發(fā)光二極管封裝元件及其制造方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導體發(fā)光元件及其制造方法，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝元 件及其制造方法。
【背景技術】
[0002] 發(fā)光二極管（Li曲t血ittingDiode,LED)是一種可將電流轉換成特定波長范圍 的光電半導體元件。發(fā)光二極管W其亮度高、工作電壓低、功耗小、易與集成電路匹配、驅動 簡單、壽命長等優(yōu)點，從而可作為光源而廣泛應用于照明領域。
[0003] 現(xiàn)有的發(fā)光二極管一般在封裝成型后通過切割制程形成單個的封裝元件。成型的 封裝結構包括相互間隔的兩金屬電極，設置于電極上的發(fā)光二極管芯片及覆蓋所述發(fā)光二 極管元件的樹脂封裝層。為減小后續(xù)切割制程中的阻力，所述電極被預先蝕刻形成一導電 片及與該導電片連接的若干連接條，所述連接條之間的寬度小于該導電片的寬度。切割時 只需切除部分連接條從而形成單個封裝元件。
[0004] 然而，由于金屬材質的連接條和樹脂材料的封裝層之間的材料差異較大，在切割 制程中切割產生的拉力容易引起封裝層與連接條之間剝裂分離而產生縫隙，導致形成的單 個發(fā)光二極管封裝元件穩(wěn)固性較差，進而影響發(fā)光二極管封裝元件的使用壽命。故，需進一 步改進。

【發(fā)明內容】

[0005] 有鑒于此，有必要提供一種穩(wěn)固性較強的發(fā)光二極管封裝元件及該發(fā)光二極管封 裝元件的制造方法。
[0006] 一種發(fā)光二極管封裝元件，其包括相互間隔的兩電極、夾設于該兩電極之間的絕 緣層、設置在所述兩電極上并電性連接所述兩電極的發(fā)光二極管芯片、及覆蓋所述發(fā)光二 極管芯片的封裝層，每一電極包括一導電片及與該導電片連接的至少一連接條，所述連接 條的寬度小于所述導電片的寬度，所述連接條的厚度小于所述導電片的厚度，所述連接條 的上表面與所述導電片的上表面齊平，該發(fā)光二極管封裝元件還包括一包覆層包覆所述連 接條，所述連接條的上表面與封裝層之間夾設部分所述包覆層。
[0007] -種發(fā)光二極管封裝元件的制造方法，包括步驟；預成型相互間隔的兩電極，每 一電極包括一導電片及與該導電片連接的至少一連接條，每一連接條的厚度與所述導電片 的厚度相等，每一連接條的寬度小于所述導電片的寬度，所述兩電極的兩導電片相互間隔 形成一間隙；利用模具成型一絕緣層加熱與所述兩電極之間的空隙中；利用模具成型一包 覆層包覆所述連接條，所述包覆層位于連接條上表面的部分延伸至對應的導電片；在所述 兩電極上設置一發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片與所述兩電極形成電性連接；設置 一封裝層覆蓋所述發(fā)光二極管芯片，所述連接條的上表面與封裝層之間夾設部分所述包覆 層；W及沿所述連接條的位置縱向切割部分封裝層、包覆層及連接條形成單個的發(fā)光二極 管封裝元件。
[000引與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明提供的發(fā)光二極管封裝元件的連接條與封裝層之間夾設 有包覆層，所述包覆層促使包覆層和封裝層之間的密合度、及包覆層與連接條之間的密合 度均得到增強，因此在切割形成單個的發(fā)光二極管元件時，切割產生的拉力不足W剝裂分 離封裝層和包覆層、包覆層和連接條，從而增強發(fā)光二極管封裝元件元件的穩(wěn)固性，進而延 長發(fā)光二極管封裝元件的使用壽命。
【附圖說明】
[0009] 圖1為本發(fā)明一實施方式提供的預成型的兩電極的俯視圖。
[0010] 圖2為由圖1所示兩電極制成的發(fā)光二極管封裝元件的剖面示意圖。
[0011] 圖3為圖2所述發(fā)光二極管封裝元件的俯視圖。
[0012] 圖4至圖9為圖2所述發(fā)光二極管封裝元件的制造步驟示意圖。
[0013] 主要元件符號說明
【主權項】
1. 一種發(fā)光二極管封裝元件，其包括相互間隔的兩電極、夾設于該兩電極之間的絕緣 層、設置在所述兩電極上并電性連接所述兩電極的發(fā)光二極管芯片，及覆蓋所述發(fā)光二極 管芯片的封裝層，每一電極包括一導電片及與該導電片連接的至少一連接條，所述連接條 的寬度小于所述導電片的寬度，其特征在于：所述連接條的厚度小于所述導電片的厚度，所 述連接條的上表面與所述導電片的上表面齊平，該發(fā)光二極管封裝元件還包括一包覆層包 覆所述連接條，所述連接條的上表面與封裝層之間夾設部分所述包覆層。
2. 如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝元件，其特征在于：所述包覆層與所述封裝層 材質不同。
3. 如權利要求2所述的發(fā)光二極管封裝元件，其特征在于：所述封裝層由透明膠體制 成，所述包覆層由熱性環(huán)氧樹脂或者塑膠材料制成，所述絕緣層與所述包覆層一體成型，且 材質相同。
4. 如權利要求2所述的發(fā)光二極管封裝元件，其特征在于：所述連接條自所述導電片 的外側面一體延伸形成，所述包覆層的上表面高于所述導電片的上表面。
5. 如權利要求4所述的發(fā)光二極管封裝元件，其特征在于：所述連接條的下表面高于 所述導電片的底面，所述包覆層的下表面與所述導電片的下表面齊平。
6. 如權利要求4所述的發(fā)光二極管封裝元件，其特征在于：所述連接條的厚度為所述 導電片厚度的一半，所述包覆層填充慢所述連接條與導電片之間的區(qū)域，所述封裝層的堅 直端面與所述包覆層的堅直端面齊平。
7. -種發(fā)光二極管封裝元件的制造方法，包括步驟： 預成型相互間隔的兩電極，每一電極包括一導電片及與該導電片連接的至少一連接 條，每一連接條的厚度與所述導電片的厚度相等，每一連接條的寬度小于所述導電片的寬 度，所述兩電極的兩導電片相互間隔形成一間隙； 利用模具成型一絕緣層加熱與所述兩電極之間的空隙中； 利用模具成型一包覆層包覆所述連接條，所述包覆層位于連接條上表面的部分延伸至 對應的導電片； 在所述兩電極上設置一發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片與所述兩電極形成電性 連接； 設置一封裝層覆蓋所述發(fā)光二極管芯片，所述連接條的上表面與封裝層之間夾設部分 所述包覆層；以及 沿所述連接條的位置縱向切割部分封裝層、包覆層及連接條形成單個的發(fā)光二極管封 裝元件。
8. 如權利要求7所述的發(fā)光二極管封裝元件的制造方法，其特征在于：所述包覆層與 所述封裝層材質不同，所述封裝層由透明膠體制成，所述包覆層由熱性環(huán)氧樹脂或者塑膠 材料制成，所述絕緣層與所述包覆層一體成型，且材質相同。
9. 如權利要求8所述的發(fā)光二極管封裝元件的制造方法，其特征在于：所述包覆層的 上表面高于所述導電片的上表面，還包括蝕刻所述連接條下表面的步驟，使得所述連接條 的下表面高于所述導電片的底面，所述包覆層的下表面與所述導電片的下表面齊平，所述 連接條的厚度為所述導電片厚度的一半，所述包覆層填充慢所述連接條與導電片之間的區(qū) 域，所述封裝層的堅直端面與所述包覆層的堅直端面齊平。
10.如權利要求8所述的發(fā)光二極管封裝元件的制造方法，其特征在于：所述絕緣層的 上表面與所述導電片的上表面齊平，所述絕緣層的的下表面與所述導電片的下表面齊平， 所述發(fā)光二極管芯片設置在其中一電極的導電片上并位于靠近另一電極導電片的一端。
【專利摘要】一種發(fā)光二極管封裝元件，其包括相互間隔的兩電極、夾設于該兩電極之間的絕緣層、設置在兩電極上的發(fā)光二極管芯片、及覆蓋該發(fā)光二極管芯片的封裝層，每一電極包括一導電片及與該導電片連接的至少一連接條，該連接條的厚度小于所述導電片的厚度，該連接條的上表面與該導電片的上表面齊平，還包括一包覆層包覆該連接條，該連接條的上表面與封裝層之間夾設部分包覆層。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝元件的連接條與封裝層之間夾設有包覆層，該包覆層促使包覆層和封裝層之間的密合度、及包覆層與連接條之間的密合度均得到增強，增強發(fā)光二極管封裝元件的穩(wěn)固性。本發(fā)明還提供一種該發(fā)光二極管封裝元件的制造方法。
【IPC分類】H01L33-48, H01L33-00
【公開號】CN104701436
【申請?zhí)枴緾N201310660321
【發(fā)明人】張耀祖, 陳濱全, 陳隆欣, 曾文良, 黃郁良
【申請人】展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
【公開日】2015年6月10日
【申請日】2013年12月10日
【公告號】US20150162498