專利名稱：晶片處理室的內(nèi)襯及包含該內(nèi)襯的晶片處理室的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體加工設(shè)備部件，尤其涉及一種晶片處理室及其內(nèi)襯。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體硅片加工中，對(duì)晶片的刻蝕或其他加工工藝通常在處理室內(nèi)進(jìn)行。工藝氣體 在處理室內(nèi)被電離成等離子體，對(duì)晶片進(jìn)行加工工藝。等離子體在對(duì)硅片進(jìn)行加工的同 時(shí)，也會(huì)對(duì)處理室壁造成污染或損傷，影響晶片的加工工藝。如圖1所示，處理室一般采用 內(nèi)襯的結(jié)構(gòu)來保護(hù)處理室的壁面。處理室上方設(shè)有石英窗，石英窗上設(shè)有的噴嘴采用喇叭 形結(jié)構(gòu)，石英窗與處理室壁之間設(shè)有調(diào)整支架，內(nèi)襯覆蓋在處理室內(nèi)部表面防止刻蝕生產(chǎn) 物污染處理室；晶片座吸附晶片，起著固定晶片的作用；內(nèi)襯的應(yīng)用可以有效的保證處理 室連續(xù)有效的生產(chǎn)。
如圖2所示，是現(xiàn)有的半導(dǎo)體晶片處理室的內(nèi)襯的結(jié)構(gòu)示意圖，內(nèi)襯包括內(nèi)側(cè)壁3、外 側(cè)壁2，內(nèi)側(cè)壁3與外側(cè)壁2通過屏蔽板4連接，屏蔽板4包括含有多個(gè)屏蔽孔1，屏蔽板4的上 部是反應(yīng)腔室，下部是抽氣腔室。等離子體在反應(yīng)腔室對(duì)硅片進(jìn)行刻蝕后，反應(yīng)物通過屏 蔽板4上的屏蔽孔1被抽氣腔室抽走，等離子體在反應(yīng)腔室分布的均與性對(duì)晶片刻蝕結(jié)果的 影響很大，而反應(yīng)腔室內(nèi)工藝氣體的注入和抽出形成的氣體流場(chǎng)又對(duì)等離子體分布的均勻 性起很大的影響。
現(xiàn)有技術(shù)中，屏蔽板4一般都垂直于內(nèi)襯的軸線，這種內(nèi)襯結(jié)構(gòu)在氣流流過屏蔽孔l 時(shí)，由于氣體流過的面積的有一定的局限性，從而限制了晶片表面氣體流場(chǎng)均勻性的改 善。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能有效改善晶片表面氣體流場(chǎng)均勻性的晶片處理室的內(nèi)襯， 及包含該內(nèi)襯的晶片處理室。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的-
本發(fā)明的晶片處理室的內(nèi)襯，包括內(nèi)側(cè)壁、外側(cè)壁，內(nèi)側(cè)壁與外側(cè)壁通過屏蔽板連 接，所述的屏蔽板與側(cè)壁傾斜連接。
所述的屏蔽板與內(nèi)襯軸線之間的夾角為5 80°。
所述的屏蔽板與內(nèi)襯軸線之間的夾角為20 60°。
所述的屏蔽板與外側(cè)壁連接的部位高于與內(nèi)側(cè)壁連接的部位。
所述的屏蔽板與內(nèi)側(cè)壁連接的部位高于與外側(cè)壁連接的部位。
所述的屏蔽板上開有上下相通的屏蔽孔，所述的屏蔽孔的橫截面的形狀為圓形或橢圓 形或多邊形。
所述的屏蔽孔的方向平行于內(nèi)襯軸線。
所述的屏蔽孔的方向垂直于屏蔽板。
所述的屏蔽孔的方向介于平行于內(nèi)襯軸線的方向與垂直于屏蔽板的方向之間。
本發(fā)明的晶片處理室，所述晶片處理室內(nèi)設(shè)有上述晶片處理室的內(nèi)襯。
由上述本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所述的晶片處理室的內(nèi)襯及包含該內(nèi) 襯的晶片處理室，由于內(nèi)襯屏蔽板采用斜面結(jié)構(gòu)，斜面比平面面積有明顯的增大，所以斜 面結(jié)構(gòu)可以增加屏蔽孔的數(shù)量或面積，即增加氣流通過面積?？梢愿鶕?jù)需要選擇屏蔽板的 傾斜角度，及屏蔽孔的方向，從而達(dá)到改善晶片表面氣體流場(chǎng)均勻性的目的。
主要適用于半導(dǎo)體晶片處理室，也適用于對(duì)其它類似的腔室。


圖l為現(xiàn)有技術(shù)中晶片處理室的結(jié)構(gòu)示意圖2為現(xiàn)有技術(shù)晶片處理室的內(nèi)襯；
圖3為本發(fā)明晶片處理室的內(nèi)襯。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明晶片處理室的內(nèi)襯，其較佳的具體實(shí)施方式
如圖3所示，包括內(nèi)側(cè)壁3、外側(cè)壁 2，內(nèi)側(cè)壁3與外側(cè)壁2通過屏蔽板4連接，所述的屏蔽板4與側(cè)壁傾斜連接?？梢允瞧帘伟? 與外側(cè)壁2連接的部位高于與內(nèi)側(cè)壁3連接的部位；也可以是屏蔽板4與內(nèi)側(cè)壁3連接的部位 高于與外側(cè)壁2連接的部位。
屏蔽板4與內(nèi)襯軸線之間的夾角為5 80。，可以是5、 20、 45、 60、 80°等優(yōu)選角度，最好為20 60°。
屏
蔽板4上開有上下相通的屏蔽孔1，所述的屏蔽孔l的橫截面的形狀為圓形或橢圓形 或多邊形，也可以是其它需要的形狀。
屏蔽孔l的方向可以平行于內(nèi)襯軸線；也可以垂直于屏蔽板4;也可以介于平行于內(nèi)襯 軸線的方向與垂直于屏蔽板4的方向之間。這里所說的垂直于屏蔽板4是指屏蔽孔1的方向垂 直于該孔所在處的切面方向。
本發(fā)明的晶片處理室內(nèi)設(shè)有上述晶片處理室的內(nèi)襯。由于內(nèi)襯屏蔽板采用斜面結(jié)構(gòu)， 并在斜面上開屏蔽孔，由于斜面比平面面積有明顯的增大，所以斜面結(jié)構(gòu)可以增加屏蔽孔 的數(shù)量或面積，即增加氣流通過面積。可以根據(jù)需要選擇屏蔽板的傾斜角度，及屏蔽孔的 方向，從而達(dá)到改善晶片表面氣體流場(chǎng)均勻性的目的。
主要適用于半導(dǎo)體晶片處理室，也適用于對(duì)其它類似的腔室。
以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任 何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都 應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種晶片處理室的內(nèi)襯，包括內(nèi)側(cè)壁、外側(cè)壁，內(nèi)側(cè)壁與外側(cè)壁通過屏蔽板連接，其特征在于，所述的屏蔽板與側(cè)壁傾斜連接。
1、 一種晶片處理室的內(nèi)襯，包括內(nèi)側(cè)壁、外側(cè)壁，內(nèi)側(cè)壁與外側(cè)壁通過屏蔽板連 接，其特征在于，所述的屏蔽板與側(cè)壁傾斜連接。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的晶片處理室的內(nèi)襯，其特征在于，所述的屏蔽板與內(nèi)襯軸線 之間的夾角為5 80。。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片處理室的內(nèi)襯，其特征在于，所述的屏蔽板與內(nèi)襯軸線 之間的夾角為20 60。。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l、 2或3所述的晶片處理室的內(nèi)襯，其特征在于，所述的屏蔽板與外 側(cè)壁連接的部位高于與內(nèi)側(cè)壁連接的部位。
5、 根據(jù)權(quán)利要求l、 2或3所述的晶片處理室的內(nèi)襯，其特征在于，所述的屏蔽板與內(nèi) 側(cè)壁連接的部位高于與外側(cè)壁連接的部位。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l、 2或3所述的晶片處理室的內(nèi)襯，其特征在于，所述的屏蔽板上開 有上下相通的屏蔽孔，所述的屏蔽孔的橫截面的形狀為圓形或橢圓形或多邊形。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片處理室的內(nèi)襯，其特征在于，所述的屏蔽孔的方向平行 于內(nèi)襯軸線。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片處理室的內(nèi)襯，其特征在于，所述的屏蔽孔的方向垂直 于屏蔽板。
9、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片處理室的內(nèi)襯，其特征在于，所述的屏蔽孔的方向介于 平行于內(nèi)襯軸線的方向與垂直于屏蔽板的方向之間。
10、 一種晶片處理室，其特征在于，所述晶片處理室內(nèi)設(shè)有上述晶片處理室的內(nèi)襯。.
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶片處理室的內(nèi)襯及包含該內(nèi)襯的晶片處理室，包括內(nèi)側(cè)壁、外側(cè)壁，內(nèi)側(cè)壁與外側(cè)壁通過屏蔽板連接，所述的屏蔽板與側(cè)壁傾斜連接。斜面比平面面積有明顯的增大，所以斜面結(jié)構(gòu)可以增加屏蔽孔的數(shù)量或面積，即增加氣流通過面積?？梢愿鶕?jù)需要選擇屏蔽板的傾斜角度，及屏蔽孔的方向，從而達(dá)到改善晶片表面氣體流場(chǎng)均勻性的目的。主要適用于半導(dǎo)體晶片處理室，也適用于對(duì)其它類似的腔室。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101207003SQ20061016956
公開日2008年6月25日 申請(qǐng)日期2006年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月22日
發(fā)明者盛 林 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司