層之間還設(shè)有過渡層，所述過渡層為Ti層或Ta層中的一種構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)或兩種構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電層為多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，該多層復(fù)合結(jié)構(gòu)為:底層:鈦層，中間層:鋁層，頂層:氮化鈦層；底層:氮化鈦層，中間層:鋁層，頂層:氮化鈦層；底層:鉭層，中間層:鋁層，頂層:氮化鉭層；底層:氮化鉭層，中間層:招層，頂層:氮化鉭；底層:氮化鈦層和鈦層構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)，中間層:鋁層，過渡層:鈦層，頂層:氮化鈦層；或者，底層:氮化鉭層和鉭層構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)，中間層:鋁層，過渡層:鉭層，頂層:氮化鉭層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1飛任一項所述的陣列基板，其特征在于，該陣列基板還包括平坦化層，其形成于薄膜晶體管區(qū)的源/漏極與焊盤區(qū)的端子焊盤上，對應(yīng)覆蓋該陣列基板的襯底，并形成有顯露出薄膜晶體管區(qū)的源/漏極的通孔和顯露出端子焊盤的通孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，該陣列基板還包括像素電極，其形成于平坦化層上，位于薄膜晶體管區(qū)，像素電極通過形成于平坦化層的通孔與源/漏極耦合。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，像素電極為三層結(jié)構(gòu)，其從下至上依次形成的第一像素電極層、第二像素電極層和第三像素電極層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述第一像素電極層和第三像素電極層為透明導(dǎo)電材料，所述第二像素電極層為反射金屬。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電材料為ITO，所述反射金屬為Ag或Al。
12.根據(jù)權(quán)利要求Γ6任一項所述的陣列基板，其特征在于，薄膜晶體管區(qū)的柵電極與焊盤區(qū)的焊盤電極由同一導(dǎo)電層形成，所述端子焊盤與所述焊盤電極耦合。
13.根據(jù)權(quán)利要求8?11任一項所述的陣列基板，其特征在于，包括: 襯底，包括薄膜晶體管區(qū)和焊盤區(qū)； 緩沖層，覆蓋襯底； 有源層，形成于緩沖層上，位于薄膜晶體管區(qū)，其包括溝道區(qū)和位于溝道區(qū)兩側(cè)的源/漏區(qū)； 柵極絕緣層，形成于有源層上，對應(yīng)覆蓋整個襯底； 第一導(dǎo)電圖案層，形成于柵極絕緣層上，包括薄膜晶體管區(qū)的柵電極和焊盤區(qū)的焊盤電極，其中柵電極對應(yīng)位于有源層的溝道區(qū)上方； 層間絕緣層，形成于第一導(dǎo)電圖案層上，覆蓋薄膜晶體管區(qū)； 第二導(dǎo)電圖案層，形成于層間絕緣層上，包括薄膜晶體管區(qū)的兩個分隔開的源/漏極和焊盤區(qū)的端子焊盤，所述源/漏極通過形成于層間絕緣層和柵極絕緣層的源/漏接觸孔與有源層的源/漏區(qū)耦合，所述端子焊盤與焊盤電極耦合；其中，第二導(dǎo)電圖案層為多層復(fù)合層結(jié)構(gòu)，其從下至上包括底層、中間層和頂層，底層是導(dǎo)電金屬氮化物或金屬中的一種或多種構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)，中間層是由金屬中的一種或多種構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)，頂層是導(dǎo)電金屬氮化物中的一種或幾種構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)； 平坦化層，形成于第二導(dǎo)電圖案層上，其形成有顯露出薄膜晶體管區(qū)的源/漏極的通孔和顯露出端子焊盤的通孔； 像素電極，形成于平坦化層上，位于薄膜晶體管區(qū)，像素電極通過形成于平坦化層的通孔與任一源/漏極耦合。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的陣列基板，其特征在于，層間絕緣層形成于第一導(dǎo)電圖案層上，覆蓋薄膜晶體管區(qū)和焊盤區(qū)，層間絕緣層于焊盤區(qū)形成有顯露出焊盤電極的通孔；第二導(dǎo)電圖案層的端子焊盤通過形成于層間絕緣層的通孔與焊盤電極耦合。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的陣列基板，其特征在于，所述層間絕緣層于焊盤區(qū)形成的顯露出焊盤電極的通孔為一個或多個。
16.權(quán)利要求13所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 1)襯底，包括薄膜晶體管區(qū)和焊盤區(qū)，在襯底上形成覆蓋襯底緩沖層后，在緩沖成上形成位于薄膜晶體管區(qū)半導(dǎo)體層； 2)在半導(dǎo)體層上形成對應(yīng)覆蓋襯底的柵極絕緣層； 3)在柵極絕緣層上形成第一導(dǎo)電圖案層，包括位于薄膜晶體管區(qū)的柵電極和位于焊盤區(qū)的焊盤電極； 4)以柵電極為遮擋對半導(dǎo)體層進行離子摻雜，形成有源層，其包括位于柵電極下方的溝道區(qū)和溝道區(qū)兩側(cè)的源/漏區(qū)； 5)在第一導(dǎo)電圖案層上形成覆蓋薄膜晶體管區(qū)的層間絕緣層； 6)對層間絕緣層和柵極絕緣層進行刻蝕，形成顯露出源/漏區(qū)的源/漏接觸孔； 7)層間絕緣層上形成第二導(dǎo)電圖案層，其包括薄膜晶體管區(qū)A的兩個分隔開的源/漏極和焊盤區(qū)的端子焊盤，源/漏極通過源/漏接觸孔與有源層的源/漏區(qū)耦合，端子焊盤與焊盤電極耦合； 8)在第二導(dǎo)電圖案層上形成對應(yīng)覆蓋襯底的平坦化層，對平坦化層刻蝕，在薄膜晶體管區(qū)形成顯露出任一源/漏極的通孔，在焊盤區(qū)形成顯露出端子焊盤的通孔； 9)在薄膜晶體管區(qū)的平坦化層上形成像素電極，像素電極通過形成于平坦化層的通孔與任一源/漏極耦合。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制備方法，其特征在于，步驟3)在柵極絕緣層上形成覆蓋柵極絕緣層的第一導(dǎo)電層，對第一導(dǎo)電層進行刻蝕形成第一導(dǎo)電圖案層，包括位于薄膜晶體管區(qū)的柵電極和位于焊盤區(qū)的焊盤電極。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，步驟7)層間絕緣層上形成覆蓋層間絕緣層的第二導(dǎo)電層，對第二導(dǎo)電層進行刻蝕形成第二導(dǎo)電圖案層，其包括薄膜晶體管區(qū)A的兩個分隔開的源/漏極和焊盤區(qū)的端子焊盤，源/漏極通過源/漏接觸孔與有源層的源/漏區(qū)耦合，端子焊盤與焊盤電極耦合。
19.權(quán)利要求14或15所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: I)襯底，包括薄膜晶體管區(qū)和焊盤區(qū)，在襯底上形成覆蓋襯底緩沖層后，在緩沖成上形成位于薄膜晶體管區(qū)半導(dǎo)體層； 2)在半導(dǎo)體層上形成對應(yīng)覆蓋襯底的柵極絕緣層； 3)在柵極絕緣層上形成第一導(dǎo)電圖案層，包括位于薄膜晶體管區(qū)的柵電極和位于焊盤區(qū)的焊盤電極； 4)以柵電極為遮擋對半導(dǎo)體層進行離子摻雜，形成有源層，其包括位于柵電極下方的溝道區(qū)和溝道區(qū)兩側(cè)的源/漏區(qū)； 5)在第一導(dǎo)電圖案層上形成覆蓋薄膜晶體管區(qū)和焊盤區(qū)的層間絕緣層，對層間絕緣層進行刻蝕，在焊盤區(qū)形成顯露出焊盤電極的通孔； 6)對層間絕緣層和柵極絕緣層進行刻蝕，形成顯露出源/漏區(qū)的源/漏接觸孔； 7)層間絕緣層上形成第二導(dǎo)電圖案層，其包括薄膜晶體管區(qū)A的兩個分隔開的源/漏極和焊盤區(qū)的端子焊盤，源/漏極通過源/漏接觸孔與有源層的源/漏區(qū)耦合，端子焊盤形成于層間絕緣層的通孔與焊盤電極耦合； 8)在第二導(dǎo)電圖案層上形成對應(yīng)覆蓋襯底的平坦化層，對平坦化層刻蝕，在薄膜晶體管區(qū)形成顯露出任一源/漏極的通孔，在焊盤區(qū)形成顯露出端子焊盤的通孔； 9)在薄膜晶體管區(qū)的平坦化層上形成像素電極，像素電極通過形成于平坦化層的通孔與任一源/漏極耦合。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制備方法，其特征在于，步驟3)在柵極絕緣層上形成覆蓋柵極絕緣層的第一導(dǎo)電層，對第一導(dǎo)電層進行刻蝕形成第一導(dǎo)電圖案層，包括位于薄膜晶體管區(qū)的柵電極和位于焊盤區(qū)的焊盤電極。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制備方法，其特征在于，步驟7)層間絕緣層上形成覆蓋層間絕緣層的第二導(dǎo)電層，對第二導(dǎo)電層進行刻蝕形成第二導(dǎo)電圖案層，其包括薄膜晶體管區(qū)A的兩個分隔開的源/漏極和焊盤區(qū)的端子焊盤，源/漏極通過源/漏接觸孔與有源層的源/漏區(qū)耦合，端子焊盤通過形成于層間絕緣層的通孔與焊盤電極耦合。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機發(fā)光顯示器件的陣列基板及其制備方法。該陣列基板，薄膜晶體管區(qū)的源/漏極與焊盤區(qū)的端子焊盤由同一導(dǎo)電層形成，該導(dǎo)電層為多層復(fù)合層結(jié)構(gòu)，其從下至上包括底層、中間層和頂層，底層是導(dǎo)電金屬氮化物或金屬中的一種或多種構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)，中間層是由金屬中的一種或多種構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)，頂層是導(dǎo)電金屬氮化物中的一種或幾種構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的端子焊盤與源/漏極由同一具有多層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層形成，在不影響導(dǎo)電效果的前提下，避免端子焊盤短路或短路，且端子焊盤的邊緣在平坦化層內(nèi)，避免腐蝕。
【IPC分類】H01L21-48, H01L23-498, H01L27-12, H01L21-84, H01L27-32
【公開號】CN104733471
【申請?zhí)枴緾N201310715251
【發(fā)明人】劉巍, 魏朝剛
【申請人】昆山國顯光電有限公司
【公開日】2015年6月24日
【申請日】2013年12月23日