實(shí)施例1相類似，各有機(jī)電致發(fā)光器件也具有類似的流明效率，在下面不再贅述。
[0066]實(shí)施例2
[0067]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/Sr: DCJTB: TCTA/1Z0/V205/NPB/DCJTB/TPBi/Cs2CO3AI的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0068]玻璃基底為N-LAF36，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上在玻璃基底上制備散射層，散射層發(fā)光材料，鋅粉及錸的化合物材料，在玻璃基板表面采用熱阻蒸鍍制備散射層，材料為Sr:DCJTB:TCTA，Sr，DCJTB與TCTA的質(zhì)量比為1:0.5:1，厚度為80nm。然后在散射層上制備ΙΖ0，厚度為80nm，采用磁控濺射的方法制備；蒸鍍空穴注入層，材料為V2O5，厚度為40nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為45nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為DCJTB，厚度為Snm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TPBi，厚度為65nm ;蒸鍍電子注入層、材料為Cs2CO3，厚度為1nm ;蒸鍍陰極，材料為Al，厚度為80nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0069]磁控濺射制備的工作壓強(qiáng)為2X 10_3Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬化合物的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬的蒸鍍速率為lOnm/s。磁控濺射的加速電壓:300V，磁場(chǎng)約:50G，功率密度:40W/cm2。
[0070]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為2X 10_3Pa，電流為5A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lOnm/s。
[0071]實(shí)施例3
[0072]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/Ca:ADN:NPB/AZ0/Mo03/TAPC/ADN/TAZ/CsN3/Au 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0073]玻璃基底為N-LASF31A，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上；在玻璃基底上制備散射層，散射層發(fā)光材料，鋅粉及錸的化合物材料，在玻璃基板表面采用熱阻蒸鍍制備散射層，材料為Ca: ADN: NPB, Ca，AND與NPB的質(zhì)量比為10:3:1，厚度為400nm。然后在散射層上制備AZO，厚度為300nm，采用磁控濺射的方法制備。蒸鍍空穴注入層，材料為MoO3，厚度為20nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TAPC，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為ADN，厚度為1nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為200nm ;蒸鍍電子注入層、材料為CsN3，厚度為0.5nm ;蒸鍍陰極，材料為Au，厚度為10nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0074]磁控濺射制備的工作壓強(qiáng)為5X 10_5Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s,有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬的蒸鍍速率為lnm/s。磁控濺射的加速電壓:800V，磁場(chǎng)約:200G，功率密度:lW/cm2。
[0075]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為5X 10_5Pa，電流為2.5A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s。
[0076]實(shí)施例4
[0077]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/Yb: BCzVB1: NPB/1T0/W03/TCTA/BCzVBi/Bphen/LiF/Al的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0078]玻璃基底為N-LASF41A，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上在玻璃基底上制備散射層，散射層發(fā)光材料，鋅粉及錸的化合物材料，在玻璃基板表面采用熱阻蒸鍍制備散射層，材料為Yb:BCzVB1:NPB，Yb，BCzVBi與NPB的質(zhì)量比為8:6:1，厚度為250nm。然后在散射層上制備ΙΤ0，厚度為150nm，采用磁控濺射的方法制備；蒸鍍空穴注入層，材料為WO3，厚度為80nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TCPA，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為BCzVBi，厚度為40nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為Bphen，厚度為35nm ；蒸鍍電子注入層、材料為L(zhǎng)iF，厚度為Inm ;蒸鍍陰極，材料為Pt，厚度為250nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0079]磁控濺射制備的工作壓強(qiáng)為2X 10_4Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.5nm/s,金屬化合物的蒸鍍速率為0.6nm/s,金屬的蒸鍍速率為6nm/s。磁控派射的加速電壓:600V,磁場(chǎng)約:100G，功率密度:30W/cm2。
[0080]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為2X 10_4Pa，電流為1A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.5nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為6nm/s。
[0081]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、散射層、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述散射層包括金屬材料，空穴傳輸材料及發(fā)光材料，所述金屬材料的功函數(shù)為-2.0eV?-3.5eV，所述空穴傳輸材料選自1，1_二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4’’-三(咔唑_9_基)三苯胺及N，N’ - (1-萘基)4，^ - 二苯基_4，4’ -聯(lián)苯二胺中至少一種，所述發(fā)光材料層的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亞萘基蒽、4，4’-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，Γ-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述散射層的厚度為80nm ?400nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述散射層中金屬材料，發(fā)光材料與空穴傳輸材料的質(zhì)量比為(I?10): (0.5?3):1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬材料選自鎂、鍶、鈣及鐿中至少一種。
5.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在玻璃基底表面蒸鍍制備散射層，所述散射層包括金屬材料，空穴傳輸材料及發(fā)光材料，在所述玻璃基底表面采用熱阻蒸鍍制備散射層，所述金屬材料的功函數(shù)為-2.0eV?-3.5eV，所述空穴傳輸材料選自1，1-二 [4_[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺中至少一種，所述發(fā)光材料層的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (I, 1,7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種； 在所述散射層表面磁控濺射制備陽(yáng)極，所述陽(yáng)極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物 '及 在所述陽(yáng)極的表面依次蒸鍍制備穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述散射層的厚度為80nm?400nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述散射層中金屬材料，發(fā)光材料與空穴傳輸材料的質(zhì)量比為(I?10): (0.5?3):1。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述金屬材料選自鎂、鍶、鈣及鐿中至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述熱阻蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X 10_3?5X 10_5Pa，電流為IA?5A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.1?lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、散射層、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述散射層包括金屬材料，空穴傳輸材料及發(fā)光材料，所述金屬材料的功函數(shù)為-2.0eV～-3.5eV，所述空穴傳輸材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺中至少一種，上述有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率較高。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【IPC分類】H01L51-56, H01L51-50, H01L51-54, H01L51-52
【公開號(hào)】CN104659238
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310608403
【發(fā)明人】周明杰, 黃輝, 陳吉星, 王平
【申請(qǐng)人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請(qǐng)日】2013年11月25日