13B所示，紅色亞像素區(qū)域內(nèi)的第二紅色空穴傳輸層(H-RCL) 311和第一及第三紅色空穴傳輸層(HTL_1&HTL_2)310及312可以由彼此不同的材料形成。第一紅色空穴傳輸層310和第三紅色空穴傳輸層312可以由相同的材料形成。
[0098]此外，綠色亞像素區(qū)域內(nèi)的第一、第二和第三綠色空穴傳輸層320、321和322和藍(lán)色亞像素區(qū)域內(nèi)的第一、第二和第三藍(lán)色空穴傳輸層330、331和332可以以與紅色亞像素區(qū)域的那些層相同的方式形成。
[0099]所述第二、第三和第四空穴傳輸層R’HTL、G’HTL和B’HTL可以由與第一空穴傳輸層(HTL) 125相同的材料形成。作為另一選擇，第二、第三和第四空穴傳輸層R’ HTL、G’ HTL和B’ HTL可以還包含低聚噻吩衍生物、低聚苯衍生物、三苯基胺衍生物和咔唑衍生物中的一種，以調(diào)整其空穴迀移率。
[0100]具體而言，鄰接有機(jī)發(fā)射層235的第三紅色、綠色和藍(lán)色空穴傳輸層312、322和332各自可以由空穴迀移率為約3X10_4cm2/Vs的材料