00的預定區(qū)域上以顯示圖像。顯示區(qū)A’具有單元像素陣列和在該單元像素陣列周圍的驅(qū)動電路，其中該單元像素陣列具有按矩陣排列的單元像素，并且驅(qū)動電路驅(qū)動單元像素。每個單元像素包括至少一個薄膜晶體管和與其電連接的一像素電極。薄膜晶體管包括一有源層、柵電極和源/漏電極。該像素電極可具有導電層的至少一個多層結(jié)構(gòu)，封裝區(qū)域C包圍顯示區(qū)A，該封裝區(qū)域C保護顯示區(qū)A’中的單元像素免受外部濕氣和氧氣的影響。此外，在封裝區(qū)域C處施加粘合襯底10和封裝襯底的密封劑。
[0037]焊盤區(qū)B位于顯示區(qū)A’和封裝區(qū)域C的外側(cè)，并且其是用于將施加電信號的外部模塊連接至顯示區(qū)A’的區(qū)域。在顯示區(qū)A’和焊盤區(qū)B之間布置用于傳輸該電信號的各種布線。
[0038]做為一較佳實施方式，如圖3所不,本實施例的有機發(fā)光顯不器件的陣列基板，同樣包括顯示區(qū)和焊盤區(qū)，本實施例僅描述顯示區(qū)的薄膜晶體管區(qū)A和焊盤圖B的結(jié)構(gòu)(顯示區(qū)除薄膜晶體管區(qū)外還包括有電容器等結(jié)構(gòu)圖中未示出)，包括:
襯底100，包括薄膜晶體管區(qū)A和焊盤區(qū)B，可為玻璃或者塑料襯底；
緩沖層110，緩沖層110形成于襯底100的整個表面上以保護隨后形成的薄膜晶體管免受諸如堿性離子的雜質(zhì)的影響，并且其可由氧化硅層或者氮化硅層形成，其中該雜質(zhì)自襯底100中流出。
[0039]有源層200，形成于襯底100上，位于薄膜晶體管區(qū)A，其包括溝道區(qū)210和位于溝道區(qū)兩側(cè)的源/漏區(qū)220，有源層200可由非晶硅或多晶硅等半導體材料摻雜離子后形成；
柵極絕緣層300，形成于有源層200上，對應覆蓋整個襯底100。柵極絕緣層可為SiNx, S12等絕緣材料構(gòu)成的絕緣層；
第一導電圖案層，形成于柵極絕緣層300上，包括薄膜晶體管區(qū)A的柵電極410和焊盤區(qū)B的焊盤電極420，其中柵電極310對應位于有源層200的溝道區(qū)210上方。焊盤電極420與連接焊盤區(qū)域B和顯示區(qū)A’的至少一個布線(圖中未示出)電連接，該布線可以是公共電源布線或者數(shù)據(jù)布線。柵電極410和焊盤電極420，可由鑰，鑰鎢，鋁，釹化鋁等金屬構(gòu)成，優(yōu)選由對濕氣不敏感并且具有優(yōu)良導電性的材料形成，更加優(yōu)選地，它們可由鑰合金形成，最優(yōu)選地，鑰合金是鑰鎢合金；
層間絕緣層500，形成于第一導電圖案層上，覆蓋薄膜晶體管區(qū)A。層間絕緣層500可為SiNx，S12等絕緣材料構(gòu)成的絕緣層；
第二導電圖案層，形成于層間絕緣層500上，包括薄膜晶體管區(qū)A的兩個分隔開的源/漏極610和焊盤區(qū)的端子焊盤620，源/漏極610通過形成于層間絕緣層500和柵極絕緣層300的源/漏接觸孔與有源層200的源/漏區(qū)220耦合，所述端子焊盤620與焊盤電極420耦合；為避免端子焊盤被腐蝕，源/漏極610和端子焊盤620選擇對濕氣不敏感且具有優(yōu)良導電性的材料，優(yōu)選為多層復合層結(jié)構(gòu)，其從下至上包括底層(源/漏極底層611、焊盤電極底層621)、中間層(源/漏極中間層612、焊盤電極底層622)和頂層(源/漏極頂層613、焊盤電極底層623)。底層是導電金屬氮化物或金屬中的一種或多種構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)(包括單一材料層構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)、復合材料層構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)或單一材料層和/或復合材料層中的兩種以上構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu))，中間層是由金屬中的一種或多種構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)(包括單一材料層構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)、復合材料層構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)或單一材料層和/或復合材料層中的兩種以上構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu))，頂層是導電金屬氮化物中的一種或幾種構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)(包括單一材料層構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)、復合材料層構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)或單一材料層和/或復合材料層中的兩種以上構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu))。以此，構(gòu)成一種頂層兼顧導電和穩(wěn)定的特性，中間層導電特性好，底層也是兼顧導電和穩(wěn)定的特性的多層復合層結(jié)構(gòu)，其中，根據(jù)實際工藝，底層和頂層之間還可設有過渡層(圖中未示出)，過渡層也是兼顧導電和穩(wěn)定的特性。優(yōu)選地，底層是由TiN、TaN、Al、Ti或Ta中的一種或多種構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)(例如:單層結(jié)構(gòu)可為:TiN層，TaN層，Al層，Ti層，Ta層，或者TiN、TaN、Al、Ti或Ta中的兩種以上構(gòu)成的復合材料層；多層結(jié)構(gòu)可為:單層結(jié)構(gòu)中所列的各層中選擇兩種以上形成多層結(jié)構(gòu))；中間層是Al、Ag或Cu中的一種或多種構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)(例如，單層結(jié)構(gòu)可為:A1層、Ag層或Cu層，Al、Ag或Cu中兩種以上構(gòu)成的復合材料層；多層結(jié)構(gòu)可為單層結(jié)構(gòu)中所列的各層中選擇兩種以上形成多層結(jié)構(gòu));頂層是由TiN或TaN中的一種或兩種構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)(例如:單層結(jié)構(gòu)可為:TiN層、TaN層或TiN和TaN的構(gòu)成的復合材料層；多層結(jié)構(gòu)可為:TiN層、TaN層或TiN和TaN的構(gòu)成的復合材料層中任意選擇兩種以上構(gòu)成多層結(jié)構(gòu))；當中間層和頂層之間存在過渡層時，過渡層為Ti和Ta中的一種或兩種構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)(例如，單層結(jié)構(gòu)可為:Ti層、Ta層，Ti和Ta構(gòu)成的復合材料層；多層結(jié)構(gòu)可為單層結(jié)構(gòu)中所列的各層中選擇兩種以上形成多層結(jié)構(gòu)，如=Ti層/Ta層復合層，Ti層/Ta層/ Ti層見合層等等)。更優(yōu)選地，底層是由TiN層、TaN層、Al層、Ti層或Ta層中的一種構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)或由其兩種以上任意組合構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)；中間層是Al層、Ag層或Cu層中的一種或多種的單層或多層結(jié)構(gòu)；頂層是由TiN層或TaN層中的一種構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)或二者構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)(如:TiN層/TaN層復合層，TiN層/TaN層/ TiN層復合層等等)；過渡層是由Ti層或Ta層中的一種或兩種構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)。
[0040]源/漏極610和端子焊盤620，僅由底層、中間層和頂層構(gòu)成時，各層舉例如下:底層:鈦層，中間層:鋁層，頂層:氮化鈦層(Ti/Al/TiN);底層:氮化鈦層，中間層:鋁層，頂層:風化欽層(TiN/Al/ TiN);底層:組，中間層:招，頂層:風化組層(Ta/Al/ TaN);底層:風化鉭，中間層:鋁，頂層:氮化鉭(TaN/Al/ TaN)等。優(yōu)選為Ti/Al/ TiN的結(jié)構(gòu)。當中間層和頂層之間存在過渡層時，各層舉例如下:底層:氮化鈦層和鈦層復合層，中間層:鋁層，過渡層:鈦層，頂層為氮化鈦層(即TiN/Ti/Al/Ti/TiN);或者，底層:氮化鉭層和鉭層復合層，中間層:鋁層，過渡層:鉭層，頂層:氮化鉭層(TaN/Ta/Al/Ta/TaN)；
平坦化層700，形成于第二導電圖案層上，其形成有顯露出薄膜晶體管區(qū)A的源/漏極的通孔7001和顯露出端子焊盤的通孔7002。平坦化層700可以是有機或無機材料或有機材料和無機材料的組合，有機材料可以是聚酰亞胺，丙烯酸樹脂酚樹脂中的至少一種，無機材料可以是SiNx，S1x或它們的組合形成；
像素電極800，形成于平坦化層700上，位于薄膜晶體管區(qū)A，像素電極通過形成于平坦化層的通孔7001與任一源/漏極610耦合。像素電極為三層結(jié)構(gòu)，包括從下至上依次形成的第一像素電極層810、第二像素電極層820和第三像素電極層830，第一像素電極層810通過通孔7001與任一源/漏極610耦合。第二像素電極層820可由導電反射層形成，而第一像素電極層810和第三像素電極層由導電透明層830形成。優(yōu)選地，導電反射層由從包括具有至少60%的反射率的鋁(Al).鋁合金、銀(Ag)、銀合金、以及它們的合金的組中選出的任一種形成。導電透明層優(yōu)選由ITO或氧化錮鋅(IZO)形成，其具有允許空穴被容易地注入到隨后形成的有機發(fā)射層內(nèi)的功函數(shù)。
[0041]與現(xiàn)有技術不同，在本實施例中，焊盤區(qū)域B由于采用了性能穩(wěn)定的多層源漏極金屬作為端子焊盤(包括底層、中間層和頂層，在中間層和頂層之間還可包括過渡層)，避免了傳統(tǒng)的采用陽極作為端子焊盤帶來的腐蝕問題，最終導致焊盤可靠性的下降。從而，不增加光罩的同時解決了焊盤邦定端子區(qū)域金屬腐蝕的問題，同時亦可提升該區(qū)域FOG (FilmOn Glass)及 COG (Chip On Glass)邦定重工良率。
[0042]上述的陣列基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟:
1)襯底100，包括薄膜晶體管區(qū)A和焊盤區(qū)B，在襯底100上形成覆蓋襯底100的緩沖層110后，在緩沖層110上形成位于薄膜晶體管區(qū)A半導體層(可為非晶硅或多晶硅材料構(gòu)成)。具體