:鉭層，頂層:氮化鉭層。
[0016]優(yōu)選地，該陣列基板還包括平坦化層，其形成于薄膜晶體管區(qū)的源/漏極與焊盤區(qū)的端子焊盤上，對應(yīng)覆蓋該陣列基板的襯底，并形成有顯露出薄膜晶體管區(qū)的源/漏極的通孔和顯露出端子焊盤的通孔。
[0017]優(yōu)選地，該陣列基板還包括像素電極，其形成于平坦化層上，位于薄膜晶體管區(qū)，像素電極通過形成于平坦化層的通孔與源/漏極耦合。
[0018]優(yōu)選地，像素電極為三層結(jié)構(gòu)，其從下至上依次形成的第一像素電極層、第二像素電極層和第三像素電極層。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述第一像素電極層和第三像素電極層為透明導(dǎo)電材料，所述第二像素電極層為反射金屬。更優(yōu)選地，所述透明導(dǎo)電材料為ΙΤ0，所述反射金屬為Ag或Al。
[0019]作為優(yōu)選技術(shù)方案，薄膜晶體管區(qū)的柵電極與焊盤區(qū)的焊盤電極由同一導(dǎo)電層形成，所述端子焊盤與所述焊盤電極耦合。
[0020]作為較佳的優(yōu)選技術(shù)方案，上述的陣列基板，包括:
襯底，包括薄膜晶體管區(qū)和焊盤區(qū)；
緩沖層，覆蓋襯底；
有源層，形成于緩沖層上，位于薄膜晶體管區(qū)，其包括溝道區(qū)和位于溝道區(qū)兩側(cè)的源/漏區(qū)；
柵極絕緣層，形成于有源層上，對應(yīng)覆蓋整個襯底；
第一導(dǎo)電圖案層，形成于柵極絕緣層上，包括薄膜晶體管區(qū)的柵電極和焊盤區(qū)的焊盤電極，其中柵電極對應(yīng)位于有源層的溝道區(qū)上方；
層間絕緣層，形成于第一導(dǎo)電圖案層上，覆蓋薄膜晶體管區(qū)；
第二導(dǎo)電圖案層，形成于層間絕緣層上，包括薄膜晶體管區(qū)的兩個分隔開的源/漏極和焊盤區(qū)的端子焊盤，所述源/漏極通過形成于層間絕緣層和柵極絕緣層的源/漏接觸孔與有源層的源/漏區(qū)耦合，所述端子焊盤與焊盤電極耦合；其中，第二導(dǎo)電圖案層為多層復(fù)合層結(jié)構(gòu)，其從下至上包括底層、中間層和頂層，底層是導(dǎo)電金屬氮化物或金屬中的一種或多種構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)，中間層是由金屬中的一種或多種構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)，頂層是導(dǎo)電金屬氮化物中的一種或幾種構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)；
平坦化層，形成于第二導(dǎo)電圖案層上，其形成有顯露出薄膜晶體管區(qū)的源/漏極的通孔和顯露出端子焊盤的通孔；
像素電極，形成于平坦化層上，位于薄膜晶體管區(qū)，像素電極通過形成于平坦化層的通孔與任一源/漏極耦合。
[0021]作為另一優(yōu)選技術(shù)方案，層間絕緣層形成于第一導(dǎo)電圖案層上，覆蓋薄膜晶體管區(qū)和焊盤區(qū)，層間絕緣層于焊盤區(qū)形成有顯露出焊盤電極的通孔；第二導(dǎo)電圖案層的端子焊盤通過形成于層間絕緣層的通孔與焊盤電極耦合。所述層間絕緣層于焊盤區(qū)形成的顯露出焊盤電極的通孔為一個或多個。
[0022]本發(fā)明提供上述的陣列基板的制備方法，包括如下步驟:
1)襯底，包括薄膜晶體管區(qū)和焊盤區(qū)，在襯底上形成覆蓋襯底緩沖層后，在緩沖成上形成位于薄膜晶體管區(qū)半導(dǎo)體層；
2)在半導(dǎo)體層上形成對應(yīng)覆蓋襯底的柵極絕緣層；
3)在柵極絕緣層上形成第一導(dǎo)電圖案層，包括位于薄膜晶體管區(qū)的柵電極和位于焊盤區(qū)的焊盤電極；
4)以柵電極為遮擋對半導(dǎo)體層進(jìn)行離子摻雜，形成有源層，其包括位于柵電極下方的溝道區(qū)和溝道區(qū)兩側(cè)的源/漏區(qū)；
5)在第一導(dǎo)電圖案層上形成覆蓋薄膜晶體管區(qū)的層間絕緣層；
6)對層間絕緣層和柵極絕緣層進(jìn)行刻蝕，形成顯露出源/漏區(qū)的源/漏接觸孔；
7)層間絕緣層上形成第二導(dǎo)電圖案層，其包括薄膜晶體管區(qū)A的兩個分隔開的源/漏極和焊盤區(qū)的端子焊盤，源/漏極通過源/漏接觸孔與有源層的源/漏區(qū)耦合，端子焊盤與焊盤電極耦合；
8)在第二導(dǎo)電圖案層上形成對應(yīng)覆蓋襯底的平坦化層，對平坦化層刻蝕，在薄膜晶體管區(qū)形成顯露出任一源/漏極的通孔，在焊盤區(qū)形成顯露出端子焊盤的通孔；
9)在薄膜晶體管區(qū)的平坦化層上形成像素電極，像素電極通過形成于平坦化層的通孔與任一源/漏極耦合。
[0023]作為優(yōu)選技術(shù)方案，步驟3)在柵極絕緣層上形成覆蓋柵極絕緣層的第一導(dǎo)電層，對第一導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕形成第一導(dǎo)電圖案層，包括位于薄膜晶體管區(qū)的柵電極和位于焊盤區(qū)的焊盤電極。
[0024]作為優(yōu)選技術(shù)方案，步驟7)層間絕緣層上形成覆蓋層間絕緣層的第二導(dǎo)電層，對第二導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕形成第二導(dǎo)電圖案層，其包括薄膜晶體管區(qū)A的兩個分隔開的源/漏極和焊盤區(qū)的端子焊盤，源/漏極通過源/漏接觸孔與有源層的源/漏區(qū)耦合，端子焊盤與焊盤電極耦合。
[0025]本發(fā)明提供另一上述的陣列基板的制備方法，包括如下步驟:
I)襯底，包括薄膜晶體管區(qū)和焊盤區(qū)，在襯底上形成覆蓋襯底緩沖層后，在緩沖成上形成位于薄膜晶體管區(qū)半導(dǎo)體層；
2)在半導(dǎo)體層上形成對應(yīng)覆蓋襯底的柵極絕緣層；
3)在柵極絕緣層上形成第一導(dǎo)電圖案層，包括位于薄膜晶體管區(qū)的柵電極和位于焊盤區(qū)的焊盤電極；
4)以柵電極為遮擋對半導(dǎo)體層進(jìn)行離子摻雜，形成有源層，其包括位于柵電極下方的溝道區(qū)和溝道區(qū)兩側(cè)的源/漏區(qū)；
5)在第一導(dǎo)電圖案層上形成覆蓋薄膜晶體管區(qū)和焊盤區(qū)的層間絕緣層，對層間絕緣層進(jìn)行刻蝕，在焊盤區(qū)形成顯露出焊盤電極的通孔；
6)對層間絕緣層和柵極絕緣層進(jìn)行刻蝕，形成顯露出源/漏區(qū)的源/漏接觸孔；
7)層間絕緣層上形成第二導(dǎo)電圖案層，其包括薄膜晶體管區(qū)A的兩個分隔開的源/漏極和焊盤區(qū)的端子焊盤，源/漏極通過源/漏接觸孔與有源層的源/漏區(qū)耦合，端子焊盤形成于層間絕緣層的通孔與焊盤電極耦合；
8)在第二導(dǎo)電圖案層上形成對應(yīng)覆蓋襯底的平坦化層，對平坦化層刻蝕，在薄膜晶體管區(qū)形成顯露出任一源/漏極的通孔，在焊盤區(qū)形成顯露出端子焊盤的通孔；
9)在薄膜晶體管區(qū)的平坦化層上形成像素電極，像素電極通過形成于平坦化層的通孔與任一源/漏極耦合。
[0026]作為優(yōu)選技術(shù)方案，步驟3)在柵極絕緣層上形成覆蓋柵極絕緣層的第一導(dǎo)電層，對第一導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕形成第一導(dǎo)電圖案層，包括位于薄膜晶體管區(qū)的柵電極和位于焊盤區(qū)的焊盤電極。
[0027]作為優(yōu)選技術(shù)方案，步驟7)層間絕緣層上形成覆蓋層間絕緣層的第二導(dǎo)電層，對第二導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕形成第二導(dǎo)電圖案層，其包括薄膜晶體管區(qū)A的兩個分隔開的源/漏極和焊盤區(qū)的端子焊盤，源/漏極通過源/漏接觸孔與有源層的源/漏區(qū)耦合，端子焊盤通過形成于層間絕緣層的通孔與焊盤電極耦合。
[0028]本發(fā)明提供的技術(shù)方案能夠達(dá)到以下效果:焊盤區(qū)的端子焊盤與薄膜晶體管區(qū)的源/漏極由同一導(dǎo)電層形成，該導(dǎo)電層為多層復(fù)合層結(jié)構(gòu)，其底層為導(dǎo)電金屬氮化物或金屬構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)，中間層為金屬構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)，頂層為導(dǎo)電金屬氮化物構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)中，中間層選擇了導(dǎo)電性良好的金屬層，頂層選擇了對濕氣不敏感且具有導(dǎo)電性的金屬氮化物兼顧導(dǎo)電和穩(wěn)定的特性，底層同樣兼顧導(dǎo)電和穩(wěn)定的特性。在不影響導(dǎo)電效果的前提下，該端子焊盤能夠避免現(xiàn)有技術(shù)中的端子焊盤易短路或短路的問題。并且由于端子焊盤的邊緣在平坦化層內(nèi)，側(cè)面不接觸空氣，避免了腐蝕問題。
[0029]總之，利用本發(fā)明，不增加光罩的同時解決了焊盤邦定端子區(qū)域金屬腐蝕的問題，同時亦可提升該區(qū)域FOG (Film On Glass)及COG (Chip On Glass)邦定重工良率。
【附圖說明】
[0030]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中有機(jī)發(fā)光顯示器件的陣列基板的截面示意圖。
[0031]圖2是有機(jī)發(fā)光顯示器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]圖3是本發(fā)明實(shí)施例1的有機(jī)發(fā)光顯示器件的陣列基板的截面示意圖。
[0033]圖4是本發(fā)明實(shí)施例2的有機(jī)發(fā)光顯示器件的陣列基板的截面示意圖一。
[0034]圖5是本發(fā)明實(shí)施例2的有機(jī)發(fā)光顯示器件的陣列基板的截面示意圖二。
【具體實(shí)施方式】
[0035]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明并能予以實(shí)施，但所舉實(shí)施例不作為對本發(fā)明的限定。
[0036]實(shí)施例1
如圖2所示，有機(jī)發(fā)光顯示器件OLED包括顯示區(qū)A’和焊盤區(qū)B，顯示區(qū)A’位于襯底1