發(fā)光元件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光元件，特別是涉及發(fā)光元件的電極配置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，為了可進(jìn)行均一的發(fā)光而對發(fā)光元件進(jìn)行了各種開發(fā)。例如，作為具有四邊形外形的發(fā)光元件的電極構(gòu)造，提案有將第二電極及第一電極的一方配置于發(fā)光元件上面的中心，且以將一電極的周圍包圍的方式配置有另一電極的發(fā)光元件(專利文獻(xiàn)I?3)。
[0003]專利文獻(xiàn)1:(日本)特開2011 - 61077號公報
[0004]專利文獻(xiàn)2:(日本)特開2012 — 89695號公報
[0005]專利文獻(xiàn)3:(日本)特開2011 — 139037號公報
[0006]這些各種電極構(gòu)造分別是為了以遍及發(fā)光元件的整個面而射出均一的光的方式實(shí)現(xiàn)電流密度的均一分布而提案的構(gòu)造。但是，即使實(shí)際采用這些電極構(gòu)造，也依然在第二電極與第一電極之間在電流密度的分布上產(chǎn)生偏差，要得到均一的發(fā)光尚不充分。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明是鑒于這樣的情況而設(shè)立的，其目的在于降低電極間的電流密度分布的偏差。
[0008]本發(fā)明的發(fā)光元件在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上分別具有第一電極及第二電極，所述第一電極及所述第二電極配置于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的同一面?zhèn)龋渲校?br>[0009]俯視觀察下，
[0010]所述第一電極及所述第二電極分別具有第一連接部及第二連接部，
[0011](I)所述第一電極具有從所述第一連接部向所述第二連接部直線狀地延伸的第一延伸部、和夾著所述第一延伸部且相對于所述第一延伸部平行地延伸的兩個第二延伸部，
[0012]所述第二電極在所述第一延伸部與所述兩個第二延伸部各自之間具有相對于所述第一延伸部平行地延伸的兩個第三延伸部，
[0013]在與所述第一延伸部垂直的方向上，相鄰的所述第二延伸部與所述第三延伸部各自之間的距離比所述第一延伸部與所述兩個第三延伸部之間的距離短，或者
[0014](2)所述第一電極具有從所述第一連接部向所述第二連接部直線狀地延伸的第一延伸部、和夾著所述第一延伸部而延伸的兩個第二延伸部，
[0015]所述第二電極具有兩個第三延伸部、和向該兩個第三延伸部各自的外側(cè)延伸的兩個第四延伸部，
[0016]所述第一延伸部、所述第二延伸部、所述第三延伸部及所述第四延伸部具有相互平行的部位，在與所述第一延伸部正交的方向上交替地配置，
[0017]所述第四延伸部的前端部向接近所述第一連接部的方向彎曲。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光元件，能夠降低電流密度分布的偏差。
【附圖說明】
[0019]圖1A是表示本發(fā)明實(shí)施例1的發(fā)光元件的俯視圖；
[0020]圖1B是表示本發(fā)明實(shí)施例1的變形例的發(fā)光元件的俯視圖；
[0021]圖1C是表示本發(fā)明實(shí)施例1的發(fā)光元件的概略剖面圖；
[0022]圖1D是表示本發(fā)明實(shí)施例1的其它變形例的發(fā)光元件的俯視圖；
[0023]圖2A是表示本發(fā)明實(shí)施例2的發(fā)光元件的俯視圖；
[0024]圖2B是表示本發(fā)明實(shí)施例2的變形例的發(fā)光元件的俯視圖；
[0025]圖3是表示本發(fā)明實(shí)施例3的發(fā)光元件的俯視圖；
[0026]圖4是表示本發(fā)明實(shí)施例4的發(fā)光元件的俯視圖；
[0027]圖5是表示本發(fā)明實(shí)施例5的發(fā)光元件的俯視圖；
[0028]圖6是表示本發(fā)明實(shí)施例6的發(fā)光元件的俯視圖；
[0029]圖7是表示本發(fā)明實(shí)施例7的發(fā)光元件的俯視圖；
[0030]圖8是表示本發(fā)明實(shí)施例8的發(fā)光元件的俯視圖；
[0031]圖9是表示本發(fā)明實(shí)施例9的發(fā)光元件的俯視圖；
[0032]圖10是表示本發(fā)明參考例的發(fā)光元件的俯視圖；
[0033]圖11是表示本發(fā)明實(shí)施例1、5、8的發(fā)光元件和參考例的發(fā)光元件的電流密度分布的模擬的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]以下，作為用于實(shí)施本發(fā)明的發(fā)光元件的方式，參照附圖進(jìn)行說明。為了明確說明而有時將各圖所示的部件的大小及位置關(guān)系等進(jìn)行了夸張。另外，在以下的說明中，對于同一名稱、標(biāo)記，原則上表示同一、同質(zhì)或同功能的部件，適當(dāng)省略詳細(xì)說明。另外，構(gòu)成本發(fā)明的各要素為由同一部件構(gòu)成多個要素，由一個部件兼作多個要素的方式，相反，也可以由多個部件分擔(dān)實(shí)現(xiàn)一個部件的功能。在一部分實(shí)施例及實(shí)施方式中說明的內(nèi)容可在其它實(shí)施例及實(shí)施方式等中利用。
[0035]本發(fā)明的發(fā)光元件具有第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、和分別配置于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的第一電極及第二電極。這些第一電極及第二電極配置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及/或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的同一面?zhèn)取?br>[0036]在此，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層具有不同的導(dǎo)電型。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層可以是η型或P型的任一種。在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層為η型的情況下，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層是指P型，在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層為P型的情況下，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層是指η型。
[0037](第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層)
[0038]第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層為發(fā)光元件中的作為發(fā)光部的部件，通常被層積而構(gòu)成半導(dǎo)體層積體。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層可以分別為單層構(gòu)造，也可以分別為層積構(gòu)造。在層積構(gòu)造的情況下，構(gòu)成第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的全部的層也可以不是表示第一導(dǎo)電型或第二導(dǎo)電型的層。通常，在這些半導(dǎo)體層之間夾有活性層(發(fā)光層)?；钚詫右部梢允切纬捎诋a(chǎn)生量子效應(yīng)的薄膜上的單一量子阱構(gòu)造及多重量子阱構(gòu)造的任一種。其中，優(yōu)選將第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、活性層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層按順序?qū)臃e而成。換言之，優(yōu)選層積有η型半導(dǎo)體層/活性層/p型半導(dǎo)體層的構(gòu)成。此時，P型半導(dǎo)體層側(cè)成為第一電極及第二電極配置側(cè)。
[0039]半導(dǎo)體層的種類及材料沒有特別限定，例如優(yōu)選使用InxAlYGai_x_YN(0彡X、O ( Y、X+Y ( I)等氮化物半導(dǎo)體材料。
[0040]第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層通常層積于基板上。作為基板的材料，可舉出:藍(lán)寶石(Al2O3)或尖晶石(MgAl2O4)那樣的絕緣性基板；碳化硅(SiC)、ZnS、ZnO、S1、GaAs、金剛石；及與氮化物半導(dǎo)體晶格匹配的鈮酸鋰、鎵酸鈮等氧化物基板。但是，發(fā)光元件中，也可以不必存在這樣的基板。
[0041]第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層為了將后述的第一電極及第二電極配置于這些第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的同一面?zhèn)龋缫缘谝粚?dǎo)電型半導(dǎo)體層的一部分露出的方式將第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層層積于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上，以第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的一部分露出的方式將第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層層積于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上。
[0042]在一實(shí)施方式中，在η型半導(dǎo)體層上經(jīng)由活性層層積P型半導(dǎo)體層而構(gòu)成半導(dǎo)體層積體，就P型半導(dǎo)體層及活性層而言，為了使這些層之下的η型半導(dǎo)體層的一部分露出而優(yōu)選在一部分區(qū)域進(jìn)行除去。
[0043]成為發(fā)光元件的發(fā)光部的半導(dǎo)體層積體沒有特別限定，優(yōu)選俯視形狀為具有相對的一對邊的形狀，更優(yōu)選為矩形。但是，其角部也可以進(jìn)行倒腳而帶圓角。在矩形的情況下，允許四角的角有90± 10度左右的角度變動。在正方形的情況下，也允許一邊的長度有另一邊的長度的±5%程度變動。
[0044](第一電極及第二電極)
[0045]第一電極及第二電極為了向第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層分別供給電流而與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層直接或間接地電連接。
[0046]在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層為η型的情況下，第一電極是指η側(cè)電極，在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層為P型的情況下，第一電極是指P側(cè)電極。第二電極也同樣。
[0047]第一電極或第二電極在俯視觀察下優(yōu)選配置于發(fā)光元件的內(nèi)側(cè)。換言之，優(yōu)選第一電極被第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層包圍，或第二電極被第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層包圍。由此，能夠使電流在第一電極或第二電極的整周擴(kuò)散。但是，第一電極或第二電極的一部分也可以不被第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層或第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層包圍。
[0048]第一電極為其一部分或全部被第二電極包圍的方式，也可以相反。換言之，可以為η側(cè)電極的一部分或全部被P側(cè)電極包圍的方式，也可以為P側(cè)電極的一部分或全部被η側(cè)電極包圍的方式。其中，考慮到確保活性層的面積，優(yōu)選前者。
[0049]第一電極及第二電極分別具有第一連接部及第二連接部。
[0050]第一連接部及第二連接部是為了向發(fā)光元件供給電流而用于與外部電極或外部端子等連接的所謂的焊盤電極，例如為接合導(dǎo)電性的導(dǎo)線等的部位。
[0051]第一連接部及第二連接部分別偏向半導(dǎo)體層積體的相對的一對邊側(cè)設(shè)置。特別是，在半導(dǎo)體層積體的俯視形狀為矩形的情況下，第一連接部及第二連接部優(yōu)選配置于一個中心線上的一端側(cè)及另一端側(cè)。中心線優(yōu)選為與半導(dǎo)體層積體的一邊平行的線，為穿過與該一邊正交的另一邊的中點(diǎn)的線。有時將該中心線稱作第一中心線。但是，在本說明書中，中心線、中點(diǎn)等根據(jù)發(fā)光元件的加工精度等，允許數(shù)μπι?十?dāng)?shù)μπι程度的變動。
[0052]第一連接部及第二連接部的俯視形狀可根據(jù)發(fā)光元件的大小、電極的配置等適當(dāng)調(diào)整，例如可設(shè)為圓形、正多邊形等形狀。其中，考慮到導(dǎo)線接合的容易度等，優(yōu)選為圓形或接近圓形的形狀。另外，第一連接部及第二連