、掃描驅(qū)動(dòng)器和顯示面板。
[0042]時(shí)序控制器接收垂直同步信號(hào)、水平同步信號(hào)、數(shù)據(jù)使能信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)和來自外部系統(tǒng)(例如圖像處理器)的數(shù)據(jù)信號(hào)。而且，時(shí)序控制器使用諸如垂直同步信號(hào)、水平同步信號(hào)、數(shù)據(jù)使能信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)等時(shí)序信號(hào)來控制數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器和掃描驅(qū)動(dòng)器的操作時(shí)序。
[0043]響應(yīng)于由時(shí)序控制器施加的數(shù)據(jù)時(shí)序控制信號(hào)，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器對(duì)由時(shí)序控制器施加的數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行取樣，并鎖存(latch)所取樣的數(shù)據(jù)信號(hào)。如此，可以將串行數(shù)據(jù)信號(hào)轉(zhuǎn)換為并行數(shù)據(jù)信號(hào)。而且，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器使用伽瑪參考電壓將并行數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬數(shù)據(jù)信號(hào)。轉(zhuǎn)換的模擬數(shù)據(jù)信號(hào)通過數(shù)據(jù)線由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器施加至顯示面板上的亞像素。
[0044]掃描驅(qū)動(dòng)器響應(yīng)于柵時(shí)序控制信號(hào)而順序生成掃描信號(hào)。而且，掃描控制器通過掃描線將掃描信號(hào)施加至顯示面板上的亞像素。
[0045]顯示面板包括以陣列形式排列的亞像素。亞像素可以包括紅色、綠色和藍(lán)色亞像素。作為另一選擇，亞像素可以包括白色亞像素和彩色轉(zhuǎn)化層，彩色轉(zhuǎn)化層被配置為將從白色亞像素發(fā)出的白光轉(zhuǎn)化為紅光、綠光和藍(lán)光。此外，亞像素可以被配置為無源型和有源型中的一種。例如，有源型亞像素包括:被配置為響應(yīng)于掃描信號(hào)而傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的開關(guān)晶體管；被配置為儲(chǔ)存對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)電壓的電容器；被配置為生成對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)電壓的驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)晶體管；和被配置為發(fā)出對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)電流的光的有機(jī)發(fā)光二極管。以此方式，有源型亞像素可以被配置為2T1C (兩個(gè)晶體管和一個(gè)電容器)結(jié)構(gòu)，其包括開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、電容器和有機(jī)發(fā)光二極管。作為另一選擇，有源型亞像素可以被配置為還包括至少一個(gè)晶體管和至少一個(gè)電容器以成為3T1C結(jié)構(gòu)、4T2C結(jié)構(gòu)和5T2C結(jié)構(gòu)等中的一種。另外，根據(jù)發(fā)光方向，亞像素可以形成為頂部發(fā)射模式、底部發(fā)射模式和雙發(fā)射模式。
[0046]為了提高發(fā)光效率和色彩協(xié)調(diào)度，使顯示面板中包括的亞像素形成為微腔結(jié)構(gòu)和層疊結(jié)構(gòu)中的一種?，F(xiàn)將詳細(xì)描述具有微腔結(jié)構(gòu)和層疊結(jié)構(gòu)之一的亞像素。
[0047]圖4是顯示了本公開的第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0048]參考圖4，本公開的第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括形成于基板上的第一電極110，其被界定為紅色、綠色和藍(lán)色亞像素區(qū)域，并用作反射電極。此外，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括層疊在第一電極110上的空穴注入層(HIL) 120和第一空穴傳輸層(HTL) 125，對(duì)應(yīng)于全部紅色、綠色和藍(lán)色亞像素區(qū)域。
[0049]第一電極110可以用作有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極電極。而且，第一電極110可以通過在具有高反射率的第一金屬層IlOa上層疊透明導(dǎo)電性材料的第二金屬層IlOb而形成。第一金屬層IlOa可以由銷Al和銀Ag中的一種形成。第二金屬層IlOb可以由ITO(氧化銦錫)和IZO(氧化銦鋅)中的一種形成。
[0050]空穴注入層120可以由選自以下材料組的一種材料形成，該材料組包括:芳基胺類化合物(例如NATA、2T-NATA和NPNPB)和p摻雜型材料(例如F4-TCNQ和PTON);但是并不限于此。
[0051]第一空穴傳輸層(HTL) 125可以由選自以下材料組的一種材料形成，該材料組具有:芳基胺類化合物、放射狀(starburst)芳香族胺類材料、螺旋梯型材料、NPD(N, N- 二萘基-N, N，- 二苯基聯(lián)苯胺)、s-TAD和MTDATA (4，4’，4” -三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺)，不過并不限于此。芳基胺類化合物可以包括TPD(N，N’ -雙(3-甲基苯基)-N，N’ -雙(苯基)-聯(lián)苯胺)、PPD、TTBND, FFD、p-dmDPS和TAPC0放射狀芳香族胺類材料可以包括TCTA、PTDATA, TDAPB, TDBA、4_a和TCTA。螺旋梯型材料可以包括螺-TPD、螺-mTTB和螺-2。
[0052]可以在第一空穴傳輸層(HTL) 125上形成第二空穴傳輸層(R’ HTL) 130、第三空穴傳輸層(G’HTL) 131和第四空穴傳輸層(B’HTL) 132，以對(duì)應(yīng)于相應(yīng)的紅色、綠色和藍(lán)色亞像素區(qū)域。第二、第三和第四空穴傳輸層(R，HTL、G’HTL和B’HTL) 130、131和132可以以厚度彼此不同的方式形成。
[0053]所述第二、第三和第四空穴傳輸層(R，HTL、G’ HTL和B，HTL) 130、131和132可以由與第一空穴傳輸層(HTL) 125相同的材料形成。作為另一選擇，第二、第三和第四空穴傳輸層(R’ HTL、G’ HTL和B’ HTL) 130、131和132可以還包含低聚噻吩衍生物、低聚苯(oligocene)衍生物、三苯基胺衍生物和咔唑衍生物，以調(diào)整其空穴迀移率。
[0054]此外，第二、第三和第四空穴傳輸層(R，HTL、G’HTL和B’HTL) 130、131和132各自可以由空穴迀移率為約3X10_4cm2/Vs的材料形成。
[0055]有機(jī)發(fā)射層135形成在紅色、綠色和藍(lán)色亞像素區(qū)域中的第二、第三和第四空穴傳輸層(R’HTL、G’ HTL和B’HTL) 130、131和132上。有機(jī)發(fā)射層135可以由通過接收空穴和電子并使空穴和電子復(fù)合而發(fā)出可見光的材料形成。
[0056]有機(jī)發(fā)射層135可以被界定為對(duì)應(yīng)于紅色、綠色和藍(lán)色亞像素區(qū)域而形成的紅光、綠光和藍(lán)光發(fā)射層。而且，所述紅光、綠光和藍(lán)光發(fā)射層可以以厚度彼此不同的方式形成。
[0057]所述發(fā)射層可以由任何合適的材料形成。例如，發(fā)射層可以由對(duì)三線態(tài)激子具有優(yōu)異的焚光或磷光量子效率的一種或多種材料形成。
[0058]作為發(fā)射層的具體實(shí)例，紅光發(fā)射層可以由下述主體材料和下述磷光材料形成，該主體材料包含CBP (聯(lián)苯咔唑)和mCP (I, 3-雙(咔唑-9-基)苯)中的一種，該磷光材料包含選自包括PIQIr (acac)(雙(1-苯基異喹啉)乙酰丙酮合銥)、PQIr (acac)(雙(1-苯基喹啉)乙酰丙酮合銥)、PQIr (三(1-苯基喹啉)銥)和PtOEP (八乙基卟啉鉑)的摻雜劑材料組的至少一種。作為另一選擇，紅光發(fā)射層可以包括下述熒光材料來代替上述磷光材料，該熒光材料包含PBD:Eu(DBM) 3 (Phen)和二萘嵌苯中的一種。不過，該發(fā)射層不限于此。
[0059]綠光發(fā)射層可以由下述主體材料和下述磷光材料形成，該主體材料包含CBP和mCP中的一種，該磷光材料包含諸如Ir (ppy)3(面式-三(2-苯基吡啶)銥)、Ir (ppy)2(acac)或Ir (mpyp) 3等摻雜劑。作為另一選擇，綠光發(fā)射層可以包括包含Alq3 (三(8-羥基喹啉)鋁)的熒光材料來代替上述磷光材料。不過，綠光發(fā)射層不限于此。
[0060]藍(lán)光發(fā)射層可以由下述主體材料和下述磷光材料形成，該主體材料包含CBP和mCP中的一種，該磷光材料包含諸如(4，6-F2ppy)2Irpic等摻雜劑材料。作為另一選擇，藍(lán)光發(fā)射層可以包括下述熒光材料來代替上述磷光材料，該熒光材料包含選自包括螺-DPVB1、螺-6P、二苯乙烯基苯(DSB)、二苯乙烯基亞芳基(DSA)、PFO類聚合物和PPV類聚合物的材料組的一種。不過，藍(lán)光發(fā)射層不限于此。
[0061]電子傳輸層(ETL) 136形成在有機(jī)發(fā)射層135上。此外，電子注入層(EIL) 137形成在電子傳輸層(ETL) 136上。
[0062]電子傳輸層136可以用來容易且順利地傳輸電子。而且，電子傳輸層136可以由選自包括Alq3 (三(8-羥基喹啉)鋁)、PBD、TAZ、螺_PBD、BAlq和SAlq的材料組的至少一種材料形成，不過并不限于此。
[0063]為了調(diào)整電子迀移率，電子傳輸層136可以還包含二萘嵌苯衍生物、四硫富瓦烯衍生物、富勒烯衍生物、二唑衍生物和咪唑衍生物中的一種。
[0064]這種電子傳輸層136可以由電子迀移率為約6.6X 10 8cm2/Vs的材料形成。
[0065]具體而言，本公開的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置使得形成在有機(jī)發(fā)射層135內(nèi)的復(fù)合區(qū)的中心部位(或峰值點(diǎn))能夠不與峰值電荷密度點(diǎn)重疊。為此，可以將第二、第三和第四空穴傳輸層(R’ HTL、G’ HTL和B’ HTL) 130、131和132的空穴迀移率設(shè)定為與電子傳輸層136的電子迀移率不同。
[0066]第二電極140形成在電子注入層137上。封蓋層(CPL) 150形成在第二電極140上。
[0067]第二電極140可以用作陰極電極。而且，第二電極140可以由具有低逸出功、優(yōu)異的導(dǎo)電性和低電阻的材料形成。具體而言，第二電極140可以由對(duì)應(yīng)于元素周期表第I主族的堿金屬、對(duì)應(yīng)于元素周期表第II主族的堿土金屬和過渡金屬中的一種形成。例如，第二電極140可以由銀Ag、鋁Al、鎂Mg、鋰L1、鈣Ca、氟化鋰LiF、氧化銦錫ITO、氧化銦鋅IZO及其合金中的至少一種形成。另外，第二電極140可以形成為單層或多層結(jié)構(gòu)。不過，第二電極140不限于此。
[0068]封蓋層150可以由諸如NPD等材料形成。
[0069]利用有機(jī)發(fā)光二極管的空穴和電子傳輸層的空穴和電子迀移率之間的差異，本公開的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以使有機(jī)發(fā)射層內(nèi)的峰值電荷密度區(qū)(或軸)與峰值復(fù)合密度區(qū)(或軸)能夠彼此不重疊。峰值復(fù)合密度區(qū)(或軸)對(duì)應(yīng)于復(fù)合的電子-空穴對(duì)的最高密度區(qū)。
[0070]如此，有機(jī)發(fā)射層的峰值復(fù)合密度區(qū)(或軸)以下述方式形成:以峰值電荷密度區(qū)(或軸)為中心，峰值復(fù)合密度區(qū)(或軸)向與其擴(kuò)張方向相反的方向發(fā)生偏移。而且，當(dāng)有機(jī)發(fā)光二極管受驅(qū)動(dòng)時(shí)，峰值復(fù)合密度區(qū)向著峰值電荷密度區(qū)(或軸)擴(kuò)張。據(jù)此，可以提尚