一種有機(jī)發(fā)光顯示器件的陣列基板及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示器件領(lǐng)域，具體涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示器件的陣列基板及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光顯示器件(OLED )是主動發(fā)光器件。相比現(xiàn)在的主流平板顯示技術(shù)薄膜晶體管液晶顯示器(TFT -1XD )，OLED具有高對比度，廣視角，低功耗，體積更薄等優(yōu)點(diǎn)，有望成為繼LCD之后的下一代平板顯示技術(shù)，是目前平板顯示技術(shù)中受到關(guān)注最多的技術(shù)之一。目前OLED的陣列基板通常由多層金屬及多層絕緣膜構(gòu)成，可以采用如鑰，鑰鎢，鋁，釹化鋁(Mo，Moff, Al，AlNd)等金屬通過濺鍍的方式形成第一層金屬并作為TFT的柵極，可以采用化學(xué)氣相沉積的方式形成SiNx，S12等絕緣層作為TFT的柵極絕緣層，可以采用濺鍍的方式形成如鈦鋁鈦，鑰鋁鑰，鑰(Ti/Al/Ti，M0/Al/Mo，Mo)等金屬并作為TFT的源極和漏極；可以采用化學(xué)氣相沉積的方式形成SiNx，S12等絕緣層作為柵極和源漏極間的隔離絕緣層，AMOLED頂發(fā)光器件陽極普遍采用透明電極/反射電極/透明電極的結(jié)構(gòu)(如氧化銦錫/銀/氧化銦錫，IT0/Ag/IT0),同時在外圍端子區(qū)域和柔性線路板(FPC)及IC邦定的區(qū)域也是采用陽極來和FPC金手指接觸形成導(dǎo)通連接，但是由于電極通電后會有高低電位的變化，同時由于水氧進(jìn)入，非常容易使得ITO及Ag間發(fā)生電化學(xué)腐蝕，從而造成走線的短路或斷路。
[0003]結(jié)合圖1、2所示，OLED包括顯示區(qū)A’和焊盤區(qū)B，顯示區(qū)A’位于襯底10的預(yù)定區(qū)域上以顯示圖像。顯示區(qū)A’具有單元像素陣列(圖中未示出)和在該單元像素陣列周圍的驅(qū)動電路(圖中未示出)，其中該單元像素陣列具有按矩陣排列的單元像素，并且驅(qū)動電路驅(qū)動單元像素。每個單元像素包括至少一個薄膜晶體管(圖中未示出)和與其電連接的一像素電極(圖中未示出)。該薄膜晶體管包括一有源層、柵電極和源/漏電極。該像素電極可具有導(dǎo)電層的至少一個多層結(jié)構(gòu)，封裝區(qū)域C包圍顯示區(qū)A’，該封裝區(qū)域C保護(hù)顯示區(qū)A’中的單元像素免受外部濕氣和氧氣的影響。此外，在封裝區(qū)域C處施加粘合襯底10和封裝襯底的密封劑。
[0004]焊盤區(qū)B位于顯示區(qū)A’和封裝區(qū)域C的外側(cè)，并且其是用于將施加電信號的外部模塊連接至顯示區(qū)A’的區(qū)域。在顯示區(qū)A’和焊盤區(qū)B之間布置用于傳輸該電信號的各種布線。
[0005]焊盤區(qū)B具有與這些布線電連接的至少一個焊盤電極。焊盤電極可由與柵電極或源/漏電極相同的層形成。當(dāng)焊盤電極由與源/漏電極相同的層形成時，柵極焊盤可置于焊盤電極之下并由與柵電極相同的層形成。焊盤電極或者柵極焊盤可與布線電連接。在此情況下，端子焊盤即源/漏電極相同的層形成的焊盤可與外部模塊連接。
[0006]具體地，目前傳統(tǒng)的有源矩陣OLED陣列基板的剖視截面示意圖如圖1。襯底10包括有顯示區(qū)(顯示區(qū)除薄膜晶體管區(qū)外還包括有電容器等結(jié)構(gòu)圖中未示出)的薄膜晶體管區(qū)A和焊盤區(qū)B。緩沖層11形成于襯底10上，覆蓋襯底10，有源層20形成于緩沖層上，位于薄膜晶體管區(qū)A上，其中該有源層20具有溝道區(qū)201和位于溝道區(qū)201兩側(cè)的源/漏區(qū)202。柵極絕緣層30形成于有源層20上，并對應(yīng)覆蓋襯底10的整個表面上。柵電極40形成于柵極絕緣層30上，對應(yīng)于位于溝道區(qū)201的上方。隨后，層間絕緣層50形成于柵電極上，并對應(yīng)覆蓋襯底的整個表面。在薄膜晶體管區(qū)A的層間絕緣層50和柵極絕緣層30形成有顯露出源/漏區(qū)202的源/漏接觸孔。分隔開的兩個源/漏電極61形成于層間絕緣層50上，其中源/漏電極61通過源/漏接觸孔與源/漏區(qū)202耦合。同時，焊盤電極62 (焊盤電極62與源/漏電極61由同一金屬層刻蝕形成)形成于焊盤區(qū)B的層間絕緣層50上。平坦化層70形成于源/漏電極61和焊盤電極62上，對應(yīng)覆蓋襯底的整個表面上。平坦化層70上形成有暴露出源/漏電極61中任一個的通孔701和暴露焊盤電極62的焊盤接觸孔 702。
[0007]隨后，底層透明導(dǎo)電薄膜層100 (氧化銦錫(ITO))、高反射金屬層200 (銀(Ag))和頂層透明導(dǎo)電薄膜層300 (氧化銦錫(ITO))依次沉積并被圖案化于平坦化層70上。在薄膜晶體管區(qū)A形成由底層透明導(dǎo)電薄膜層100 (氧化銦錫(ITO))、高反射金屬層200 (銀(Ag))和頂層透明導(dǎo)電薄膜層300構(gòu)成的像素電極81，像素電極81通過通孔701與源/漏電極61耦合。同時，在焊盤區(qū)B形成由底層透明導(dǎo)電薄膜層100(氧化銦錫(ITO))、高反射金屬層200 (銀(Ag))和頂層透明導(dǎo)電薄膜層300構(gòu)成的端子焊盤82，端子焊盤82通過焊盤接觸孔702與焊盤電極62耦合。從而，像素電極81和端子焊盤82均由底層透明導(dǎo)電薄膜層100 (氧化銦錫(ITO))、高反射金屬層200 (銀(Ag))和頂層透明導(dǎo)電薄膜層300 (氧化銦錫(ITO))形成。因此，作為反射層，高反射金屬層200 (Ag層)反射從發(fā)光層發(fā)出的光，從而形成頂部發(fā)射式0LED,其在與襯底10相反的方向上發(fā)出光線。
[0008]在OLED被制造后，端子焊盤82與外部模塊結(jié)合起來，并傳輸從外部模塊輸入的電信號。從而，端子焊盤82易受外部濕氣或者氧氣侵害。如前面所述，端子焊盤82由ITO層、Ag層和ITO層形成。這些層可能同時暴露于濕氣中，尤其是在端子焊盤82的側(cè)面P。在此情況下，在Ag層和ITO層之間可能產(chǎn)生原電池現(xiàn)象(galvanic phenomenon)。當(dāng)具有不同電動勢(EMF)的材料同時暴露于腐蝕溶液時就發(fā)生此現(xiàn)象。具有較高EMF的材料被腐蝕。當(dāng)端子焊盤65腐蝕時，與外部模塊結(jié)合后，其可靠性就可能降低。這導(dǎo)致OLED中的缺陷，并且使得產(chǎn)率下降。當(dāng)焊盤電極具有由對外部濕氣或氧氣敏感的材料構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)時，焊盤可靠性的降低也可能產(chǎn)生。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:目前AMOLED頂發(fā)射有機(jī)發(fā)光顯示器件陽極普遍采用透明導(dǎo)電薄膜/反射電極/透明導(dǎo)電薄膜的三層結(jié)構(gòu)(如IT0/Ag/IT0)，同時在外圍端子區(qū)域和柔性線路板(FPC)及IC邦定的區(qū)域(焊盤區(qū))也是采用陽極(IT0/Ag/IT0)來和FPC金手指接觸形成導(dǎo)通連接，但是由于(IT0/Ag/IT0)電極通電后會有高低電位的變化，同時由于水氧進(jìn)入，非常容易引起ITO及Ag間發(fā)生電化學(xué)腐蝕，從而造成走線的短路或斷路。
[0010]本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光顯示器件的陣列基板，包括薄膜晶體管區(qū)和焊盤區(qū)，其中，薄膜晶體管區(qū)的源/漏極與焊盤區(qū)的端子焊盤(端子焊盤是指焊盤區(qū)頂部的電連接區(qū))由同一導(dǎo)電層形成，該導(dǎo)電層為多層復(fù)合層結(jié)構(gòu)，其從下至上包括底層、中間層和頂層，底層是導(dǎo)電金屬氮化物或金屬中的一種或多種構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)，中間層是由金屬中的一種或多種構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)，頂層是導(dǎo)電金屬氮化物中的一種或幾種構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)。
[0011]優(yōu)選地，底層是由TiN、TaN、Al、Ti或Ta中的一種或多種構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)，中間層是Al、Ag或Cu中的一種或多種的單層或多層結(jié)構(gòu)，頂層是由TiN或TaN中的一種或兩種構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)。
[0012]優(yōu)選地，所述頂層和中間層之間還設(shè)有過渡層，所述過渡層為Ti或Ta中的一種或兩種構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)。
[0013]優(yōu)選地，底層是由TiN層、TaN層、Al層、Ti層或Ta層中的一種構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)或由其兩種以上任意組合構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)，中間層是Al層、Ag層或Cu層中的一種或多種的單層或多層結(jié)構(gòu)，頂層是由TiN層或TaN層中的一種構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)或二者構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。
[0014]優(yōu)選地，所述頂層和中間層之間還設(shè)有過渡層，所述過渡層為Ti層或Ta層中的一種構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)或兩種構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。
[0015]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電層為多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，該多層復(fù)合結(jié)構(gòu)為:底層:鈦層，中間層:招層，頂層:氮化鈦層；底層:氮化鈦層，中間層:鋁層，頂層:氮化鈦層；底層:鉭層，中間層:鋁層，頂層:氮化鉭層；底層:氮化鉭層，中間層:鋁層，頂層:氮化鉭；底層:氮化鈦層和鈦層構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)，中間層:鋁層，過渡層:鈦層，頂層:氮化鈦層；或者，底層:氮化鉭層和鉭層構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)，中間層:鋁層，過渡層