一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]氧化物薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)是以金屬氧化物半導(dǎo)體作為有源層，具有超薄、重量輕、低耗電等優(yōu)勢(shì)，氧化物TFT與非晶硅TFT相比，其載流子濃度是非晶硅TFT的十倍；氧化物TFT還具有均勻性好、透明、制作工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)于顯示面板的陣列基板時(shí)，能夠很好的滿足液晶(Liquid Crystal Display，IXD)顯示面板和有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting D1de，OLED)顯示面板的需求。
[0003]但是，現(xiàn)有的應(yīng)用氧化物TFT的陣列基板還存在如下問(wèn)題:
[0004]由于水、氧和氫基團(tuán)會(huì)由氧化物TFT上方的鈍化層滲透至氧化物TFT的有源層，并使氧化物TFT的閾值電壓發(fā)生較大的漂移，影響氧化物TFT性能甚至?xí)?dǎo)致產(chǎn)品失效，因此，采用氧化物TFT的陣列基板的穩(wěn)定性和信賴性還有待進(jìn)一步提高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置，以解決由于水、氧和氫基團(tuán)會(huì)由氧化物TFT上方的鈍化層滲透至氧化物TFT的有源層，使氧化物TFT的閾值電壓發(fā)生較大的漂移，所導(dǎo)致的氧化物TFT性能降低甚至?xí)У膯?wèn)題。
[0006]本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0007]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括襯底基板、形成于襯底基板上的氧化物薄膜晶體管TFT，所述氧化物TFT的上方設(shè)置有鈍化層，所述鈍化層包括第一膜層，所述第一膜層為氧化硅薄膜；
[0008]所述鈍化層還包括形成于所述第一膜層之上的第二膜層，所述第二膜層為氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替疊層，所述第二膜層的靠近所述第一膜層的底層為氮化硅薄膜；
[0009]其中，所述第一膜層的厚度大于所述第二膜層的厚度。
[0010]本實(shí)施例中，所述鈍化層的所述第一膜層由氧化硅薄膜形成，所述第二膜層為氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替疊層，且所述第一膜層的厚度大于所述第二膜層的厚度，因此所述第二膜層中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜均為較薄的膜層，所述第二膜層中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜相互彌補(bǔ)，既降低了氮化硅薄膜的縱向滲透特性帶來(lái)的不良影響，又降低了氧化硅薄膜質(zhì)密性低所帶來(lái)的不良影響，從而使所述鈍化層能夠提供較好的防止水、氧和氫基團(tuán)滲透的性能，氧化物TFT的有源層不會(huì)被水、氧和氫基團(tuán)所影響，確保氧化物TFT的性能。
[0011]優(yōu)選的，所述第二膜層的遠(yuǎn)離所述第一膜層頂層為氮化硅薄膜。
[0012]優(yōu)選的，所述第二膜層中的各層氮化硅薄膜的厚度相等，所述第二膜層中的各層氧化硅薄膜的厚度相等，且所述第二膜層中的氧化硅薄膜的厚度大于或等于所述第二膜層中的氮化硅薄膜的厚度。本實(shí)施例中，所述第二膜層中的各層氮化硅薄膜厚度均勻，所述第二膜層中的各層氧化硅薄膜厚度均勻，提供穩(wěn)定的防止水、氧和氫基團(tuán)滲透的性能。
[0013]優(yōu)選的，所述第二膜層的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替疊層，由底層至頂層，各層薄膜的厚度遞減。本實(shí)施例中，所述第二膜層中的各層氮化硅薄膜和各層氧化硅薄膜厚度由底層至頂層遞減，能夠更好的提供防止水、氧和氫基團(tuán)滲透的性能。
[0014]優(yōu)選的，所述第一膜層的厚度范圍為1500?4000埃。
[0015]優(yōu)選的，所述第二膜層中每一層氧化硅薄膜的厚度為100?300埃，所述第二膜層中第一層氮化硅薄膜的厚度為100?300埃。本實(shí)施例中，所述第二膜層的氧化硅薄膜和氮化硅薄膜的厚度較薄，二者的交替疊層可以實(shí)現(xiàn)較高質(zhì)密性和較好的縱向的防護(hù)性。
[0016]優(yōu)選的，所述第二膜層中的各層氧化硅薄膜和各層氮化硅薄膜的厚度之和小于1000 埃。
[0017]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:所述氧化物TFT上方的所述鈍化層的所述第一膜層由氧化硅薄膜形成，所述第二膜層為氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替疊層，且所述第一膜層的厚度大于所述第二膜層的厚度，因此所述第二膜層中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜均為較薄的膜層，所述第二膜層中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜相互彌補(bǔ)，既降低了氮化硅薄膜的縱向滲透特性帶來(lái)的不良影響，又降低了氧化硅薄膜質(zhì)密性低所帶來(lái)的不良影響，從而使所述鈍化層能夠提供較好的防止水、氧和氫基團(tuán)滲透的性能，氧化物TFT的有源層不會(huì)被水、氧和氫基團(tuán)所影響，確保氧化物TFT的性能并防止所述氧化物TFT失效。
[0018]本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板，包括如上實(shí)施例提供的所述陣列基板。
[0019]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:所述顯示面板的陣列基板設(shè)置有氧化物TFT，所述氧化物TFT上方的所述鈍化層的所述第一膜層由氧化硅薄膜形成，所述第二膜層為氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替疊層，且所述第一膜層的厚度大于所述第二膜層的厚度，因此所述第二膜層中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜均為較薄的膜層，所述第二膜層中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜相互彌補(bǔ)，既降低了氮化硅薄膜的縱向滲透特性帶來(lái)的不良影響，又降低了氧化硅薄膜質(zhì)密性低所帶來(lái)的不良影響，從而使所述鈍化層能夠提供較好的防止水、氧和氫基團(tuán)滲透的性能，氧化物TFT的有源層不會(huì)被水、氧和氫基團(tuán)所影響，確保氧化物TFT的性能并防止所述氧化物TFT失效。
[0020]本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括如上實(shí)施例提供的所述顯示面板。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:所述顯示面板的陣列基板設(shè)置有氧化物TFT，所述氧化物TFT上方的所述鈍化層的所述第一膜層由氧化硅薄膜形成，所述第二膜層為氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替疊層，且所述第一膜層的厚度大于所述第二膜層的厚度，因此所述第二膜層中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜均為較薄的膜層，所述第二膜層中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜相互彌補(bǔ)，既降低了氮化硅薄膜的縱向滲透特性帶來(lái)的不良影響，又降低了氧化硅薄膜質(zhì)密性低所帶來(lái)的不良影響，從而使所述鈍化層能夠提供較好的防止水、氧和氫基團(tuán)滲透的性能，氧化物TFT的有源層不會(huì)被水、氧和氫基團(tuán)所影響，確保氧化物TFT的性能并防止所述氧化物TFT失效。
[0022]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，包括:
[0023]在襯底基板上形成氧化物TFT ;
[0024]在所述氧化物TFT的上方形成鈍化層的第一膜層，在所述第一膜層之上交替形成氮化硅薄膜和氧化硅薄膜，交替形成的各層氮化硅薄膜和各層氧化硅薄膜的交替疊層作為第二膜層，所述第二膜層的靠近所述第一膜層的底層為氮化硅薄膜；其中，所述第一膜層的厚度大于所述第二膜層的厚度。
[0025]優(yōu)選的，所述第二膜層的遠(yuǎn)離所述第一膜層頂層為氮化硅薄膜。
[0026]優(yōu)選的，所述在所述第一膜層之上交替形成氮化硅薄膜和氧化硅薄膜，包括:
[0027]以預(yù)定的厚度交疊形成所述第二膜層中的各層氮化硅薄膜和各層氧化硅薄膜；其中，所述第二膜層中的各層氮化硅薄膜的厚度相等，所述第二膜層中的各層氧化硅薄膜的厚度相等，且所述第二膜層中的氧化硅薄膜的厚度大于或等于所述第二膜層中的氮化硅薄膜的厚度。
[0028]優(yōu)選的，所述在所述第一膜層之上交替形成氮化硅薄膜和氧化硅薄膜，包括:
[0029]由所述第二膜層的底層至頂層，以遞減的厚度交疊形成所述第二膜層中的各層氮化硅薄膜和各層氧化硅薄膜。
[0030]優(yōu)選的，所述第一膜層的厚度范圍為1500?4000埃。
[0031]優(yōu)選的，所述第二膜層中每一層氧化硅薄膜的厚度為100?300埃，所述第二膜層中第一層氮化硅薄膜的厚度為100?300埃。
[0032]優(yōu)選的，所述第二膜層中的各層氧化硅薄膜和各層氮化硅薄膜