地，可采用在緩沖層110上覆蓋緩沖層110的半導體層，對半導體層進行刻蝕，形成位于薄膜晶體管區(qū)的半導體層，其余部分除去；
2)在半導體層上形成對應覆蓋襯底100的柵極絕緣層300；
3)在柵極絕緣層300上構圖并形成第一導電圖案層，包括位于薄膜晶體管區(qū)A的柵電極410和位于焊盤區(qū)B的焊盤電極420。具體地，可采用濺鍍等方式直接形成，也可采用在柵極絕緣層300上沉積形成覆蓋柵極絕緣層300的第一導電層，對第一導電層進行刻蝕，形成第一導電圖案層；
4)以柵電極410為遮擋對半導體層進行離子摻雜(如:B+等)，形成有源層200，其包括位于柵電極下方的溝道區(qū)210和溝道區(qū)兩側的源/漏區(qū)220 ；
5)在第一導電圖案層上形成覆蓋薄膜晶體管區(qū)A的層間絕緣層500。具體地，可采用在第一導電圖案層上形成對應覆蓋襯底100的層間絕緣層500，刻蝕除去層間絕緣層500位于焊盤區(qū)B的部分；
6)對層間絕緣層500和柵極絕緣層300進行刻蝕，形成顯露出源/漏區(qū)的源/漏接觸孔；
7)層間絕緣層500上構圖形成第二導電圖案層，其包括薄膜晶體管區(qū)A的兩個分隔開的源/漏極610和焊盤區(qū)的端子焊盤620，源/漏極610通過源/漏接觸孔于有源層200的源/漏區(qū)220耦合，端子焊盤620與焊盤電極420耦合。具體地，可采用在層間絕緣層500上形成對應覆蓋襯底100的第二導電層，對第二導電層進行刻蝕，形成第二導電圖案層；
8)在第二導電圖案層上形成對應覆蓋襯底的平坦化層700，對平坦化層700刻蝕，在薄膜晶體管區(qū)A形成顯露出任一源/漏極610的通孔，在焊盤區(qū)B形成顯露出端子焊盤620的通孔。具體地，可采用濺鍍等方式直接形成，也可采用在第二導電圖案層上形成對應覆蓋襯底100的平坦化層700，在平坦化層700上形成光致杭性劑圖案(圖中未示出)，該光致杭性劑圖案顯露出薄膜晶體管區(qū)A和焊盤區(qū)B的預定區(qū)域，以光致杭性劑圖案作為掩膜對平坦化層700進行刻蝕，在薄膜晶體管區(qū)A形成顯露出任一源/漏極610的通孔7001，在焊盤區(qū)形成顯露出端子焊盤620的通孔7002 ；
9)在薄膜晶體管區(qū)A的平坦化層700上形成像素電極800，像素電極800通過通孔7001與任一源/漏極610耦合。具體地，可采用濺射或真空沉積，利用高精度掩膜，將像素電極的第一像素電極層810沉積于薄膜晶體管區(qū)A的平坦化層700上，第一像素電極層810通過通孔7001與任一源/漏極610耦合，利用相同的方式將第二像素電極層820和第三像素電極層830沉積于第一像素電極層810上，以此形成像素電極。還可采用在平坦化層700上形成對應覆蓋襯底100的像素電極層(包括依次形成的第一像素電極層810、第二像素電極層820和第三像素電極層830)，將像素電極層800位于焊盤區(qū)B的部分刻蝕除去，在薄膜晶體管區(qū)A形成像素電極800。
[0043]實施例2
如圖4和5所示，本實施例的陣列基板與實施例1基本相同，區(qū)別在于:層間絕緣層500形成于第一導電圖案層上，覆蓋薄膜晶體管區(qū)A和焊盤區(qū)B，層間絕緣層500于焊盤區(qū)B形成有顯露出焊盤電極420的通孔；第二導電圖案層的端子焊盤620通過形成于層間絕緣層500的通孔5001與焊盤電極420耦合。該通孔5001可為一個(如圖4所示)，也可為多個(如圖5所示)。
[0044]上述的陣列基板的制備方法，包括如下步驟:
1)襯底100，包括薄膜晶體管區(qū)A和焊盤區(qū)B，在襯底100上形成覆蓋襯底100的緩沖層110后，在緩沖層110上形成位于薄膜晶體管區(qū)A半導體層(可為非晶硅或多晶硅材料構成)。具體地，可采用在緩沖層110上覆蓋緩沖層110的半導體層，對半導體層進行刻蝕，形成位于薄膜晶體管區(qū)的半導體層，其余部分除去；
2)在半導體層上形成對應覆蓋襯底100的柵極絕緣層300；
3)在柵極絕緣層300上構圖并形成第一導電圖案層，包括位于薄膜晶體管區(qū)A的柵電極410和位于焊盤區(qū)B的焊盤電極420。具體地，可采用濺鍍等方式直接形成，也可采用在柵極絕緣層300上沉積形成覆蓋柵極絕緣層300的第一導電層，對第一導電層進行刻蝕，形成第一導電圖案層；
4)以柵電極410為遮擋對半導體層進行離子摻雜(如:B+等)，形成有源層200，其包括位于柵電極下方的溝道區(qū)210和溝道區(qū)兩側的源/漏區(qū)220 ；
5)在第一導電圖案層上形成覆蓋薄膜晶體管區(qū)A和焊盤區(qū)B的層間絕緣層500，對層間絕緣層500進行刻蝕使其在焊盤區(qū)B形成一個或多個顯露出焊盤電極420的通孔5001 ；
6)對層間絕緣層500和柵極絕緣層300進行刻蝕，形成顯露出源/漏區(qū)的源/漏接觸孔；
7)層間絕緣層500上構圖形成第二導電圖案層，其包括薄膜晶體管區(qū)A的兩個分隔開的源/漏極610和焊盤區(qū)的端子焊盤620，源/漏極610通過源/漏接觸孔于有源層200的源/漏區(qū)220耦合，端子焊盤620通過通孔5001與焊盤電極420耦合。具體地，可采用在層間絕緣層500上形成對應覆蓋襯底100的第二導電層，對第二導電層進行刻蝕，形成第二導電圖案層；
8)在第二導電圖案層上形成對應覆蓋襯底的平坦化層700，對平坦化層700刻蝕，在薄膜晶體管區(qū)A形成顯露出任一源/漏極610的通孔，在焊盤區(qū)B形成顯露出端子焊盤620的通孔。具體地，可采用濺鍍等方式直接形成，也可采用在第二導電圖案層上形成對應覆蓋襯底100的平坦化層700，在平坦化層700上形成光致杭性劑圖案(圖中未示出)，該光致杭性劑圖案顯露出薄膜晶體管區(qū)A和焊盤區(qū)B的預定區(qū)域，以光致杭性劑圖案作為掩膜對平坦化層700進行刻蝕，在薄膜晶體管區(qū)A形成顯露出任一源/漏極610的通孔7001，在焊盤區(qū)形成顯露出端子焊盤620的通孔7002 ；
9)在薄膜晶體管區(qū)A的平坦化層700上形成像素電極800，像素電極800通過通孔7001與任一源/漏極610耦合。具體地，可采用濺射或真空沉積，利用高精度掩膜，將像素電極的第一像素電極層810沉積于薄膜晶體管區(qū)A的平坦化層700上，第一像素電極層810通過通孔7001與任一源/漏極610耦合，利用相同的方式將第二像素電極層820和第三像素電極層830沉積于第一像素電極層810上，以此形成像素電極。還可采用在平坦化層700上形成對應覆蓋襯底100的像素電極層(包括依次形成的第一像素電極層810、第二像素電極層820和第三像素電極層830)，將像素電極層800位于焊盤區(qū)B的部分刻蝕除去，在薄膜晶體管區(qū)形成像素電極800。
[0045]以上所述實施例僅是為充分說明本發(fā)明而所舉的較佳的實施例，本發(fā)明的保護范圍不限于此。本技術領域的技術人員在本發(fā)明基礎上所作的等同替代或變換，均在本發(fā)明的保護范圍之內。本發(fā)明的保護范圍以權利要求書為準。
【主權項】
1.一種有機發(fā)光顯示器件的陣列基板，包括薄膜晶體管區(qū)和焊盤區(qū)，其特征在于，薄膜晶體管區(qū)的源/漏極與焊盤區(qū)的端子焊盤由同一導電層形成，該導電層為多層復合層結構，其從下至上包括底層、中間層和頂層，底層是導電金屬氮化物或金屬中的一種或多種構成的單層或多層結構，中間層是由金屬中的一種或多種構成的單層或多層結構，頂層是導電金屬氮化物中的一種或幾種構成的單層或多層結構。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，底層是由TiN、TaN,Al、Ti或Ta中的一種或多種構成的單層或多層結構，中間層是Al ,Ag或Cu中的一種或多種的單層或多層結構，頂層是由TiN或TaN中的一種或兩種構成的單層或多層結構。
3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述頂層和中間層之間還設有過渡層，所述過渡層為Ti或Ta中的一種或兩種構成的單層或多層結構。
4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，底層是由TiN層、TaN層、Al層、Ti層或Ta層中的一種構成的單層結構或由其兩種以上任意組合構成的多層結構，中間層是Al層、Ag層或Cu層中的一種或多種的單層或多層結構，頂層是由TiN層或TaN層中的一種構成的單層結構或二者構成的多層結構。
5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述頂層和中間