晶片剝離裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種對粘接于切片基座上的晶片進(jìn)行剝離的晶片剝離裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]硅晶片等的晶片通過將被稱作錠的塊狀物切片而單張化來獲得。為了獲得晶片，首先將錠借助粘接劑固定在被稱作切片基座的保持體上。利用鋼絲鋸將固定于切片基座上的錠切片而成為晶片。然后，通過從切片基座剝離晶片而獲得晶片。
[0003]如圖1A所示，為了從切片基座50剝離多個晶片60，使粘接有多個晶片60的切片基座50浸潰于水15中，使將多個晶片60固定于切片基座50的粘接劑63軟化。由此，多個晶片60從切片基座50剝離。剝離后的晶片向托盤40落下而被回收。
[0004]另外，作為從切片基座剝離晶片的其他方法，報告有如下所述的方法:向?qū)⒕辰佑谇衅恼辰觿﹪娚錈犸L(fēng)而使粘接劑溶解(專利文獻(xiàn)I)。
[0005]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:注冊實用新型第3149712號公報
[0008]發(fā)明概要
[0009]發(fā)明要解決的課題
[0010]然而，如圖1B所示，當(dāng)從切片基座50剝離了的晶片向托盤40落下時，落下的晶片彼此碰撞、或者隨機(jī)重合，由此有時導(dǎo)致晶片破裂(參照附圖標(biāo)記X)、或產(chǎn)生缺口(參照附圖標(biāo)記Y)。此外，落下的晶片被隨機(jī)地收容在托盤40內(nèi)，因此額外需要圖1C所示那樣的使晶片整齊排列的工序。如此，一直以來，存在如下所述的問題:晶片發(fā)生破裂或產(chǎn)生缺口，需要額外使隨機(jī)收容的晶片整齊排列。
[0011]另外,如專利文獻(xiàn)I所記載的那樣，當(dāng)向粘接劑噴射熱風(fēng)而使粘接劑溶解時，在晶片上附著有污潰，除去該污潰也很困難。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]對此，本發(fā)明的目的在于提供一種晶片剝離裝置，其能夠抑制晶片的破裂、缺口，并且能夠減少向晶片附著的污潰，并能夠?qū)⒕R排列。
[0013]解決方案
[0014]本發(fā)明的晶片剝離裝置將借助粘接劑粘接于切片基座的多個晶片從所述切片基座剝離，其特征在于，具備:槽，其積存液體；第一噴嘴，其朝向借助所述切片基座而浸潰于所述槽內(nèi)的液體中的所述多個晶片的側(cè)面噴射液體；托盤，其配置在所述槽內(nèi)，且收容從所述切片基座剝離了的晶片；吸引口，其經(jīng)由設(shè)于所述托盤的側(cè)面或者底面的開口部而吸引所述托盤內(nèi)的液體。
[0015]發(fā)明效果
[0016]根據(jù)本剝離裝置，能夠抑制晶片的破裂、缺口，并且，能夠減少污潰，并使剝離后的晶片在托盤中整齊排列。
【附圖說明】
[0017]圖1是表示現(xiàn)有的晶片剝離方法的概要的圖。
[0018]圖2是表不獲得粘接有多個晶片的切片基座的工序的圖。
[0019]圖3中，圖3A是表示實施方式I的晶片剝離裝置的概要的圖，圖3B是表示實施方式2的晶片剝離裝置的概要的圖。
[0020]圖4是表示切片基座、第一噴嘴、第一輔助噴嘴、托盤、第二噴嘴、吸引口、蒸氣噴嘴之間的位置關(guān)系的示意圖。
[0021]圖5中，圖5A是托盤的立體圖，圖5B是托盤的分解圖。
[0022]圖6是表示實施方式I的晶片剝離方法的流程的圖。
[0023]圖7是表示實施方式2的晶片剝離方法的流程的圖。
[0024]圖8是表示托盤與吸引口之間的位置關(guān)系的示意圖。
[0025]附圖標(biāo)記說明如下:
[0026]10 槽
[0027]20保持部
[0028]30第一噴嘴
[0029]33第一輔助噴嘴
[0030]35第三噴嘴
[0031]40 托盤
[0032]43、43a 開口部
[0033]47 底面
[0034]50切片基座
[0035]53傾斜角度
[0036]55晶片粘接面
[0037]60多個晶片
[0038]60a 晶片
[0039]63粘接劑
[0040]65 錠
[0041]70第二噴嘴
[0042]80蒸氣噴嘴
[0043]90 吸引口
[0044]100、100’晶片剝離裝置
【具體實施方式】
[0045]本發(fā)明的晶片剝離裝置能夠在晶片制造方法的一工序中被采用。圖2示出晶片制造方法的典型性流程的示意圖，并說明在哪一工序中采用本晶片剝離裝置。
[0046]利用粘接劑63將被稱作錠65的塊狀物粘貼于切片基座50 (參照圖2A)，將通過粘接劑63被粘貼了的錠切片而成為多個晶片(圖2B)，將切片出的晶片在保持粘貼于切片基座的狀態(tài)下進(jìn)行清洗(圖2C)。經(jīng)過該工序，獲得粘接有多個晶片60的切片基座50。然后，采用本晶片剝離裝置。
[0047]粘接劑63為一液型粘接劑或二液型粘接劑，例如環(huán)氧樹脂粘接劑。切片基座50的材質(zhì)可以是碳原料等導(dǎo)電性材料，可以是玻璃等絕緣無機(jī)材料，也可以是環(huán)氧樹脂等有機(jī)材料。另外，切片基座50也可以是多孔質(zhì)體。構(gòu)成多孔質(zhì)體的材料的例子包括碳原料等。根據(jù)錨定效應(yīng)而能夠在由多孔質(zhì)體構(gòu)成的切片基座50的粘接面上穩(wěn)固地粘接錠。因此，比起錠65與粘接劑63之間的粘接強(qiáng)度，切片基座50與粘接劑63之間的粘接強(qiáng)度更強(qiáng)。其結(jié)果是，在剝離晶片時，粘接劑63殘留在切片基座50的晶片粘接面55上，不易在晶片上附著污潰(粘接劑63)。
[0048]如圖2B所示，利用具備卷繞于一對主輥210上的鋼絲220的鋼絲鋸200等切斷裝置，將錠65切斷為薄板狀而成為多個晶片。此時，切片基座50不被切斷為薄板狀。但是，也可以切斷至切片基座50的厚度方向的中途為止。在切斷裝置為鋼絲鋸的例子中，包括多鋼絲鋸、鋼絲放電加工機(jī)等。
[0049]如圖2C所示，利用水槽300中的水來清洗多個晶片60。也可以將多個晶片60與切片基座50 —并浸潰在水中，對多個晶片60照射超聲波單元310所發(fā)出的超聲波，或使從噴流噴嘴320噴出的水的噴流碰撞多個晶片60。
[0050]接下來，如圖2D所示，使用本晶片剝離裝置，從粘接有多個晶片60的切片基座50剝離晶片。由本晶片剝離裝置進(jìn)行剝離的詳情后述。利用本晶片剝離裝置來獲得整齊排列的晶片。
[0051]然后，被整齊排列的晶片由單張?zhí)幚硌b置(分離器)一片一片地取出，經(jīng)過清洗、干燥、檢查的工序，完成晶片制造工序。
[0052]基于本晶片剝離裝置的晶片剝離方法包括將粘接于切片基座的多個晶片的各晶片的至少一部分浸潰于在槽內(nèi)積存的液體中的工序I ο此外,本方法還包括朝向浸潰于槽內(nèi)的液體中的晶片的側(cè)面噴射液體的工序2。并且，本方法包括一邊從配置在槽內(nèi)的托盤的開口部附近吸引液體一邊將從切片基座剝離了的晶片收容于托盤的工序3。
[0053]在本方法中，在工序I中包括切片基座的粘接劑不浸潰于槽中而僅浸潰晶片的實施方式I (參照圖3A)、和將切片基座的粘接劑與晶片一并浸潰于槽中的實施方式2 (參照圖3B)。以下，對各實施方式進(jìn)行說明。
[0054]首先，對實施方式I的剝離方法進(jìn)行說明。
[0055]在實施方式I的剝離方法中，將多個晶片60粘接于切片基座50的粘接劑63不浸潰于槽10中的水內(nèi)而僅浸潰多個晶片60(圖3A)。實施方式I的剝離方法能夠使用晶片剝離裝置100而進(jìn)行。
[0056]晶片剝離裝置100具備積存作為液體的一例的水的槽10、和以使多個晶片60浸潰于槽10內(nèi)的水中的方式保持切片基座50的保持部20。另外，晶片剝離裝置100具備朝向浸潰于槽10的水中的多個晶片60中的一部